主体材料组合物和有机电致发光器件及电子装置制造方法及图纸

技术编号:30362203 阅读:42 留言:0更新日期:2021-10-16 17:19
本申请属于有机发光材料领域,具体涉及一种主体材料组合物和有机电致发光器件及电子装置。所述主体材料组合物包含第一化合物和第二化合物,所述第一化合物的结构如式1所示,所述第二化合物的结构如式2所示,所述主体材料组合物应用到有机电致发光器件中,能够有效提高有机电致发光器件的性能。高有机电致发光器件的性能。高有机电致发光器件的性能。高有机电致发光器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
主体材料组合物和有机电致发光器件及电子装置


[0001]本申请涉及有机电致发光器件
,具体提供一种主体材料组合物和有机电致发光器件及电子装置。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步,用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极,以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成,且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。
[0003]以有机电致发光器件为例,其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时,两电极产生电场,在电场的作用下,阴极侧的电子向电致发光层移动,阳极侧的空穴也向发光层移动,电子和空穴在电致发光层结合形成激子,激子处于激发态向外释放能量,进而使得电致发光层对外发光。
[0004]目前,有机电致发光器件的使用过程中仍存在性能较差的问题,例如存在驱动电压过高、发光效率过低或者寿命较短等问题,这些都本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种主体材料组合物,包含第一化合物和第二化合物;其中,所述第一化合物的结构如式1所示,所述第二化合物的结构如式2所示:式1中,Ar选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~30的取代或未取代的杂芳基;Het选自碳原子数为2~20的取代或未取代的含氮亚杂芳基,且所述含氮亚杂芳基中至少含有2个N原子;Ar1、Ar2各自独立地选自氢、碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3~20的取代或未取代的杂芳基;R1、R2、R3、R4和R5相同或不同,且各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为3~30的杂芳基;n1表示R1的个数,选自0、1、2、3或4,当n1大于1时,任意两个R1相同或不同,任选地,相邻的两个R1形成环;n2表示R2的个数,选自0、1或2,当n2为2时,两个R2相同或不同,任选地,两个R2形成环;n3表示R3的个数,选自0、1、2、3或4,当n3大于1时,任意两个R3相同或不同,任选地,相邻的两个R3形成环;n4表示R4的个数,选自0、1或2,当n4大于1时,任意两个R4相同或不同;n5表示R5的个数,选自0、1、2、3或4,当n5大于1时,任意两个R5相同或不同,任选地,相邻的两个R5形成环;所述Het、Ar、Ar1、Ar2中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3~15的杂芳基、碳原子数为6~15的芳基、碳原子数为3~12的三烷基硅基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1

10的氘代烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为3~10的环烷基;式2中,Ar3、Ar4各自独立地选自碳原子数为6~30的取代或未取代的芳基、碳原子数为8~25的取代或未取代的杂芳基;Ar3、Ar4中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3~15的杂芳基、碳原子数为6~15的芳基、碳原子数为6~12的氘代芳基、碳原子数为3~7的三烷基硅基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为1~10的卤代烷基、碳原子数为3~10的环烷基;R
a
和R
b
相同或不同,且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1~10的烷基、碳原子数为3~10的环烷基、碳原子数为6~20的芳基、碳原子数为5~15的杂芳基;n
a
表示R
a
的个数,选自0、1、2、3、4、5、6或7,当n
a
大于1时,任意两个R
a
相同或不同,任选地,相邻的两个R
a
形成环;n
b
表示R
b
的个数,选自0、1、2、3、4、5、6或7,当n
b
大于1时,任意两个R
b
相同或不同,任选地,相邻的两个R
b
形成环。
2.根据权利要求1所述的主体材料组合物,其中,所述第一化合物中,Ar选自碳原子数为6~20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5~20的取代或未取代的杂芳基;优选地,Ar中的取代基选自氘、氟、氰基、碳原子数为1~5的烷基、碳原子数为6~12的芳基、碳原子数为5~12的杂芳基、碳原子数为3~6的三烷基硅基、碳原子数为1~5的氘代烷基、碳原子数为1~5的卤代烷基。3.根据权利要求1所述的主体材料组合物,其中,所述第一化合物中,Ar选自取代或未取代的基团V1,未取代的基团V1选自以下基团所组成的组:其中,表示化学键;取代的基团V1中具有一个或多个两个以上取代基,取代的基团V1中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、三氘代甲基、苯基、萘基、联苯基、咔唑基;当取代基的个数大于1时,各取代基相同或不同。4.根据权利要求1所述的主体...

【专利技术属性】
技术研发人员:马天天杨敏南朋
申请(专利权)人:陕西莱特光电材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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