一种高压陶瓷电容器芯片制造技术

一种高压陶瓷电容器芯片，所述陶瓷芯片为圆柱状结构，在所述圆柱状结构两端端面的边缘处分别开设有圆环状凸台，圆环状凸台间的端面为主表面；在所述圆环状凸台表面分别开设有圆环状凹槽；在所述圆环状凸台间的圆柱状结构两端的主表面上分别涂布有电极层，在所述电极层上焊接有引线。本发明专利技术的陶瓷电容器芯片，爬电距离长，提高了耐电压及击穿电压，避免了表面飞弧。飞弧。飞弧。

【技术实现步骤摘要】
一种高压陶瓷电容器芯片


[0001]本专利技术涉及陶瓷电容器，尤其是指可用于电力上的高压陶瓷电容器芯片。

技术介绍

[0002]现有陶瓷电容器芯片一般采用圆柱状结构，依据电容器性能要求，采用不同电子瓷料设计不同体积的胚体，按照传统干压成型，烧成陶瓷体后，在陶瓷芯片上下表面涂敷银层作为电极，再在电极上焊接引线与外部电路连接。针对高压陶瓷电容器，在电力融合中使用时，对尺寸有一定的要求。在实际中，圆柱状陶瓷电容器试样在耐电压实验时，表现为击穿率高，雷电冲击不过关。因此，提高耐压，击穿电压则为必须解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种高压陶瓷电容器，其耐压、击穿电压均得到提高，解决了耐受压实验时表面飞弧、击穿现象，提高了耐受压测试及雷电冲击试验良品率。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案是一种高压陶瓷电容器芯片，所述陶瓷芯片为圆柱状结构，在所述圆柱状结构两端端面的边缘处分别开设有圆环状凸台，圆环状凸台间的端面为主表面；在所述圆环状凸台表面分别开设有圆环状凹槽；在所述圆环状凸台间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压陶瓷电容器芯片，其特征在于陶瓷芯片为圆柱状结构，在所述圆柱状结构两端端面的边缘处分别开设有圆环状凸台，圆环状凸台间的端面为主表面；在所述圆环状凸台表面分别开设有圆环状凹槽；在所述圆环状凸台间的圆柱状结构两端的主表面上分别涂布有电极层，在所述电极层上焊接有引线。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：高维军，
申请(专利权)人：陕西欧西克电子有限公司，
类型：新型
国别省市：