阵列基板的制作方法及阵列基板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，制作方法包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻，使栅金属层形成栅极和扫描线；依次沉积栅极绝缘层、半导体层和源漏金属层，通过第二次光刻，使半导体层形成有源岛，同时源漏金属层形成源极、漏极和数据线，源极和漏极之间形成沟道区域；通过悬涂工艺涂覆彩色滤光片色阻层，并进行曝光显影工艺；沉积保护层，通过第三次光刻，在漏极上方的保护层和彩色滤光片色阻层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻，使透明导电层形成像素电极并使像素电极与漏极通过导电过孔连通。本发明专利技术提供的阵列基板的制作方法和阵列基板，可防止氧化硅保护层对金属铜造成氧化。可防止氧化硅保护层对金属铜造成氧化。可防止氧化硅保护层对金属铜造成氧化。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法及阵列基板


[0001]本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。
[0003]现有技术提供的阵列基板的制造过程中，采用金属氧化物半导体层作为有源层，金属氧化物TFT(薄膜晶体管)特性对H敏感，甚至会使金属氧化物TFT失去特性，因此一般使用氧化硅而非氮化硅作为金属氧化物TFT的保护层。
[0004]然而，阵列基板经常采用金属铜作为源漏极金属层，在沉积含氧化硅的金属氧化物TFT的保护层时，金属铜暴露在氧等离子中，严重被氧化，甚至发生剥落。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，可防止保护层对源极、漏极及数据线的金属铜造成氧化。
[0006]本专利技术一方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：
[0007]在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极和扫描线；
[0008]依次沉积栅极绝缘层、半导体层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述半导体层形成有源岛，同时所述源漏金属层形成源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极之间形成沟道区域；
[0009]通过悬涂工艺涂覆彩色滤光片色阻层，并进行曝光显影；
[0010]沉积保护层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述保护层和所述彩色滤光片色阻层上形成导电过孔；
[0011]沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极与所述漏极通过所述导电过孔连通。
[0012]如上所述的阵列基板的制作方法，所述源漏金属层包括铜阻挡层和覆盖在所述铜阻挡层上的金属铜层。
[0013]如上所述的阵列基板的制作方法，所述源漏金属层还包括覆盖在所述金属铜层上方的铜保护层。
[0014]如上所述的阵列基板的制作方法，所述铜阻挡层和所述铜保护层均包括铬、钨、钽、钼、或钛。
[0015]如上所述的阵列基板的制作方法，所述铜阻挡层的厚度为所述金属铜层的1/20-1/10。
[0016]如上所述的阵列基板的制作方法，所述第二次光刻工艺包括一次灰色调掩膜版工艺或半色调掩膜版工艺。
[0017]如上所述的阵列基板的制作方法，所述第二次光刻工艺具体包括：
[0018]通过掩膜版曝光显影，形成完全透光区域、部分透光区域和不透光区域，所述不透光区域对应于所述源极、所述漏极和所述数据线，所述部分透光区域对应于所述沟道区域；
[0019]进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全透光区域对应的所述源漏金属层、所述半导体层；
[0020]进行一次光刻灰化工艺，去除掉所述部分透光区域的光刻胶；进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分透光区域内的所述源漏金属层，以形成所述沟道区域；
[0021]保留不透光区域对应的所述所述源漏金属层，以形成所述源极、所述漏极、所述数据线。
[0022]如上所述的阵列基板的制作方法，所述栅金属层包括附着层和覆盖在所述附着层上的金属铜层。
[0023]如上所述的阵列基板的制作方法，所述半导体层包括第一金属氧化物半导体层和覆盖在所述第一金属氧化物半导体层上方的第二金属氧化物半导体层，所述第一金属氧化物半导体层的导电率低于所述第二金属氧化物半导体层的导电率。
[0024]本专利技术另一方面提供一种阵列基板，所述阵列基板通过如上所述的制作方法制作而成。
[0025]本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法及阵列基板，采用金属氧化物薄膜晶体管结构，在第二次光刻工艺形成源极和漏极后，增加涂覆彩色滤光片色阻层的步骤，使得薄膜晶体管处的彩色滤光片色阻层可以吸收光，从而提高了薄膜晶体管的光照稳定性，同时，数据线上方的彩色滤光片色阻层，可保护数据线中的金属铜层在形成保护层时不被氧化。且本实施例中，数据线及源极、漏极，均采用双层结构，底层为阻挡层，上层为金属铜层，阻挡层可防止铜扩散到半导体层中，并增加金属铜层的附着力。此外，在第二次光刻工艺中使用一次半色调或灰色调掩膜版同时形成金属氧化物半导体层图案、源漏金属电极、数据扫描线以及源漏极之间的沟道区域，节省了2次光刻工艺，提升了生产效率。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；
[0028]图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；
[0029]图3为本专利技术实施例提供的阵列基板完成第一次光刻工艺后的沿AB方向的截面图；
[0030]图4为本专利技术实施例提供的阵列基板完成第二次光刻工艺中的曝光显影后的沿AB
方向的截面图；
[0031]图5为本专利技术实施例提供的阵列基板完成第二次光刻工艺中的第一次刻蚀后的沿AB方向的截面图；
[0032]图6为本专利技术实施例提供的阵列基板完成第二次光刻工艺中的灰化后的沿AB方向的截面图；
[0033]图7为本专利技术实施例提供的阵列基板完成第二次光刻工艺后的沿AB方向的截面图；
[0034]图8为本专利技术实施例提供的阵列基板完成涂覆彩色滤光片色阻层后的沿AB方向的截面图；
[0035]图9为本专利技术实施例提供的阵列基板完成涂覆彩色滤光片色阻层后的在数据线处的截面图；
[0036]图10为本专利技术实施例提供的阵列基板完成第三次光刻工艺后的沿AB方向的截面图；
[0037]图11为本专利技术实施例提供的阵列基板完成第四次光刻工艺后的沿AB方向的截面图；
[0038]图12为本专利技术实施例提供的阵列基板完成第四次光刻工艺后的数据线处的截面图。
[0039]附图标记：
[0040]10-衬底基板；11-栅极；111-附着层；12-扫描线；13-栅极绝缘层；14-半导体层；15-源漏金属层；151-铜阻挡层；152-金属铜层；17-源极；18-漏极；19-数据线；20-沟道区域；21-彩色滤光片色阻层；22-保护层；23-导电过孔；24-像素电极；25-光刻胶；251-完全透光区域；252-部分透光区域；253-不透光区域。
具体实施方式
[0041]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺，使所述栅金属层形成栅极和扫描线；依次沉积栅极绝缘层、半导体层和源漏金属层，通过第二次光刻工艺，使所述半导体层形成有源岛，所述源漏金属层形成源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极之间形成沟道区域；通过悬涂工艺涂覆彩色滤光片色阻层，并进行曝光显影；沉积保护层，通过第三次光刻工艺，在所述漏极上方的所述保护层和所述彩色滤光片色阻层上形成导电过孔；沉积透明导电层，通过第四次光刻工艺，使所述透明导电层形成像素电极并使所述像素电极与所述漏极通过所述导电过孔连通。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述源漏金属层包括铜阻挡层和覆盖在所述铜阻挡层上的金属铜层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述源漏金属层还包括覆盖在所述金属铜层上方的铜保护层。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述铜阻挡层和所述铜保护层均包括铬、钨、钽、钼、或钛。5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述铜阻挡层的厚度为所述金属铜层的1/20-1/10。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙学军，刘翔，杨松，李广圣，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：