抛光液输送装置和化学机械抛光设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种抛光液输送装置和化学机械抛光设备，抛光液输送装置包括：基座，所述基座上设有基座孔；转轴，所述转轴设在所述基座孔内，且所述转轴设置为在所述基座孔内可选择性地转动；悬臂，所述悬臂相对于所述转轴可转动地连接在所述转轴上，其内部中空；抛光液管，所述抛光液管穿过所述基座孔后伸入所述悬臂内，用于输送抛光液；喷嘴组件，与所述抛光液管连通，所述喷嘴组件包括喷嘴座和设于喷嘴座下方的多个喷嘴；加载模块，用于改变抛光液的物理性质，所述加载模块环绕抛光液管设置以对其中流过的抛光液进行处理，和/或，不同喷嘴处分别设有不同加载模块以实现不同喷淋位置抛光液的不同处理。光液的不同处理。光液的不同处理。

【技术实现步骤摘要】
抛光液输送装置和化学机械抛光设备


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光
，尤其涉及一种抛光液输送装置和化学机械抛光设备。

技术介绍

[0002]晶圆制造是制约超/极大规模集成电路(即芯片，IC，Integrated Circuit)产业发展的关键环节。随着摩尔定律的延续，集成电路特征尺寸持续微缩逼近理论极限，晶圆表面质量要求愈加苛刻，因而晶圆制造过程对缺陷尺寸和数量的控制越来越严格。化学机械抛光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)是晶圆制造工艺中非常重要的一个环节。抛光过程是利用承载头将晶圆压于抛光垫表面，依靠晶圆和抛光垫之间的相对运动并借助抛光液中的磨粒实现晶圆表面抛光。
[0003]抛光液作为化学机械抛光的主要耗材，其物理性质对于抛光效果具有很大影响，例如，抛光液的温度、PH值、极性等都会对抛光效果产生影响。随着芯片制程越来越精密，比如10nm以下量级制程对工艺材料、参数的要求极高，因此，对抛光液进行准确控制是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光液输送装置，其特征在于，包括：基座，所述基座上设有基座孔；转轴，所述转轴设在所述基座孔内，且所述转轴设置为在所述基座孔内可选择性地转动；悬臂，所述悬臂相对于所述转轴可转动地连接在所述转轴上，其内部中空；抛光液管，所述抛光液管穿过所述基座孔后伸入所述悬臂内，用于输送抛光液；喷嘴组件，与所述抛光液管连通，所述喷嘴组件包括喷嘴座和设于喷嘴座下方的至少一个喷嘴；加载模块，用于改变抛光液的物理性质，所述加载模块环绕抛光液管设置以对其中流过的抛光液进行处理、和/或、不同喷嘴处分别设有不同加载模块以实现不同喷淋位置抛光液的不同处理。2.如权利要求1所述的抛光液输送装置，其特征在于，所述加载模块为光照单元、调温单元、极化单元、振动加载器和电磁加载器中的至少一种。3.如权利要求2所述的抛光液输送装置，其特征在于，所述加载模块为光照单元，所述光照单元环绕所述抛光液管设置以对其中的抛光液进行照射加热并通过控制光照单元照射抛光液的时长来调节抛光液的温度，和/或，不同喷嘴...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘远航，赵德文，李长坤，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：