晶片传送装置、气相沉积装置、晶片传送方法及外延硅晶片的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的晶片传送装置包括搬运机构以及将利用搬运机构搬运的硅晶片载置至基座（3）的载置机构，载置机构包括多个升降销（71、72、73）以及使多个升降销（71、72、73）与基座（3）相对移动的相对移动机构，搬运机构与载置机构中至少一者的结构构成为当以多个升降销（71、72、73）支承硅晶片时，特定的升降销（71）最初接触硅晶片的下表面。片的下表面。片的下表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片传送装置、气相沉积装置、晶片传送方法及外延硅晶片的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种晶片传送装置、气相沉积装置、晶片传送方法及外延硅晶片的制造方法。

技术介绍

[0002]气相沉积装置中，在将晶片载置至基座上的时候，首先，将以搬运叶片支承下表面的晶片搬运至基座上方时，使升降销上升，以其上端支承晶片下表面的同时，使晶片从搬运叶片分离。然后，气相沉积装置使升降销下降，将晶片载置至基座。
[0003]基座中设置有插入升降销的贯穿孔。为了顺利进行升降销的升降,该贯穿孔形成为在与升降销之间设置间隙。因此，升降销接触晶片时升降销倾斜，在该倾斜的状态下从搬运叶片接受晶片并载置至基座时，有晶片的载置位置偏离所期望的位置的可能性。
[0004]然后，进行用于抑制这种载置位置的偏离的研究（例如，参考专利文献1）。
[0005]专利文献1的气相沉积装置包括支承环，该支承环保持3支升降销的下端侧部分并抑制这些升降销的摇晃。支承环包括：环部；及板状部件，长度方向的一端部连接至环部的内周面，另一端部侧施力于环部侧，在板状部件与环部之间夹住本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶片传送装置，向在硅晶片上形成外延膜的气相沉积装置的基座传送所述硅晶片，其特征在于，所述晶片传送装置包括：搬运机构，保持所述硅晶片并将其搬运至所述基座上；及载置机构，将利用所述搬运机构搬运的所述硅晶片载置至所述基座，所述载置机构包括：多个升降销，可升降地插入于贯穿所述基座的多个贯穿孔的各自；及相对移动机构，使所述多个升降销与所述基座相对移动，所述相对移动机构使所述多个升降销相对于所述基座上升，由此以所述多个升降销支承所述硅晶片的下表面，并且，在解除利用所述搬运机构进行的所述硅晶片的保持后，使所述多个升降销相对于所述基座下降，由此将所述硅晶片载置至所述基座，当以所述多个升降销支承所述硅晶片时，所述搬运机构与所述载置机构中至少一者的结构构成为特定的升降销最初接触所述硅晶片的下表面。2.根据权利要求1所述的晶片传送装置，其特征在于，在所述特定的升降销上端位于比其他升降销上端高的位置的状态下，所述相对移动机构使所述多个升降销相对于所述基座上升。3.根据权利要求2所述的晶片传送装置，其特征在于，在所述特定的升降销上端位于比其他升降销上端高0.5mm以上且5mm以下的位置的状态下，所述相对移动机构使所述多个升降销相对于所述基座上升。4.根据权利要求2或3所述的晶片传送装置，其特征在于，所述多个升降销具有相同长度，所述相对移动机构包括升降销支承部件，所述升降销支承部件具有分别抵接于所述多个升降销下端的多个抵接部且相对于所述基座相对移动，抵接于所述特定的升降销的所述抵接部上端设置在比其他所述抵接部上端高的位置。5.根据权利要求2或3所述的晶片传送装置，其特征在于，所述特定的升降销形成为比其他升降销长，所述相对移动机构包括升降销支承部件，所述升降销支承部件具有分别抵接于所述多个升降销下端的多个抵接部且相对于所述基座相对移动，所述多个抵接部上端设置在相同高度的位置。6.根据权利要求1～5中任一项所述的晶片传送装置，其特征在于，所述搬运机构搬运所述硅晶片，以使在所述基座上，所述硅晶片中以所述特定的升降销支承的部分位于比其他部分更靠下侧。7.根据权利要求1～6中任一项所述的晶片传送装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：楢原和宏，辻雅之，胡盛珀，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：