灯源驱动电路制造技术

本发明专利技术提供一种灯源驱动电路，用以驱动灯源，灯源驱动电路包括：低电压保护电路；控制电路，耦接低电压保护电路；以及驱动晶体管，耦接至控制电路，受控于控制电路以驱动灯源，其中，低电压保护电路侦测操作电压，当操作电压低于门坎门限值，低电压保护电路输出致能信号，控制电路接收致能信号使得控制电路关闭，并关闭驱动晶体管。本发明专利技术的灯源驱动电路中的低电压保护电路能够侦测操作电压，当操作电压低于门限值时，低电压保护电路输出致能信号，控制电路接收致能信号使得控制电路关闭，并关闭驱动晶体管，从而防止驱动晶体管被烧毁。从而防止驱动晶体管被烧毁。从而防止驱动晶体管被烧毁。

【技术实现步骤摘要】
灯源驱动电路


[0001]本专利技术涉及电学领域，尤其是涉及一种灯源驱动电路。

技术介绍

[0002]激光/LED(发光二极管)投影机在市场上占有重要角色。激光/LED(发光二极管)投影机中，灯源驱动电路(如LED驱动电路)通常都是低电压驱动。所以，其内部驱动晶体管的电压范围较低。
[0003]然而，当投影机逐渐提高其亮度时，灯源驱动电路必须驱动高电压灯源，所以，驱动电路的内部驱动晶体管就必须挑选高耐压组件，以确保晶体管可以稳定地工作，避免组件烧毁。
[0004]但是，现有的灯源驱动电路仍然是低压设计，因此可能会出现灯源驱动电路的低输出电压不足以驱动高电压晶体管的风险，导致高电压晶体管的烧毁。

