晶圆的处理方法技术

本申请公开了一种晶圆的处理方法，通过涂布显影设备实现；所述方法包括：在晶圆的表面涂布光刻胶；将所述晶圆划分为中心区域和边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；进行边缘曝光工艺，以曝光位于所述晶圆的边缘区域的光刻胶；对曝光后的所述光刻胶进行显影。本申请提供的晶圆的处理方法，只通过一台涂布显影设备即可实现对晶圆边缘的光刻胶涂布、曝光和显影，工艺流程简单易操作，提供了工作效率，不需要再使用扫描曝光机或步进光刻机，节省了成本和空间。本和空间。本和空间。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的处理方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种晶圆的处理方法。

技术介绍

[0002]半导体的光刻工艺以光刻胶涂布、曝光、显影的顺序来进行。在涂布显影设备上进行涂布和显影，在扫描曝光机(或步进光刻机)设备上进行曝光,因此光刻工艺需要在涂布显影设备和曝光设备两大设备上进行。现有的PSES工艺是通过涂布显影设备和扫描曝光机(或步进光刻机)设备共同完成的。现有的PSES(Photo Sensitivity Edge Scheme，光敏感边缘方案)工艺流程包括：在涂布显影设备上进行光刻胶涂布，在扫描曝光机设备上进行曝光，在涂布显影设备上进行显影。如图1所示为通过PSES来改善制造电容器沟槽时晶圆边缘工艺的传统方法流程示意图。现有的WEE(Wafer Edge Exposure，晶圆边缘曝光)工艺包括：使晶圆旋转，在晶圆边缘曝光后,去除晶圆边缘光刻胶。目前没有只在涂布显影设备上完成PSES工艺的技术。

技术实现思路

[0003]本申请的目的是提供一种晶圆的处理方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。
[0004]根据本申请实施例的一个方面，提供一种晶圆的处理方法，通过涂布显影设备实现；所述方法包括：
[0005]在晶圆的表面涂布光刻胶；
[0006]将所述晶圆划分为中心区域和边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；
[0007]进行边缘曝光工艺，以曝光位于所述晶圆的边缘区域的光刻胶；
[0008]对曝光后的所述光刻胶进行显影。
[0009]本申请实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0010]本申请实施例提供的晶圆的处理方法，只通过一台涂布显影设备即可实现对晶圆边缘的光刻胶涂布、曝光和显影，工艺流程简单易操作，提供了工作效率，不需要再使用扫描曝光机或步进光刻机，节省了成本和空间。
[0011]本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1为现有技术中通过PSES来改善电容器晶圆边缘工艺的传统方法流程示意图；
[0014]图2示出了本申请的一个实施例的晶圆的处理方法流程图；
[0015]图3示出了本申请的一个实施例的晶圆的边缘区域的示意图；
[0016]图4示出了本申请的一个实施例的通过照射头对晶圆边缘区域进行曝光的示意图；
[0017]图5示出了本申请的一个实施例的直线和固定位置模式的曝光模式示意图；
[0018]图6示出了本申请的一个实施例的进行边缘曝光工艺的示意图；
[0019]图7示出了本申请的一个实施例的曝光边缘的宽度范围示意图；
[0020]图8为图7的顶视图；
[0021]图9示出了本申请的另一实施例的曝光边缘的宽度范围示意图；
[0022]图10为图9的顶视图。
具体实施方式
[0023]以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0024]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0025]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
[0026]如图2所示，本申请的一个实施例提供了一种晶圆的处理方法，通过涂布显影设备实现；该方法包括：
[0027]在晶圆的表面涂布光刻胶。
[0028]在某些实施方式中，在晶圆的表面涂布光刻胶，包括：
[0029]提供一晶圆；将该晶圆载入涂布显影设备中，旋转晶圆并同时在晶圆上涂覆光刻胶，使得晶圆上形成具有预设厚度的光刻胶涂布层。
[0030]将晶圆划分为中心区域和边缘区域，边缘区域包围中心区域。
[0031]在某些实施方式中，将所述晶圆划分为中心区域和边缘区域，包括：基于晶圆的膜层厚度划分出晶圆的边缘区域和中心区域。如图3所示，区域A为边缘区域。
[0032]进行边缘曝光工艺，以曝光位于所述晶圆的边缘区域的光刻胶。
[0033]在某些实施方式中，进行边缘曝光工艺，包括：
[0034]在边缘区域设置用于标记边缘区域的对准标记；
[0035]根据晶圆上的对准标记，将涂布显影设备的圆筒形掩模板对准晶圆的边缘；
[0036]旋转该晶圆；
[0037]将透过该圆筒形掩模板的光投射到该晶圆的边缘。
[0038]对曝光后的光刻胶进行显影。
[0039]在某些实施方式中，对曝光后的光刻胶进行显影，包括：
[0040]调整涂布显影设备喷头位置，使喷头的中心投影落到晶圆的边缘区域内；旋转该晶圆；控制喷头喷洒显影液。
[0041]在某些实施方式中，光刻胶为负性光刻胶。
[0042]在某些实施方式中，对曝光后的所述光刻胶进行显影，包括：采用负显影技术对曝光后的所述光刻胶进行显影。
[0043]在某些实施方式中，该处理方法还包括对中心区域进行曝光和显影的步骤。
[0044]在某些实施方式中，对中心区域进行曝光，包括：采用直线和固定位置模式对中心区域进行曝光。
[0045]例如，如图4所示，晶圆1设置于旋转盘3上，照射头2对准晶圆1的边缘区域。旋转盘3带动晶圆1旋转时，照射头2照射晶圆1的边缘区域。照射头2所照射的区域为图3中所示出的尺寸为4*10μm的掩模部分。在某些实施方式中，晶圆的边缘形状为宽度小于60μm的圆环。
[0046]WEE的工艺模式中，使用直线和固定位置模式(Line本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，通过涂布显影设备实现；所述方法包括：在晶圆的表面涂布光刻胶；将所述晶圆划分为中心区域和边缘区域，所述边缘区域包围所述中心区域；进行边缘曝光工艺，以曝光位于所述晶圆的边缘区域的光刻胶；对曝光后的所述光刻胶进行显影。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶圆的表面涂布光刻胶，包括：提供一晶圆；将所述晶圆载入所述涂布显影设备中，旋转所述晶圆并同时在所述晶圆上涂覆光刻胶，使得所述晶圆上形成具有预设厚度的光刻胶涂布层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行边缘曝光工艺，包括：在所述边缘区域设置用于标记所述边缘区域的对准标记；根据所述晶圆上的对准标记，将所述涂布显影设备的圆筒形掩模板对准所述晶圆的边缘；旋转所述晶圆；将透过所述圆筒形掩模板的光投射到所述晶圆的边缘。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述晶圆划分为中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：张成根，林锺吉，金在植，贺晓彬，丁明正，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：