三电平半导体开关管门极驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种三电平半导体开关管门极驱动电路，包括4个MOS管，分别称为M1、M2、M3、M4，M1与M2的漏极相连，M1与M2的栅极相连，M1和M2的源极共同连接有PWM信号A；M3与M4的漏极相连，M3与M4的栅极相连，M3和M4的源极共同连接有PWM信号B；M1和M2的漏极共同通过电容C与M3的源极连接；Vcc的负极与Vee的正极相连并且接地，Vcc的正极与M1的源极连接，Vcc的正极通过二极管D与M3的源极及电容C连接；M3和M4的漏极共同输出驱动电路的输出信号。本发明专利技术的驱动电路结构所需的器件更少，成本更低，有效减小系统的开关损耗。统的开关损耗。统的开关损耗。

【技术实现步骤摘要】
三电平半导体开关管门极驱动电路


[0001]本专利技术属于电力电子
，涉及一种三电平半导体开关管门极驱动电路。

技术介绍

[0002]近几年快速发展的宽禁带半导体包括SiC
‑
MOSFET与GaN
‑
HEMT等，具有高开关速度、低开关损耗、热稳定性好，热导率高等优势，已广泛应用于航空电源、新能源汽车变换器射频与微波等领域，为实现高功率密度、高效率的电力电子设备提供了条件。
[0003]为进一步提升宽禁带器件如SiC
‑
MOSFET开关的频率、效率和功率密度，重点是降低在高频工况下开关损耗，然而多个SiC
‑
MOSFET并联或者SiC
‑
MOSFET/Si
‑
IGBT混合并联应用时，现有的驱动电路不能提供足够的瞬时电流，使得开关损耗增加，成为降低开关损耗的主要瓶颈，亟需克服。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种三电平半导体开关管门极驱动电路，解决了现有技术中在多个SiCr/>‑
M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三电平半导体开关管门极驱动电路，其特征在于：包括4个MOS管，分别称为M1、M2、M3、M4，其中的M2和M4为低压N沟道MOSFET，M1和M3为低压P沟道MOSFET；M1的漏极与M2的漏极相连，M1的栅极与M2的栅极相连，M1的源极和M2的源极共同连接有PWM信号A；M3的漏极与M4的漏极相连，M3的栅极与M4的栅极相连，M3的源极和M4的源极共同连接有PWM信号B；M1的漏极和M2的漏极共同通过电容C与M3的源极连接；Vcc的负极与Vee的正极相连并且接地，Vcc的正极与M1的源极连接，Vcc的正极通过二极管D与M3的源极及电容C连接；M3的漏极和M4的漏极共同输出驱动电路的输出信号。2.根据权利要求1所述的三电平半导体开...

【专利技术属性】
技术研发人员：付永升，马峥嵘，任海鹏，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：