一种基于MOSFET管的高压放电电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于MOSFET管的高压放电电路，包括电荷输入端HV和通断控制单元，所述电荷输入端HV连接限流电阻阵列Rn，同时限流电阻阵列Rn分别连接二极管D1与MOSFET管Q1的漏极。本基于MOSFET管的高压放电电路，通过在放电回路中串联六个或以上的MOSFET管Q，以保证在5000V高压下，MOSFET管Q不过流，限流电阻不小于5kΩ，同时在电路中串联两个稳压管Z，以构成合适的稳压幅值，因而可以根据不同的高压环境，通过一个或者多个MOSFET管Q串联构成放电通路，再选择合适的限流电阻阵列Rn，以大大提高放电效率，降低放电回路对主路的影响。响。响。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOSFET管的高压放电电路


[0001]本技术涉及高压放电电路
，具体为一种基于MOSFET管的高压放电电路。

技术介绍

[0002]在高压仪器仪表中，常会遇到测试结束后，需要将测试回路中或者仪器内部存储的能量释放掉。由于这部分能量具有很高的电压，甚至能达到上千上万伏。如果简单的通过电阻对地静默释放，往往需要很大阻值并联在主路中，以承受相对大地较高的电压。待仪器停止测试，存储的能量通过该电阻缓慢释放，直至能量归零。而且并联电阻分流，不利于仪器的精密测量。如果存储的能量足够多，且电压相对较高，仅仅通过大电阻释放，这将是一个比较漫长的时间。因此，急需一种主路电流影响较小、对大地耐压足够高的快速放电电路来解决这一问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种基于MOSFET管的高压放电电路，通过在放电回路中串联六个或以上的MOSFET管Q，以保证在5000V高压下，MOSFET 管Q不过流，限流电阻不小于5kΩ，同时在电路中串联两个稳压管Z，以构成合适的稳压幅值，因而可以根据不同的高压环境，通过一个或者多个MOSFET 管Q串联构成放电通路，再选择合适的限流电阻阵列Rn，以大大提高放电效率，降低放电回路对主路的影响，可以解决现有技术中的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种基于MOSFET管的高压放电电路，包括电荷输入端HV和通断控制单元，所述电荷输入端HV连接限流电阻阵列Rn，同时限流电阻阵列Rn分别连接二极管D1与MOSFET管Q1 的漏极，二极管D1连接串联的稳压管Z1与稳压管Z2后，与通断控制单元连接，MOSFET管Q1的源极分别连接二极管D2与MOSFET管Q2的漏极， MOSFET管Q1的栅极与通断控制单元连接，二极管D2连接串联的稳压管Z3 与稳压管Z4后，与通断控制单元连接，MOSFET管Q2的源极分别连接二极管 D3与MOSFET管Q3的漏极，MOSFET管Q2的栅极与通断控制单元连接，二极管D3连接串联的稳压管Z5与稳压管Z6后，与通断控制单元连接，MOSFET 管Q3的源极分别连接二极管D4与MOSFET管Q4的漏极，MOSFET管Q3的栅极与通断控制单元连接，二极管D4连接串联的稳压管Z7与稳压管Z8后，与通断控制单元连接，MOSFET管Q4的源极分别连接二极管D5与MOSFET 管Q5的漏极，MOSFET管Q4的栅极与通断控制单元连接，二极管D5连接串联的稳压管Z9与稳压管Z10后，与通断控制单元连接，MOSFET管Q5的源极分别连接二极管D6与MOSFET管Q6的漏极，MOSFET管Q5的栅极与通断控制单元连接，二极管D6连接串联的稳压管Z11与稳压管Z12后，与通断控制单元连接，MOSFET管Q6的源极连接地。
[0005]优选的，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5 与二极管D6的型号均为B5819WS。
[0006]优选的，所述稳压管Z1、稳压管Z2、稳压管Z3、稳压管Z4、稳压管Z5、稳压管Z6、稳压
管Z7、稳压管Z8、稳压管Z9与稳压管Z10的型号均为 SMBJ350A。
[0007]优选的，所述MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET 管Q4、MOSFET管Q5与MOSFET管Q6的型号均为IRFBF20S。
