键合垫结构制造技术

提供能够确保充分的制造稳定性并可靠地对垫部及基底层的端部进行保护的键合垫结构。本实用新型专利技术的一个方案是一种键合垫结构，该键合垫结构具备：基底层，其设置于基板；垫部，其与基底层相接地设置；以及绝缘层，其将垫部的一部分覆盖，在从基底层与垫部的层叠方向即第一方向观察时，该键合垫结构具有：引线键合形成区域，其供垫部露出；以及绝缘层覆盖区域，其位于引线键合形成区域的周围且供绝缘层将垫部覆盖。在该键合垫结构中，其特征在于，基底层的外周被绝缘层覆盖，位于引线键合形成区域的垫部具有位于比在绝缘层覆盖区域中将垫部覆盖的绝缘层远离基底层的位置的部分。盖的绝缘层远离基底层的位置的部分。盖的绝缘层远离基底层的位置的部分。

【技术实现步骤摘要】
键合垫结构


[0001]本技术涉及将键合引线连接的键合垫结构。

技术介绍

[0002]从引线键合的可靠性等观点出发，采用基于Au电镀而形成的垫部。另外，从确保与布线(例如AlCu)的接触可靠性的观点出发，使用基于NiCr/Au的溅射(英文：Sputter)而形成的基底层。另一方面，若考虑到在各种环境下的耐受性，则基底层的NiCr是不利的，从而希望避免其在垫部的端部处的露出。
[0003]就半导体装置中的垫结构的保护而言，在专利文献1中公开了如下结构，该结构为了防止由于在引线键合时的线材与周边的保护膜之间的干涉引起的破损，而用绝缘膜将设置成两段的电极的下层覆盖。
[0004]在专利文献2中公开了如下结构，该结构为了在引线键合时防止端子部剥离，而将电极形成为台阶状，并用绝缘膜将台阶部的下段部覆盖。
[0005]在专利文献3中公开了如下结构，该结构为了防止由于在半导体装置的电极的端部附近产生的电场而产生将半导体装置覆盖的树脂保护膜、模制树脂的绝缘破坏的情况，而使垫的电极构成为两段，并仅将第一段的部分用保护膜覆盖。
[0006]在专利文献4中公开了如下结构，该结构为了以低成本的方式容易且可靠地使金属电极图案化，而在垫的台阶形成保护膜。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开平7
‑
094548号公报
[0010]专利文献2：日本特开2005
‑
223159号公报
[0011]专利文献3：日本特开2013
‑
239607号公报
[0012]专利文献4：日本特开2006
‑
186304号公报

