半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器技术

本公开提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器。该半导体结构的制造方法包括：提供衬底和反应腔室，所述衬底置于反应腔室中；在所述衬底上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成多晶硅层；其中，在形成所述氮化硅层之后且在形成所述多晶硅层之前，使用解离后的氮气处理所述反应腔室的内表面以及所述氮化硅层的表面，以减少所述氮化硅层表面的氮氢键结。本公开提供的氮化硅层的制造方法，通过氮气解离后形成的氮离子对氮化硅层的表面进行处理，减少了氮氢键结，从而能够提升与多晶硅层的粘附性，避免了黏附在喷头和反应腔体内壁上的薄膜脱落在晶圆上形成的缺陷。壁上的薄膜脱落在晶圆上形成的缺陷。壁上的薄膜脱落在晶圆上形成的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器


[0001]本公开涉及存储器制造
，具体而言，涉及一种半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器。

技术介绍

[0002]存储器中通常包括电容器及晶体管，其中，电容器用以存储数据，晶体管用以控制对所述电容器中存储的数据的存取。具体的，在存储器的制造过程中，电容器及晶体管的结构可由多个膜层在晶圆上通过堆叠的方式形成。
[0003]目前，在氮化硅和多晶硅双层薄膜沉积过程中，由于氮化硅薄膜和多晶硅接触面粘附性较差，在通过气相沉积法在反应腔室中进行薄膜沉积的过程中，由于重力作用下黏附在喷头和反应腔体的壁上的薄膜会出现脱落，从而落在晶圆上形成缺陷。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器，通过氮气解离后形成的氮离子对氮化硅层的表面进行处理，减少了氮化硅层表面的氮
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底和反应腔室，所述衬底置于反应腔室中；在所述衬底上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成多晶硅层；其中，在形成所述氮化硅层之后且在形成所述多晶硅层之前，使用解离后的氮气处理所述反应腔室的内表面以及所述氮化硅层的表面，以减少所述氮化硅层表面的氮氢键结。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述使用解离后的氮气处理所述反应腔室的内表面以及所述氮化硅层的表面还包括：使用惰性气体对所述氮气进行轰击以使所述氮气解离。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述惰性气体包括：氩气与氦气中的至少一种。4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述惰性气体与所述氮气的流量比为0.2
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1。5.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述惰性气体的流量为5000sccm
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15000sccm，所述氮气的流量为15000sccm
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25000sccm。6.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，通过等离子体发生装置使所述惰性气体对所述氮气进行轰击，射频功率为400W
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1000W。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成氮化硅层包括：根据硅烷、氨气与氮气通过化学气相沉积工艺形成氮化硅层；其中，所述硅烷与所述氨气的流量比为1.3
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10。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述硅烷的流量为200s...

【专利技术属性】
技术研发人员：张春雷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：