半导体结构及其制备方法技术

本公开公开了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的介质层；嵌入于所述介质层当中的至少一个凹槽；凹槽中的金属互连线；所述凹槽的内壁具有侧墙。本公开中，在金属互连线周围形成相同序列的氮化物膜层，解决了金属离子在不同膜层界面处容易产生迁移的问题。在不同膜层界面处容易产生迁移的问题。在不同膜层界面处容易产生迁移的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]利用大马士革(Damascene)工艺制备铜互连线的工艺过程中，在铜金属层化学机械抛光(CMP,chemical mechanical polishing)后和在铜金属层上沉积阻挡层(一般为SiCN或SiN)后，铜互连线的下部一般为氧化膜层，铜互连线的上部为氮化物膜层，由于膜层之间的压力差异会造成膜层界面分离。金属铜离子的迁移率较高，因此铜离子很容易从界面分离处扩散，造成铜互连线之间的导通，使得器件失效。在进行铜互连工艺时，如何防止铜离子从界面分离处迁移是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本公开至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本公开提出一种半导体结构及其制备方法，在铜互连线周围形成相同序列的氮化物膜层，解决了铜离子因不同膜层界面分离而产生的迁移问题。
[0004]为了实现上述目的，根据一个或多个实施例，一种半导体的结构包括：
[0005]半导体基底；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的介质层；嵌入于所述介质层当中的至少一个凹槽；凹槽中的金属互连线；所述凹槽的内壁具有侧墙。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基底上具有第一阻挡层，所述第一阻挡层位于所述侧墙下方，并与所述侧墙一起位于所述金属互连线的侧壁。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述侧墙和所述金属互连线的顶部具有第二阻挡层。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层、所述侧墙和所述第二阻挡层的材质相同。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述材质包括氮氧化硅(SiON)、氧化物、碳氮化硅(SiCN)或氮化硅(SiN)。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：围绕金属互连线底部和侧壁的第三阻挡层。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体基体中还包括通孔，所述金属互连线与通孔中的接触塞连接。8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述金属互联线为铜，所述通孔中的接触塞为钨或钴。9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，其中所述半导体基底上沉积有第一介质层；在第一介质层上形成牺牲互连线，在牺牲互连线两侧形成侧墙；刻蚀牺牲互连线从而在侧墙内形成凹槽；在所述凹槽内填充金属形成金属互连线。10.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宗范，李俊杰，周娜，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：