同步整流控制电路以及控制方法和反激式电压变换系统技术方案

本发明专利技术提出了一种同步整流控制电路以及控制方法和反激式电压变换系统，同步整流控制电路用于产生驱动信号以控制同步整流管，同步整流控制电路包括开通检测电路，开通检测电路包括斜率检测电路和阈值配置电路。斜率检测电路接收表征同步整流管两端压差的检测信号，斜率检测电路根据检测信号获得表征检测信号下降斜率的斜率表征信号。阈值配置电路的输入端接收驱动信号，阈值配置电路根据驱动信号选择阈值参考信号之一生成阈值信号。开通检测电路用于比较斜率表征信号和阈值信号并生成比较结果信号。本发明专利技术公开的一种同步整流控制电路以及控制方法和反激式电压变换系统，可自适应产生阈值信号以保证同步整流管正常开通，提高了系统的效率和可靠性。了系统的效率和可靠性。了系统的效率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
同步整流控制电路以及控制方法和反激式电压变换系统


[0001]本专利技术属于电力电子
，涉及一种电压变换技术，特别涉及一种同步整流控制电路以及控制方法和反激式电压变换系统。

技术介绍

[0002]同步整流技术是一项通常采用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称金氧半场效晶体管、MOSFET或MOS管)作为同步整流管SR来取代整流二极管以降低整流损耗的技术，目前它在工业电源、消费类电子等领域都已经得到广泛的应用。图1为采用同步整流管SR做副边整流的反激式电压变换系统的电路结构示意图。采用通态电阻极低的同步整流管SR替换常规的整流二极管，可有效降低整流损耗。
[0003]作为同步整流管SR的MOSFET的控制通常采用电压控制，通过实时检测MOSFET获得Vds电压(即同步整流管两端压差)，将Vds电压与预先设定的开通阈值Vth_on进行比较来控制MOSFET的开关状态，如图2所示。具体地，当检测到Vds电压小于开通阈值Vth_on时，认为同本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同步整流控制电路，用于产生驱动信号以控制同步整流管的开关状态，其特征在于，所述同步整流控制电路包括开通检测电路，所述开通检测电路包括：斜率检测电路，其输入端接收表征同步整流管两端压差的检测信号，用以根据所述检测信号获得表征检测信号下降斜率的斜率表征信号；以及阈值配置电路，其输入端接收所述驱动信号，用以根据所述驱动信号选择阈值参考信号之一生成阈值信号，所述阈值参考信号至少包括第一阈值参考信号和第二阈值参考信号；其中，所述开通检测电路用于比较所述斜率表征信号和阈值信号并生成比较结果信号，以控制同步整流管的开关状态。2.如权利要求1所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述阈值配置电路包括计时电路，所述计时电路的输入端接收驱动信号；所述计时电路用以根据驱动信号进行计时以获得计时时间，所述阈值配置电路根据计时时间生成阈值信号。3.如权利要求1所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述斜率检测电路获取设定时间内所述检测信号的电压变化量，以表征所述电压变化量的信号作为斜率表征信号。4.如权利要求1所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述斜率检测电路获取所述检测信号变化设定电压值所需的时间间隔量，以表征所述时间间隔量的信号作为斜率表征信号。5.如权利要求2所述的同步整流控制电路，其特征在于，当计时时间小于预设时间时，所述阈值配置电路生成的阈值信号为第一阈值参考信号；当计时时间达到预设时间时，所述阈值配置电路生成的阈值信号为第二阈值参考信号。6.如权利要求2所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述阈值配置电路包括：第一阈值产生电路，其输出端耦接第一开关的第一端，用于产生第一阈值参考信号；第二阈值产生电路，其输出端耦接第二开关的第一端，用于产生第二阈值参考信号；第一开关，其第二端耦接所述阈值配置电路的输出端；第二开关，其第二端耦接所述阈值配置电路的输出端；以及计时电路，其输入端接收所述驱动信号，其输出端分别耦接第一开关的控制端和第二开关的控制端；其中，所述计时电路与第一开关之间耦接有反相器，或者所述计时电路与第二开关之间耦接有反相器。7.如权利要求2所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述计时电路在驱动信号的下降沿处开始计时，以及在驱动信号的上升沿处结束计时并且对计时进行复位。8.如权利要求5所述的同步整流控制电路，其特征在于，所述阈值信号为时间阈值，第一阈值参考信号小于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾强，文鹏，傅钰泰，
申请(专利权)人：深圳市必易微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：