能够在短时间内进行烧成的氧化锆成形体和预烧体制造技术

本发明专利技术提供氧化锆烧结体、能够赋予这种氧化锆烧结体的氧化锆成形体和氧化锆预烧体，所述氧化锆烧结体无需使用HIP装置，强度和透光性均优异，且直线光透射率优异，能够通过短时间的烧成来制造。本发明专利技术是氧化锆成形体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇、平均一次粒径小于60nm且单斜晶系的比例为55%以上的氧化锆颗粒，所述氧化锆成形体包含1%以上的未固溶状态的氧化钇。此外是氧化锆预烧体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇且单斜晶系的比例为55%以上的氧化锆颗粒，且包含1%以上的未固溶状态的氧化钇，所述氧化锆预烧体在厚度为1.5mm时的ΔL

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】能够在短时间内进行烧成的氧化锆成形体和预烧体


[0001]本专利技术涉及能够在短时间内进行烧成的氧化锆成形体和预烧体等。

技术介绍

[0002]包含氧化钇的氧化锆烧结体近年来被用于齿科用修补物等齿科材料的用途。这些齿科用修补物在多数情况下如下制造：将氧化锆颗粒进行加压成形或者使用包含氧化锆颗粒的浆料、组合物进行成形等，制成具有圆盘状、棱柱状等期望形状的氧化锆成形体，接着，对其进行预烧而制成预烧体（打磨坯料，mill blank），将其切削（研磨，milling）成目标的齿科用修补物的形状后，进一步进行烧结。
[0003]在齿科治疗中，不仅期望削减能量成本，为了使患者即便不多次往来齿科医院也可完成治疗，还期望在短时间内结束氧化锆的烧结。专利文献1公开了尽管缩短烧成时间也能够维持烧结体的透光性的氧化锆组合物。但是，专利文献1中记载的氧化锆烧结体的晶粒直径大，因此，在透光性方面尚有进一步改善的余地。减小氧化锆烧结体的晶粒直径可通过减小烧结前的氧化锆颗粒的平均一次粒径来实现，但专利文献1未公开平均一次粒径小的氧化锆颗粒。
[0004]此外，已确认通过使氧化锆烧结体的晶粒直径小且均匀，直线光透射率会提高（例如参照专利文献2等）。为了使氧化锆烧结体的晶粒直径小且均匀，需要热等静压（HIP）处理。但是，HIP处理所使用的HIP装置是被分类为高压气体制造设备的特殊装置，因此，难以说其能够简便地获得直线光透射率高的氧化锆烧结体。
[0005]现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2018/056330号专利文献2：日本特开2008
‑
214168号公报。

