【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
[0001]与相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年4月9日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0043604号韩国专利申请的权益，该专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
[0003]本公开的示例性实施例涉及显示装置及其制造方法，并且更具体地，涉及具有增强的产品可靠性的显示装置及其制造方法。
技术介绍
[0004]近来，显示装置已经被用于各种目的。另外，随着显示装置的厚度和重量已经被减小，它们的应用范围已经被大大拓宽。
[0005]随着显示装置已经被广泛地使用，设计显示装置的形状的各种方法已经被使用，并且链接到显示装置或与显示装置关联的功能的数量已经增加。在形成具有多种功能的显示装置的工艺中，显示装置的半导体层可以通过将非晶硅结晶成多晶硅的激光结晶工艺来形成。然而，在激光结晶工艺期间，结晶的多晶硅的均匀性可能由于不想要的物质或污染物从基板扩散到半导体层中而降低。因此，期望提供具有适当结构的显示装置，使得激光结晶工艺能够
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括主显示区域、包含透射区域的部件区域和设置在所述主显示区域外部的外围区域，所述显示装置进一步包括：第一基板；主像素电路，设置在所述第一基板上以与所述主显示区域相对应，并且包括第一半导体层；主显示元件，设置在所述第一基板上以与所述主显示区域相对应，并且连接到所述主像素电路；辅助像素电路，设置在所述第一基板上以与所述部件区域相对应，并且包括第二半导体层；辅助显示元件，设置在所述第一基板上以与所述部件区域相对应，并且连接到所述辅助像素电路；缓冲层，设置在所述第一基板与所述第一半导体层之间以及所述第一基板与所述第二半导体层之间；和阻挡层，设置在所述第一基板与所述缓冲层之间，包括硅氮化物、氧化铝和氧化锆中的一种材料，并且具有范围从2g/cm3到6g/cm3的密度。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阻挡层直接设置在所述第一基板上。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述阻挡层具有范围从自所述第一基板的顶表面起200埃到600埃的厚度。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述辅助显示元件包括对电极，并且所述对电极具有与所述透射区域相对应的透射孔。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，并且所述阻挡层设置在所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述阻挡层具有范围从自所述第一缓冲层的顶表面起200埃到600埃的厚度。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，并且所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一阻挡层直接设置在所述第一基板上，所述第一缓冲层直接设置在所述第一阻挡层上，所述第二阻挡层直接设置在所述第一缓冲层上，并且所述第二缓冲层直接设置在所述第二阻挡层上。9.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：第二基板，设置在所述第一基板下方；其中，所述第二基板的厚度大于所述第一基板的厚度。10.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括：第一无机层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间；和第二无机层，直接设置在所述第一无机层上。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述阻挡层具有范围从200埃到600埃的厚度，并且直接设置在所述第一基板上。12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，并且所述阻挡层设置在所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间。13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一阻挡层直接设置在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑镕彬，崔相虔，禹荣杰，车明根，郭银珍，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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