技术实现思路

[0013]技术要解决的课题
[0014]在键合垫结构中，在用绝缘层将与基底层相接地设置的垫部的周围覆盖的情况下，覆盖的区域的面积越大则越能够可靠地保护垫部及基底层的端部。另一方面，若由绝缘层覆盖的区域的面积过大，则绝缘层会上延至垫部的台阶，由此使得覆盖范围劣化，从而损害制造稳定性。
[0015]本技术是鉴于这样的实际情况完成的，其目的在于提供能够确保充分的制造稳定性并可靠地对垫部及基底层的端部进行保护的键合垫结构。
[0016]用于解决课题的方案
[0017]本技术的一个方案是一种键合垫结构，该键合垫结构具备：基底层，其设置于基板；垫部，其与基底层相接地设设置；以及绝缘层，其将垫部的一部分覆盖，且在从作为基
底层与垫部的层叠方向的第一方向观察时，该键合垫结构具有：引线键合形成区域，其供垫部露出；以及绝缘层覆盖区域，其位于引线键合形成区域的周围且供绝缘层将垫部覆盖。在该键合垫结构中，其特征在于，基底层的外周被绝缘层覆盖，位于引线键合形成区域的垫部具有位于比在绝缘层覆盖区域中将垫部覆盖的绝缘层远离基底层的位置的部分。
[0018]根据这样的结构，由于基底层的外周被绝缘层覆盖，因此能够可靠地保护基底层的端部。另外，由于位于引线键合形成区域的垫部具有位于比在绝缘层覆盖区域中将垫部覆盖的绝缘层远离基底层的位置的部分，因此抑制了键合引线与绝缘层的干涉。另外，由于由绝缘层覆盖的台阶比引线键合形成区域低，因此能够提高绝缘层的覆盖范围。
[0019]在上述键合垫结构的基础上，优选的是，垫部具有第一方向的层叠结构，且构成层叠结构的构件由相同的金属材料构成。另外，优选的是，垫部由贵金属材料构成。由此，确保了引线键合形成区域的足够的厚度。
[0020]在上述键合垫结构的基础上，优选的是，位于引线键合形成区域的垫部具有越接近绝缘层覆盖区域则厚度越小的锥形结构。根据这样的锥形结构，容易使键合引线承接于引线键合形成区域的上表面或侧面，而能够降低与绝缘层重叠的可能性。
[0021]在上述键合垫结构的基础上，也可以是，绝缘层覆盖区域具有布线部，该布线部在从第一方向观察时比绝缘层覆盖区域中的其他部分远离引线键合形成区域。由此，能够用绝缘层从垫部的周边连续地覆盖到布线部为止。
[0022]在上述键合垫结构的基础上，优选的是，在绝缘层覆盖区域，基底层与垫部的层叠结构具有越靠近外周端则厚度越小的锥形结构。若在基底部与垫部的层叠结构的外周端设置这样的锥形结构，则能够提高绝缘层在形成时的覆盖范围。
[0023]技术效果
[0024]根据本技术，可以提供能够确保充分的制造稳定性并可靠地对垫部及基底层的端部进行保护的键合垫结构。
附图说明
[0025]图1是例示应用本实施方式的键合垫结构的半导体装置的立体图。
[0026]图2是例示本实施方式的键合垫结构的示意剖视图。
[0027]图3是例示参考例的键合垫结构的示意剖视图。
[0028]图4是例示本实施方式的其他键合垫结构的示意剖视图。
[0029]图5的(a)及(b)是例示垫部的俯视图。
[0030]图6的(a)及(b)是垫部的放大俯视图。
[0031]图7是图6的(a)所示的A
‑
A剖视图。
[0032]附图标记说明：
[0033]1、1B、1Z
…
键合垫结构；10、10Z
…
垫部；10a
…
电镀基底层；10b
…
电镀层；11
…
引线键合形成区域；12
…
绝缘层覆盖区域；20
…
基底层；30
…
绝缘层；30a
…
端部；40
…
绝缘层；50
…
基板；60
…
布线图案；61
…
AlCu布线层；62
…
离子注入布线层；100
…
半导体装置；101
…
侧面；102
…
上表面；110
…
传感器部；111
…
位移部；112
…
压阻元件；121
…
布线部；201
…
端面；F
…
缺陷(间隙)；P1
…
第一部分；P2
…
第二部分；T1、T2
…
锥形结构；d
…
间隙。
具体实施方式
[0034]以下，参照附图对本技术的实施方式进行详细说明。需要说明的是，在以下的说明中，对相同的构件标注相同的符号，对说明过一次的构件适当省略其说明。
[0035](键合垫结构的构成)
[0036]图1是例示应用本实施方式的键合垫结构的半导体装置的立体图。
[0037]图2是例示本实施方式的键合垫结构的示意剖视图。
[0038]在图1中，示出了压力传感器的传感器部110以作为半导体装置100的一例。压力传感器的传感器部110取得与来自外部的压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种键合垫结构，其具备：基底层，其设置于基板；垫部，其与所述基底层相接地设置；以及绝缘层，其将所述垫部的一部分覆盖，且在从作为所述基底层与所述垫部的层叠方向的第一方向观察时，该键合垫结构具有：引线键合形成区域，其供所述垫部露出；以及绝缘层覆盖区域，其位于所述引线键合形成区域的周围且供所述绝缘层将所述垫部覆盖，其特征在于，所述基底层的外周被所述绝缘层覆盖，位于所述引线键合形成区域的所述垫部具有位于比在所述绝缘层覆盖区域中将所述垫部覆盖的所述绝缘层远离所述基底层的位置的部分。2.根据权利要求1所述的键合垫结构，其特征在于，所述垫部具有所述第一方向的层叠结构，构成所述层...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢泽久幸，小野寺浩，石曾根昌彦，
申请(专利权)人：阿尔卑斯阿尔派株式会社，
类型：新型
国别省市：