一种双层闭合镂空螺旋线圈结构及PH读取器制造技术

技术编号:30267579 阅读:25 留言:0更新日期:2021-10-09 21:19
本实用新型专利技术公开了一种双层闭合镂空螺旋线圈结构及PH读取器,涉及探测器线圈技术领域,解决现有探测器线圈分布电容大、等效电感量小、高频介质损耗大的技术问题。该结构的盘架主体包括上层盘架主体和下层盘架主体,上层盘架主体、下层盘架主体上下结合形成双层结构;上层盘架主体设有多个第一卡线槽,下层盘架主体设有多个第二卡线槽,第一卡线槽与第二卡线槽之间设置有贯通的线槽通道;多个第一卡线槽之间设有第一镂空结构、多个第二卡线槽之间设有第二镂空结构,本实用新型专利技术还公开了一种PH读取器。本实用新型专利技术涉及的双层闭合镂空螺旋线圈结构能够有效增加提高单位面积电感量,降低分布电容,同时降低高频介质损耗,安全性高。安全性高。安全性高。

【技术实现步骤摘要】
一种双层闭合镂空螺旋线圈结构及PH读取器


[0001]本技术涉及探测器线圈
,尤其涉及一种双层闭合镂空螺旋线圈结构及PH读取器。

技术介绍

[0002]据专业市场保守预估,线圈不考虑应用层面其市场规模每年可达一亿美元以上,若包含应用层面,市场规模更大。在生产生活中,线圈较为广泛的应用于探测器领域中。
[0003]现有的探测器线圈存在两方面的问题:一方面是线圈之间的隔离度较低,存在较大的分布电容,不但会大幅降低线圈电感量,而且还会出现因线圈碰檫而造成线圈之间匝线短路的情况;另一方面,电介质在交变电场作用下转换成热能的能量,这些热量会使电介质升温并可能引起热击穿,因此,在线圈中当绝缘材料用于高电场强度或高频的探测器线圈时,往往不可避免会出现高频介质损耗。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种双层闭合镂空螺旋线圈结构及PH读取器,以解决现有探测器线圈存在的线圈电感量小、分布电容大、高频介质损耗大的技术问题。本技术提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
[0005]为实现上述目的,本技术提供了以下技术方案:
[0006]本技术提供的一种双层闭合镂空螺旋线圈结构,用于将所述线圈绕制在盘架柱体上,所述盘架主体包括上层盘架主体和下层盘架主体,所述上层盘架主体、下层盘架主体上下结合形成双层结构;所述上层盘架主体设有多个第一卡线槽、所述下层盘架主体设有多个第二卡线槽,所述第一卡线槽与所述第二卡线槽之间设有上下贯通的线槽通道;多个所述第一卡线槽之间设有第一镂空结构、多个所述第二卡线槽之间设有第二镂空结构。
[0007]优选的,所述上层盘架主体、下层盘架主体均为圆环状结构。
[0008]优选的,所述第一卡线槽、第二卡线槽均为连续螺旋状结构。
[0009]优选的,所述线槽通道设置在所述第一卡线槽的最外圈与所述第二卡线槽的最外圈之间以及所述第一卡线槽的最内圈与所述第二卡线槽的最内圈之间。
[0010]优选的,所述线槽通道包括上线槽入口、上线槽出口、下线槽入口以及下线槽出口;所述上线槽入口、上线槽出口分别设置在所述第一卡线槽的最内圈、所述第一卡线槽的最外圈;所述下线槽入口、下线槽出口分别设置在所述第二卡线槽的最内圈、所述第二卡线槽的最外圈;所述线圈一端从所述下线槽入口进入所述第二卡线槽,在所述第二卡线槽内由内而外绕至所述下线槽出口,所述线圈另一端从所述上线槽入口进入所述第一卡线槽,在所述第一卡线槽内由内而外绕至所述上线槽出口,并形成双层闭合螺旋疏绕结构。
[0011]优选的,所述线圈包括上层线圈和下层线圈;所述上层线圈通过所述第一卡线槽绕制在所述上层盘架主体上;所述下层线圈通过所述第二卡线槽绕制在所述下层盘架主体上。
[0012]优选的,所述上层盘架主体底部设有胶料,所述胶料用于对所述第一卡线槽内的所述线圈与所述第二卡线槽内的所述线圈进行隔离。
[0013]优选的,所述上层盘架主体与所述下层盘架主体通过热压、卡扣或超声焊固定连接。
[0014]优选的,多个所述第一卡线槽与所述上层盘架主体为一体结构、卡扣、超声焊或螺钉固定连接;多个所述第二卡线槽与所述下层盘架主体为一体结构、卡扣、超声焊或螺钉固定连接。
[0015]本技术提供的一种PH读取器,包括上述的双层闭合镂空螺旋线圈结构,以及与所述盘架主体固定连接的壳体;所述壳体包括上壳体、以及与所述上壳体卡扣和/或螺钉连接的下壳体;所述上壳体设有显示屏,以及与所述显示屏、线圈均电性连接的按键;所述盘架主体通过卡扣或螺钉固定在所述壳体内部。
[0016]实施本技术上述技术方案中的一个技术方案,具有如下优点或有益效果:
[0017]采用本技术的结构,可使线圈在盘架主体内形成双层闭合螺旋疏绕结构,由于线圈嵌入在卡线槽中,相邻线圈被卡线槽侧壁所隔开,上层线圈与下层线圈被卡线槽壁厚所隔开,所以能够保证相邻线圈完全被隔离,有效提高线圈之间的间隔度,而且线槽之间处于镂空状态,有效降低分布电容与高频介质损耗。因此本技术涉及的双层闭合镂空螺旋线圈结构能够有效增加提高单位面积电感量,同时降低分布电容和高频介质损耗,安全性高。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,附图中:
[0019]图1是本技术一种双层闭合镂空螺旋线圈结构的立体图;
[0020]图2是本技术一种双层闭合镂空螺旋线圈结构的上层盘架主体正面图;
[0021]图3是本技术一种双层闭合镂空螺旋线圈结构的下层盘架主体正面图;
[0022]图4是本技术一种双层闭合镂空螺旋线圈结构的线圈结构示意图;
[0023]图5是本技术一种PH读取器的整体结构示意图;
[0024]图6是本技术一种PH读取器的拆分结构示意图;
[0025]图7是本技术一种PH读取器的壳体结构示意图。
[0026]图中:1、盘架主体;10、上层盘架主体;100、第一卡线槽;101、第一镂空结构;102、上线槽入口;103、上线槽出口;11、下层盘架主体;110、第二卡线槽;111、第二镂空结构;112、下线槽入口;113、下线槽出口;2、线圈;20、上层线圈;21、下层线圈;3、壳体;30、上壳体;300、显示屏;301、按键;302、第一连接部;303、第一把手部;31、下壳体;310、第二连接部;311、第二把手部。
具体实施方式
[0027]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下文将要描述的各种
示例性实施例将要参考相应的附图,这些附图构成了示例性实施例的一部分,其中描述了实现本技术可能采用的各种示例性实施例。除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。应明白,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术公开的一些方面相一致的流程、方法和装置等的例子,还可使用其他的实施例,或者对本文列举的实施例进行结构和功能上的修改,而不会脱离本技术的范围和实质。
[0028]在本技术的描述中,需要理解的是,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接、可拆卸连接、一体地连接、机械连接、电性连接、通信连接、直接相连、通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。术语“多个”的含义是两个或两个以上。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定的“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。本领域的普通技术人员而言,可以根据具本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双层闭合镂空螺旋线圈结构,其特征在于,用于将所述线圈(2)绕制在盘架主体(1)上,所述盘架主体(1)包括上层盘架主体(10)和下层盘架主体(11),所述上层盘架主体(10)、下层盘架主体(11)上下结合形成双层结构;所述上层盘架主体(10)设有多个第一卡线槽(100)、所述下层盘架主体(11)设有多个第二卡线槽(110),所述第一卡线槽(100)与所述第二卡线槽(110)之间设有上下贯通的线槽通道;多个所述第一卡线槽(100)之间设有第一镂空结构(101)、多个所述第二卡线槽(110)之间设有第二镂空结构(111)。2.根据权利要求1所述的双层闭合镂空螺旋线圈结构,其特征在于,所述上层盘架主体(10)、下层盘架主体(11)均为圆环状结构。3.根据权利要求2所述的双层闭合镂空螺旋线圈结构,其特征在于,所述第一卡线槽(100)、第二卡线槽(110)均为连续螺旋状结构。4.根据权利要求3所述的双层闭合镂空螺旋线圈结构,其特征在于,所述线槽通道设置在所述第一卡线槽(100)的最外圈与所述第二卡线槽(110)的最外圈之间以及所述第一卡线槽(100)的最内圈与所述第二卡线槽(110)的最内圈之间。5.根据权利要求4所述的双层闭合镂空螺旋线圈结构,其特征在于,所述线槽通道包括上线槽入口(102)、上线槽出口(103)、下线槽入口(112)以及下线槽出口(113);所述上线槽入口(102)、上线槽出口(103)分别设置在所述第一卡线槽(100)的最内圈、所述第一卡线槽(100)的最外圈;所述下线槽入口(112)、下线槽出口(113)分别设置在所述第二卡线槽(110)的最内圈、所述第二卡线槽(110)的最外圈;所述线圈(2)一端从所述下线槽入口(112)进入所述第二卡线槽(110),在所述第二卡线槽(110)内由内而外...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵海港方铿春
申请(专利权)人:杭州溥畅生物科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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