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题本专利技术的目的在于，提供强度和透光性均优异且能够通过短时间的烧成来制造的氧化锆烧结体、能够赋予这种氧化锆烧结体的氧化锆成形体和氧化锆预烧体、以及能够简便地制造它们的制造方法。此外，本专利技术的目的还在于，提供无需使用HIP装置且直线光透射率优异的氧化锆烧结体、能够赋予这种氧化锆烧结体的氧化锆成形体和氧化锆预烧体、以及能够简便地制造它们的制造方法。
[0007]用于解决问题的方案本专利技术人等为了实现上述目的而反复深入研究，结果发现：通过使下述氧化锆成形体在常压下进行烧结，从而能够在短时间内获得强度和透光性优异的氧化锆烧结体，所述氧化锆成形体包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇、平均一次粒径小于60nm且单斜晶系的比例为55%以上的氧化锆颗粒，所述氧化锆成形体包含1%以上的未固溶状态的氧化钇。并且发
现：这种氧化锆烧结体特别适合作为齿科用修补物等齿科材料等，其中，不仅作为齿颈部所使用的齿科用修补物极其有用，作为臼齿咬合面、前齿切端部所使用的齿科用修补物也极其有用。本专利技术人等基于这些见解，进一步反复研究而完成了本专利技术。
[0008]即，本专利技术涉及以下的〔1〕~〔22〕。
[0009]〔1〕氧化锆成形体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇、平均一次粒径小于60nm且单斜晶系的比例为55%以上的氧化锆颗粒，所述氧化锆成形体包含1%以上的未固溶状态的氧化钇。
[0010]〔2〕根据〔1〕所述的氧化锆成形体，其包含具有超过100nm的粒径的颗粒为0.5质量%以下的氧化锆颗粒。
[0011]〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的氧化锆成形体，其在厚度为1.5mm时的ΔL
*
（W
‑
B）为5以上。
[0012]〔4〕根据〔1〕~〔3〕中任一项所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的三点弯曲强度为500MPa以上。
[0013]〔5〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的厚度为0.5mm时的波长700nm的光的透射率为40%以上。
[0014]〔6〕根据〔1〕~〔5〕中任一项所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后，在180℃的热水中浸渍5小时后的单斜晶系相对于正方晶系和立方晶系的比例为5%以下。
[0015]〔7〕根据〔1〕~〔6〕中任一项所述的氧化锆成形体，其以200~800℃进行烧结后的厚度为1.5mm时的ΔL
*
（W
‑
B）为5以上。
[0016]〔8〕氧化锆预烧体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇且单斜晶系的比例为55%以上的氧化锆颗粒，且包含1%以上的未固溶状态的氧化钇，所述氧化锆预烧体在厚度为1.5mm时的ΔL
*
（W
‑
B）为5以上。
[0017]〔9〕根据〔8〕所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的三点弯曲强度为500MPa以上。
[0018]〔10〕根据〔8〕或〔9〕所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的厚度为0.5mm时的波长700nm的光的透射率为40%以上。
[0019]〔11〕根据〔8〕~〔10〕中任一项所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后，在180℃的热水中浸渍5小时后的单斜晶系相对于正方晶系和立方晶系的比例为5%以下。
[0020]〔12〕氧化锆预烧体的制造方法，其使用〔1〕~〔7〕中任一项所述的氧化锆成形体。
[0021]〔13〕根据〔12〕所述的氧化锆预烧体的制造方法，其包括将〔1〕~〔7〕中任一项所述的氧化锆成形体以200~800℃进行预烧的工序。
[0022]〔14〕氧化锆烧结体，其包含荧光剂和2.0~9.0mol%的氧化钇，所述氧化锆烧结体的晶粒直径为180nm以下。
[0023]〔15〕根据〔14〕所述的氧化锆烧结体，其在厚度为1.0mm时的直线光透射率为1%以上。
[0024]〔16〕根据〔14〕或〔15〕所述的氧化锆烧结体，其三点弯曲强度为500MPa以上。
[0025]〔17〕根据〔14〕~〔16〕中任一项所述的氧化锆烧结体，其在厚度为0.5mm时的波长
700nm的光的透射率为40%以上。
[0026]〔18〕根据〔14〕~〔17〕中任一项所述的氧化锆烧结体，其在180℃的热水中浸渍5小时后的单斜晶系相对于正方晶系和立方晶系的比例为5%以下。
[0027]〔19〕氧化锆烧结体的制造方法，其使用〔1〕~〔7〕中任一项所述的氧化锆成形体。
[0028]〔20〕根据〔19〕所述的氧化锆烧结体的制造方法，其包括将该氧化锆成形体在常压下以900~1200℃进行烧结的工序。
[0029]〔21〕氧化锆烧结体的制造方法，其使用〔8〕~〔11〕中任一项所述的氧化锆预烧体。
[0030]〔22〕根据〔21〕所述的氧化锆烧结体的制造方法，其包括将该氧化锆预烧体在常压下以900~1200℃进行烧结的工序。
[0031]专利技术效果根据本专利技术，可提供强度和透光性均优异且能够通过短时间的烧成来制造的氧化锆烧结体、能够赋予这种氧化锆烧结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.氧化锆成形体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇、平均一次粒径小于60nm且单斜晶系的比例为55%以上的氧化锆颗粒，所述氧化锆成形体包含1%以上的未固溶状态的氧化钇。2.根据权利要求1所述的氧化锆成形体，其包含具有超过100nm的粒径的颗粒为0.5质量%以下的氧化锆颗粒。3.根据权利要求1或2所述的氧化锆成形体，其在厚度为1.5mm时的ΔL
*
（W
‑
B）为5以上。4.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的三点弯曲强度为500MPa以上。5.根据权利要求1~4中任一项所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的厚度为0.5mm时的波长700nm的光的透射率为40%以上。6.根据权利要求1~5中任一项所述的氧化锆成形体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后，在180℃的热水中浸渍5小时后的单斜晶系相对于正方晶系和立方晶系的比例为5%以下。7.根据权利要求1~6中任一项所述的氧化锆成形体，其以200~800℃进行烧结后的厚度为1.5mm时的ΔL
*
（W
‑
B）为5以上。8.氧化锆预烧体，其包含含有2.0~9.0mol%的氧化钇且单斜晶系的比例为55%以上的氧化锆颗粒，且包含1%以上的未固溶状态的氧化钇，所述氧化锆预烧体在厚度为1.5mm时的ΔL
*
（W
‑
B）为5以上。9.根据权利要求8所述的氧化锆预烧体，其在常压下以900~1200℃进行烧结后的三点弯曲强度为500MPa以上。10.根据权利要求8或9所述的氧化锆...

【专利技术属性】
技术研发人员：工藤恭敬，伊藤承央，
申请(专利权)人：可乐丽则武齿科株式会社，
类型：发明
国别省市：