技术实现思路

[0005]鉴于现有技术中的问题，本专利技术的目的在于提供一种灯源驱动电路，能够防止灯源驱动电路中的高压晶体管被烧毁。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术提出一种灯源驱动电路，用以驱动灯源，该灯源驱动电路包括：低电压保护电路；控制电路，耦接该低电压保护电路；以及驱动晶体管，耦接至该控制电路，受控于该控制电路以驱动该灯源，其中，该低电压保护电路侦测操作电压，当操作电压低于门限值，该低电压保护电路输出致能信号，该控制电路接收该致能信号使得该控制电路关闭，并关闭该驱动晶体管。
[0007]作为可选的方案，如果该低电压保护电路侦测到该操作电压高于该门限值，则该低电压保护电路将该致能信号拉高，以使得控制电路正常操作且正常驱动该驱动晶体管。
[0008]作为可选的方案，该低电压保护电路包括：萧特基二极管，分压电路，耦接至该萧特基二极管；第一BJT晶体管，耦接至该萧特基二极管；第二BJT晶体管，耦接至该第一BJT晶体管；其中，该萧特基二极管通过该分压电路耦接至该操作电压；当该操作电压高于该门限值时，该萧特基二极管导通，该分压电路的分压电压使得该第一BJT晶体管为导通，且该第二BJT晶体管为不导通，使得该致能信号为逻辑高，响应于该致能信号为逻辑高，该控制电路为正常操作。
[0009]作为可选的方案，当该操作电压低于该门限值时，该分压电路的该分压电压使得该第一BJT晶体管为不导通，且该第二BJT晶体管为导通，使得该致能信号被拉低为逻辑低，响应于该致能信号为逻辑低，该控制电路被关闭，以关闭该驱动晶体管。
[0010]作为可选的方案，该低电压保护电路包括：硅控整流器，分压电路，耦接至该硅控整流器与该操作电压；以及第三BJT晶体管，耦接至该硅控整流器，其中，当该操作电压高于该门限值时，该分压电路的分压电压使得该硅控整流器为导通，且将该第三BJT晶体管为不导通，该致能信号为逻辑高，响应于该致能信号为逻辑高，该控制电路为正常操作。
[0011]作为可选的方案，当该操作电压低于该门限值时，该分压电路的该分压电压使得该硅控整流器为不导通，且使得该第三BJT晶体管为导通，该致能信号为逻辑低，使得该控制电路被关闭，且关闭该驱动晶体管。
[0012]作为可选的方案，该低电压保护电路包括：比较器，耦接至该操作电压；分压电路，耦接至该比较器与参考电压；以及第四BJT晶体管，耦接至该比较器，其中，当该操作电压高于该门限值时，该比较器比较该操作电压与该分压电路的分压电压并输出一比较器输出信号，使得该第四BJT晶体管为不导通，该致能信号为逻辑高，使得该控制电路为正常操作。
[0013]作为可选的方案，当该操作电压低于该门限值时，该比较器比较该操作电压与该分压电路的该分压电压以输出该比较器输出信号，使得该第四BJT晶体管为导通，该致能信号为逻辑低，使得该控制电路被关闭，以关闭该驱动晶体管。
[0014]作为可选的方案，该控制电路接收PWM讯号控制该驱动晶体管开启或关闭，对应该灯源开启或关闭。
[0015]作为可选的方案，该操作电压驱动该控制电路且该控制电路提供控制电压给该驱动晶体管，该控制电压正相关于该操作电压。
[0016]作为可选的方案，当该驱动晶体管关闭时，该灯源为开路。
[0017]与现有技术相比，本专利技术的灯源驱动电路中的低电压保护电路能够侦测操作电压，当操作电压低于门限值时，低电压保护电路输出致能信号，控制电路接收该致能信号使得控制电路关闭，并关闭驱动晶体管，从而防止驱动晶体管被烧毁。
[0018]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0019]图1为本专利技术的灯源驱动电路一实施例的功能方块图；
[0020]图2至图4为本专利技术的低电压保护电路多个实施例的电路原理图。
具体实施方式
[0021]为使对本专利技术的目的、构造、特征及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。
[0022]请参照图1，图1为本专利技术的灯源驱动电路一实施例的功能方块图。如图1所示，根据本案实施例的灯源驱动电路100可驱动灯源140(可驱动灯源140例如但不受限于包括多个串联连接的LED)。灯源驱动电路100包括：电压产生器110，低电压保护电路120，控制电路130，电容C1、C2、C3，萧特基二极管Z1，驱动晶体管T1，电感L与电阻R0。
[0023]电压产生器110可以是AC/DC变压器(AC/DCconverter)，用以产生操作电压VCC与灯源驱动电压VLED，具体来说，电压产生器110的第一输出端输出操作电压VCC，电压产生器110的第二输出端输出灯源驱动电压VLED。灯源驱动电压VLED用以驱动灯源140(即电压产生器110的第二输出端与灯源140电性连接以给灯源140提供灯源驱动电压VLED)。操作电压VCC用以当成控制电路130的操作电压(即电压产生器110的第一输出端与控制电路130电性连接以给控制电路130提供操作电压VCC)。低电压保护电路120与电压产生器110的第一输出端电性连接以接入操作电压VCC，低电压保护电路120用以侦测电压产生器110所产生的操作电压VCC是否低于门限值。如果操作电压VCC低于门限值，则低电压保护电路120将致能
信号IC_EN拉低，以使得控制电路130被关闭，来保护驱动晶体管T1，避免被烧毁。另一方面，如果操作电压VCC高于门限值，则低电压保护电路120将致能信号IC_EN拉高，以使得控制电路130能正常操作。换句话说，低电压保护电路120与控制电路130电性连接，并根据操作电压VCC与门限值的大小关系输出致能信号IC_EN至控制电路130，控制电路130与驱动晶体管T1的控制端(即驱动晶体管T1的基极)电性连接，控制电路130根据致能信号IC_EN控制驱动晶体管T1导通或断开。
[0024]当控制电路130正常操作时，控制电路130接收由电压产生器110所产生的操作电压VCC。控制电路130可产生PWM信号来驱动该驱动晶体管T1导通(即开启)，作能量储能转换及电流控制，以使得灯源140发光。亦即，控制电路130还可以提供控制电压CV(CV为PWM信号电压的振幅)给驱动晶体管T1，控制电压CV的值可以正相关于操作电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灯源驱动电路，用以驱动灯源，其特征在于，该灯源驱动电路包括：低电压保护电路；控制电路，耦接该低电压保护电路；以及驱动晶体管，耦接至该控制电路，受控于该控制电路以驱动该灯源，其中，该低电压保护电路侦测操作电压，当操作电压低于门限值，该低电压保护电路输出致能信号，该控制电路接收该致能信号使得该控制电路关闭，并关闭该驱动晶体管。2.如权利要求1所述的灯源驱动电路，其特征在于，如果该低电压保护电路侦测到该操作电压高于该门限值，则该低电压保护电路将该致能信号拉高，以使得控制电路正常操作且正常驱动该驱动晶体管。3.如权利要求1所述的灯源驱动电路，其特征在于，该低电压保护电路包括：萧特基二极管，分压电路，耦接至该萧特基二极管；第一BJT晶体管，耦接至该萧特基二极管；第二BJT晶体管，耦接至该第一BJT晶体管；其中，该萧特基二极管通过该分压电路耦接至该操作电压；当该操作电压高于该门限值时，该萧特基二极管导通，该分压电路的分压电压使得该第一BJT晶体管为导通，且该第二BJT晶体管为不导通，使得该致能信号为逻辑高，响应于该致能信号为逻辑高，该控制电路为正常操作。4.如权利要求3所述的灯源驱动电路，其特征在于，当该操作电压低于该门限值时，该分压电路的该分压电压使得该第一BJT晶体管为不导通，且该第二BJT晶体管为导通，使得该致能信号被拉低为逻辑低，响应于该致能信号为逻辑低，该控制电路被关闭，以关闭该驱动晶体管。5.如权利要求1所述的灯源驱动电路，其特征在于，该低电压保护电路包括：硅控整流器，分压电路，耦接至该硅控整流器与该操作电压；以及第三BJT晶体管，耦接至该硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志祥，
申请(专利权)人：佳世达科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：