具有高直线光透射率的氧化锆烧结体制造技术

本发明专利技术提供氧化锆烧结体、能够赋予这种氧化锆烧结体的氧化锆成形体和氧化锆预烧体，所述氧化锆烧结体无需使用HIP装置，强度和透光性均优异，且直线光透射率优异。本发明专利技术是氧化锆成形体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇、平均一次粒径为60nm以下且具有超过100nm的粒径的颗粒为0.5质量%以下的氧化锆颗粒，所述氧化锆成形体在厚度为1.5mm时的ΔL

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有高直线光透射率的氧化锆烧结体


[0001]本专利技术涉及具有高直线光透射率的氧化锆烧结体等。

技术介绍

[0002]包含氧化钇的氧化锆烧结体近年来被用于齿科用修补物等齿科材料的用途。这些齿科用修补物在多数情况下如下制造：将氧化锆颗粒进行加压成形或者使用包含氧化锆颗粒的浆料、组合物进行成形等，制成具有圆盘状、棱柱状等期望形状的氧化锆成形体，接着，对其进行预烧而制成预烧体（打磨坯料，mill blank），将其切削（研磨，milling）成目标的齿科用修补物的形状后，进一步进行烧结。
[0003]迄今为止，已确认通过使氧化锆烧结体的晶粒直径小且均匀，直线光透射率会提高（例如参照专利文献1等）。为了使氧化锆烧结体的晶粒直径小且均匀，需要热等静压（HIP）处理。但是，HIP处理所使用的HIP装置是被分类为高压气体制造设备的特殊装置，因此，难以说其能够简便地获得直线光透射率高的氧化锆烧结体。
[0004]现有技术文献[专利文献][专利文献1]日本特开2008
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214168号公报。

