一种掺氟二氧化锡薄膜的超声喷雾热分解制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体薄膜的制备方法，具体涉及一种掺氟二氧化锡薄膜的超声喷雾热分解制备方法，用于解决现有利用超声喷雾热分解法制备的掺氟二氧化锡薄膜存在薄膜光电性能较差的不足之处。该掺氟二氧化锡薄膜的超声喷雾热分解制备方法包括步骤有：预处理、溶液配制、沉积薄膜、应力去除。本发明专利技术制备的薄膜在可见光范围内平均透过率达到80％以上，具有良好的光学性能，并且方块电阻最好可达25Ω/口，具有接近金属的良好导电性能，此外，薄膜附着力良好，具有很好的化学和热稳定性。具有很好的化学和热稳定性。具有很好的化学和热稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种掺氟二氧化锡薄膜的超声喷雾热分解制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体薄膜的制备方法，具体涉及一种掺氟二氧化锡薄膜的超声喷雾热分解制备方法。

技术介绍

[0002]二氧化锡(SnO2)薄膜是可以通过掺杂成为具有导电能力的透明导电薄膜，其具有很好的气敏性、可见光透过性、紫外线的吸收和红外线的反射能力，在掺杂后又具有良好的导电能力，现有二氧化锡薄膜的研究中，掺锑二氧化锡薄膜和掺氟二氧化锡薄膜具有较为优异的光学和电学性能，被广泛应用于大规模集成电路，光刻基板、光盘基板、太阳能电池盖板等领域。
[0003]掺氟二氧化锡薄膜仍然保持非掺杂二氧化锡薄膜的金红石结构，氟原子以替位原子的形式占据氧原子的位置，掺氟SnO2薄膜比其他掺杂剂掺杂的二氧化锡薄膜具有更高的电导率、光透过率和红外反射率；掺氟二氧化锡薄膜的制备方式主要是以旋涂法、浸渍提拉法、磁控溅射法、超声喷雾热分解法、化学气相沉积、溶胶
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凝胶法为主，掺氟二氧化锡薄膜的氟源主要是NH4F，但不同的制备方法会导致薄膜性能有所差异。
[0004]其中，超声喷雾热分解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺氟二氧化锡薄膜的超声喷雾热分解制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：预处理对基底零件进行超声波清洗并烘干；步骤2：溶液配制(2.1)将1～2.4重量份二水氯化亚锡溶于1体积份浓盐酸，使溶液敞口置于85～95℃水浴环境中，使用磁力搅拌机加热10～12min；取出溶液放入室温环境中，待其降至室温后，将甲醇倒入溶液将其稀释至5体积份，形成溶液A；所述重量份的单位为g，所述体积份的单位为ml；(2.2)取氟化氨溶于蒸馏水，其质量分数为步骤(2.1)中二水氯化亚锡的20wt％，搅拌均匀至全部溶解，形成5体积份溶液B；(2.3)将溶液B缓慢倒入溶液A中，搅拌均匀后，形成10体积份最终溶液，然后将配置好的最终溶液密封保存；步骤3：沉积薄膜(3.1)将超声喷雾热分解法所需的雾化瓶、喷嘴依次使用去离子水和无水乙醇，通过超声波清洗设备清洗干净并烘干，然后将步骤(2.3)配置好的最终溶液加入雾化瓶内；(3.2)将步骤1中清洗干净的基底零件放入加热设备中，升温至400～420℃，保温不少于30min；(3.3)将基底零件快速取出后开始进行薄膜喷涂，将喷嘴对准基底零件，打开开关，出雾并沉积4
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6秒钟后，停止出雾；(3.4)将基底零件快速放回加热设备中，在加热设备内400～420℃环境中保温4～6min；(3.5)重复执行步骤(3.3)～(3.4)，直至薄膜达到设定厚度；步骤4：应力去除继续将基底零件置于加热设备400～420℃环境中，保温不少于30min，然后等基底零件自然降至室温后取出。2.根据权利要求1所述的一种掺氟二氧化锡薄膜的超声喷雾热分解制备方法，其特征在于：所述步骤1具体包括以下步骤：(1.1)使用去油剂和毛刷清洗基底零件的内外表面，然后使用去离子水冲洗干净；(1.2)将基底零件完全浸入...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘哲，李林森，盛立志，强鹏飞，周晓红，赵宝升，
申请(专利权)人：中国科学院西安光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：