一种基于无源环结构的非对称单刀双掷开关制造技术

本发明专利技术公开了一种基于无源环结构的非对称单刀双掷开关，包括包括天线端口ANT、发射支路Tx和接收支路Rx，所述天线端口ANT分别连接至接收支路Rx的四分之一波长微带传输线TL和发射支路Tx的无源环结构，所述无源环结构由四个四分之一波长微带传输线TL首尾相连组成的环形结构。该非对称单刀双掷开关解决了目前采用Bi

【技术实现步骤摘要】
一种基于无源环结构的非对称单刀双掷开关


[0001]本专利技术属于射频
,具体涉及一种基于无源环结构的非对称单刀双掷开关。

技术介绍

[0002]单刀双掷开关是时分复用系统中最不可或缺的构建块，它可以为TX和RX共享单个天线。高性能单刀双掷开关的设计是一项复杂的任务，涉及插入损耗(IL)、隔离度(ISO)、1dB压缩点(P1dB)和成本之间的多个权衡。传统上，高性能单刀双掷开关采用三五族化合物技术设计，例如砷化镓(GaAs)。然而，相对较高的制造成本和有限的集成能力令人担忧。
[0003]为解决这些问题，近两年来已经做出了巨大的努力。几十年的基于硅的开关设计，从sub
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GHz一直到sub
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THz。对于工作频率低于60GHz的开关设计，SOI和Bi
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CMOS技术是最受欢迎的技术，因为它们的批量生产制造成本相对较低。但当工作频率提高到60GHz以上时，基于硅的单刀双掷开关设计仍然存在一些问题，尤其是基于Bi
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CMOS的设计。关键问题之一是在1dB压缩点(P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于无源环结构的非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括天线端口ANT、发射支路Tx和接收支路Rx，所述天线端口ANT分别连接至接收支路Rx的四分之一波长微带传输线TL和发射支路Tx的无源环结构，所述无源环结构由四个四分之一波长微带传输线TL首尾相连组成的环形结构。2.按照权利要求1所述的非对称单刀双掷开关，其特征在于，所述接收支路Rx中四分之一波长微带传输线TL另一端连着至电感L1及一第一晶体管的漏极，电感L1的另一端连接至Rx端口以及一第二晶体管的漏极，所述第一晶体管与所述第二晶体管的栅极均连有电阻以及电压VCTRL。3.按照权利要求1所述的非对称单刀双掷开关，其特征在于，所述发射支路Tx的无源环结...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈力生，
申请(专利权)人：陈力生，
类型：发明
国别省市：