技术实现思路

[0005]专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供无需使用HIP装置、强度和透光性均优异且直线光透射率优异的氧化锆烧结体、能够赋予这种氧化锆烧结体的氧化锆成形体和氧化锆预烧体、以及能够简便地制造它们的制造方法。
[0006]用于解决问题的手段本专利技术人等为了实现上述目的而反复深入研究，结果发现：通过使由平均粒径为60nm以下且具有超过100nm的粒径的颗粒为0.5质量%以下的氧化锆颗粒得到、且在厚度为1.5mm时的ΔL
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B)为5以上的氧化锆成形体在常压下烧结，从而能够不使用HIP装置而得到直线光透射率优异的氧化锆烧结体。并且发现：这种氧化锆烧结体特别适合作为齿科用修补物等齿科材料等，其中，不仅作为齿颈部所使用的齿科用修补物极其有用，作为臼齿咬合面、前齿切端部所使用的齿科用修补物也极其有用。本专利技术人等基于这些见解，进一步反复研究而完成了本专利技术。
[0007]即，本专利技术涉及以下的〔1〕~〔19〕。
[0008]〔1〕氧化锆成形体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇、平均一次粒径为60nm以下且具有超过100nm的粒径的颗粒为0.5质量%以下的氧化锆颗粒，所述氧化锆成形体在厚度为1.5mm时的ΔL
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B）为5以上。
[0009]〔2〕根据〔1〕所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的三点弯曲强度为500MPa以上。
[0010]〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的厚度为0.5mm时的波长700nm的光的透射率为40%以上。
[0011]〔4〕根据〔1〕~〔3〕中任一项所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后，在180℃的热水中浸渍5小时后的单斜晶系相对于正方晶系和立方晶系的比例为5%以下。
[0012]〔5〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的氧化锆成形体，其以200~800℃进行烧结后的厚度为1.5mm时的ΔL
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B）为5以上。
[0013]〔6〕氧化锆预烧体，其包含2.0~9.0mol%的氧化钇，所述氧化锆预烧体在厚度为1.5mm时的ΔL
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B）为5以上。
[0014]〔7〕根据〔6〕所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的三点弯曲强度为500MPa以上。
[0015]〔8〕根据〔6〕或〔7〕所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的厚度为0.5mm时的波长700nm的光的透射率为40%以上。
[0016]〔9〕根据〔6〕~〔8〕中任一项所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后，在180℃的热水中浸渍5小时后的单斜晶系相对于正方晶系和立方晶系的比例为5%以下。
[0017]〔10〕氧化锆预烧体的制造方法，其使用〔1〕~〔5〕中任一项所述的氧化锆成形体。
[0018]〔11〕根据〔10〕所述的氧化锆预烧体的制造方法，其包括将〔1〕~〔5〕中任一项所述的氧化锆成形体以200~800℃进行预烧的工序。
[0019]〔12〕氧化锆烧结体，其包含荧光剂和2.0~9.0mol%的氧化钇，其在厚度为1.0mm时的直线光透射率为1%以上。
[0020]〔13〕根据〔12〕所述的氧化锆烧结体，其三点弯曲强度为500MPa以上。
[0021]〔14〕根据〔12〕或〔13〕所述的氧化锆烧结体，其在厚度为0.5mm时的波长700nm的光的透射率为40%以上。
[0022]〔15〕根据〔12〕~〔14〕中任一项所述的氧化锆烧结体，其中，在180℃的热水中浸渍5小时后的单斜晶系相对于正方晶系和立方晶系的比例为5%以下。
[0023]〔16〕氧化锆烧结体的制造方法，其使用〔1〕~〔5〕中任一项所述的氧化锆成形体。
[0024]〔17〕根据〔16〕所述的氧化锆烧结体的制造方法，其包括将该氧化锆成形体在常压下以900~1200℃进行烧结的工序。
[0025]〔18〕氧化锆烧结体的制造方法，其使用〔6〕~〔9〕中任一项所述的氧化锆预烧体。
[0026]〔19〕根据〔18〕所述的氧化锆烧结体的制造方法，其包括将该氧化锆预烧体在常压下以900~1200℃进行烧结的工序。
[0027]专利技术效果根据本专利技术，可提供无需使用HIP装置、强度和透光性均优异且直线光透射率优异的氧化锆烧结体、能够赋予这种氧化锆烧结体的氧化锆成形体和氧化锆预烧体、以及能够简便地制造它们的制造方法。
具体实施方式
[0028]本专利技术包括氧化锆成形体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇（Y2O3）、平均一次粒
径为60nm以下且具有超过100nm的粒径的颗粒为0.5质量%以下的氧化锆颗粒，其在厚度1.5mm时的ΔL
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B)为5以上。通过使用该氧化锆成形体，可获得强度和透光性优异且直线光透射率优异的氧化锆烧结体。此外，本专利技术包括氧化锆预烧体，其包含2.0~9.0mol%的氧化钇，所述氧化锆预烧体在厚度为1.5mm时的ΔL*（W
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B）为5以上。通过使用该氧化锆预烧体，也能够得到该氧化锆烧结体。以下，作为本专利技术的实施方式，首先，针对氧化锆烧结体进行说明。本专利技术的氧化锆烧结体包含荧光剂和2.0~9.0mol%的氧化钇，在厚度1.0mm时的直线光透射率为1%以上。需要说明的是，本专利技术不限定于以下的记载。
[0029]〔氧化锆烧结体〕本专利技术的氧化锆烧结体包含荧光剂。氧化锆烧结体通过包含荧光剂而具有荧光性。荧光剂的种类没有特别限定，可以使用能够因任意波长的光而发出荧光的荧光剂中的1种或2种以上。作为这种荧光剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.氧化锆成形体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇、平均一次粒径为60nm以下且具有超过100nm的粒径的颗粒为0.5质量%以下的氧化锆颗粒，所述氧化锆成形体在厚度为1.5mm时的ΔL
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B）为5以上。2.根据权利要求1所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的三点弯曲强度为500MPa以上。3.根据权利要求1或2所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的厚度为0.5mm时的波长700nm的光的透射率为40%以上。4.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后，在180℃的热水中浸渍5小时后的单斜晶系相对于正方晶系和立方晶系的比例为5%以下。5.根据权利要求1~4中任一项所述的氧化锆成形体，其以200~800℃进行烧结后的厚度为1.5mm时的ΔL
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B）为5以上。6.氧化锆预烧体，其包含2.0~9.0mol%的氧化钇，所述氧化锆预烧体在厚度为1.5mm时的ΔL
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B）为5以上。7.根据权利要求6所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的三点弯曲强度为500MPa以上。8.根据权利要求6或7所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的厚度为0.5mm时的...

【专利技术属性】
技术研发人员：工藤恭敬，
申请(专利权)人：可乐丽则武齿科株式会社，
类型：发明
国别省市：