一种高电子迁移率晶体管及制备方法技术

本发明专利技术提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。提升HEMT器件的性能和稳定性。提升HEMT器件的性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种高电子迁移率晶体管及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种高电子迁移率晶体管及制备方法。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料氮化镓由于具有大禁带宽度(3.4eV)、高电子饱和速率(2
×
107cm/s),高的击穿电场(1
×
1010～3
×
1010V/cm)，较高热导率,耐腐蚀和抗辐射性能，成为当前研究热点，具有广阔的应用前景。在高电子迁移率晶体管(HEMT)器件应用中，发现当HEMT源漏电压较高时，器件的输出电流大大减小；而且RF信号下器件的输出功率明显减小(RF power compression)，同时，输出功率密度和功率附加效率也会随之减小(RF dispersion)，这种电流崩塌现象引起的器件性能衰退，限制了器件性能的发挥。
[0003]现有为抑制GaN HEMT器件的电流崩塌和在RF应用中的功率压缩，一种方法方法是生长SiN钝化层，来改善AlGaN与钝化层界面来调控陷阱态，另一种方法是调控沟道层下缓冲层掺杂状态，用以调控关态漏电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀所述磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口；在所述源极开口和所述漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，所述源极金属和所述漏极金属分别与所述漂移层欧姆接触；在所述源极金属和所述漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口包括：在所述磁性介质层上形成钝化层；依次刻蚀所述钝化层和所述磁性介质层以形成所述源极开口和所述漏极开口。3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述在刻蚀所述磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口之后，所述方法还包括：在所述磁性介质层上形成覆盖所述磁性介质层、所述源极开口和所述漏极开口的钝化层；刻蚀所述钝化层，分别形成位于所述源极开口内的第一开口和位于所述漏极开口内的第二开口，所述第一开口在所述衬底上的正投影面积小于所述源极开口在所述衬底上的正投影面积，所述第二开口在所述衬底上的正投影面积小于所述漏极开口在所述衬底上的正投影面积。4.如权利要求2或3所述的高电子迁移率晶体管制备方法，其特征在于，所述在所述源极金属和所述漏极金属之间的磁性介质层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：