[0008]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0009]本基于MOSFET管的高压放电电路，经通断控制单元控制MOSFET管Q1～导通MOSFET管Q6导通，存储的电荷从电荷输入端HV，流向限流电阻阵列 Rn，然后通过六个MOSFET管队列流向大地，而在这一过程中，电荷输入端 HV的能量以热量的形式在限流电阻阵列Rn阵列中被消耗；如果存储的能量足够多，可以通过调节通断控制单元信号占空比，或者选用更大功率的限流电阻阵列Rn来确保安全的消耗掉存储的能量，从而大大提高了放电效率，也降低了放电回路对主路的影响。
附图说明
[0010]图1为本技术的高压放电原理图。
[0011]图中：1、通断控制单元。
具体实施方式
[0012]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0013]请参阅图1，一种基于MOSFET管的高压放电电路，包括电荷输入端HV 和通断控制单元1，电荷输入端HV连接限流电阻阵列Rn，同时限流电阻阵列 Rn分别连接二极管D1与MOSFET管Q1的漏极，二极管D1连接串联的稳压管Z1与稳压管Z2后，与通断控制单元1连接，MOSFET管Q1的源极分别连接二极管D2与MOSFET管Q2的漏极，MOSFET管Q1的栅极与通断控制单元 1连接，二极管D2连接串联的稳压管Z3与稳压管Z4后，与通断控制单元1连接，MOSFET管Q2的源极分别连接二极管D3与MOSFET管Q3的漏极， MOSFET管Q2的栅极与通断控制单元1连接，二极管D3连接串联的稳压管Z5与稳压管Z6后，与通断控制单元1连接，MOSFET管Q3的源极分别连接二极管D4与MOSFET管Q4的漏极，MOSFET管Q3的栅极与通断控制单元1 连接，二极管D4连接串联的稳压管Z7与稳压管Z8后，与通断控制单元1连接，MOSFET管Q4的源极分别连接二极管D5与MOSFET管Q5的漏极， MOSFET管Q4的栅极与通断控制单元1连接，二极管D5连接串联的稳压管 Z9与稳压管Z10后，与通断控制单元1连接，MOSFET管Q5的源极分别连接二极管D6与MOSFET管Q6的漏极，MOSFET管Q5的栅极与通断控制单元1 连接，二极管D6连接串联的稳压管Z11与稳压管Z12后，与通断控制单元1 连接，MOSFET管Q6的源极连接地。
[0014]上述中，二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5与二极管D6的型号均为B5819WS，稳压管Z1、稳压管Z2、稳压管Z3、稳压管Z4、稳压管Z5、稳压管Z6、稳压管Z7、稳压管Z8、稳压管Z9与稳压管Z10的型号均为SMBJ350A，MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET 管Q4、MOSFET管Q5与MOSFET管Q6的型号均为IRFBF20S。
[0015]本基于MOSFET管的高压放电电路，经通断控制单元1控制MOSFET管 Q1～导通MOSFET管Q6导通，存储的电荷从电荷输入端HV，流向限流电阻阵列Rn，然后通过六个MOSFET
管队列流向大地，而在这一过程中，电荷输入端 HV的能量以热量的形式在限流电阻阵列Rn中被消耗；如果存储的能量足够多，可以通过调节通断控制单元1信号占空比，或者选用更大功率的限流电阻阵列 Rn来确保安全的消耗掉存储的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MOSFET管的高压放电电路，包括电荷输入端HV和通断控制单元(1)，其特征在于：所述电荷输入端HV连接限流电阻阵列Rn，同时限流电阻阵列Rn分别连接二极管D1与MOSFET管Q1的漏极，二极管D1连接串联的稳压管Z1与稳压管Z2后，与通断控制单元(1)连接，MOSFET管Q1的源极分别连接二极管D2与MOSFET管Q2的漏极，MOSFET管Q1的栅极与通断控制单元(1)连接，二极管D2连接串联的稳压管Z3与稳压管Z4后，与通断控制单元(1)连接，MOSFET管Q2的源极分别连接二极管D3与MOSFET管Q3的漏极，MOSFET管Q2的栅极与通断控制单元(1)连接。2.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET管的高压放电电路，其特征在于：所述二极管D3连接串联的稳压管Z5与稳压管Z6后，与通断控制单元(1)连接，MOSFET管Q3的源极分别连接二极管D4与MOSFET管Q4的漏极，MOSFET管Q3的栅极与通断控...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆文兴，刘坤，汪钢，吴斌，
申请(专利权)人：常州市致新精密电子有限公司，
类型：新型
国别省市：