图像传感器结构及其形成方法技术

在一些实施例中，本公开涉及一种图像传感器结构。所述图像传感器结构包括衬底。衬底包括第一侧及与第一侧相对的第二侧。光电探测器延伸到衬底的第一侧中。隔离结构包括延伸穿过衬底的第一隔离段及第二隔离段。第一隔离段与第二隔离段分别位于光电探测器的相对的侧上且包含介电质。第一金属线位于衬底的第一侧上。虚设接触结构包括第一虚设段及第二虚设段。第一虚设段及第二虚设段二者均包含金属且从第一金属线分别延伸到第一隔离段及第二隔离段。离段。离段。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种图像传感器结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]具有图像传感器的集成电路(integrated circuit，IC)被用于各种现代电子装置(例如(举例来说)，照相机及手机)中。近年来，互补金属氧化物半导体(complementary metal
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oxide
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semiconductor，CMOS)图像传感器已开始被广泛使用，大大地替代了电荷耦合装置(charge
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coupled device，CCD)图像传感器。与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器因功耗低、尺寸小、数据处理快、直接输出数据及制造成本低而受到青睐。一些类型的CMOS图像传感器包括前侧照明式(front
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side illuminated，FSI)图像传感器及后侧照明式(back
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side illuminated，BSI)图像传感器。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种图像传感器结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器结构，包括：衬底，包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；光电探测器，延伸到所述衬底的所述第一侧中；隔离结构，包括延伸穿过所述衬底的第一隔离段及第二隔离段，其中所述第一隔离段与所述第二隔离段分别位于所述光电探测器的相对的侧上且包含介电质；第一金属线，位于所述衬底的所述第一侧上；以及虚设接触结构，包括第一虚设段及第二虚设段，其中所述第一虚设段及所述第二虚设段二者均包含金属且从所述第一金属线分别延伸到所述第一隔离段及所述第二隔离段。2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其中所述隔离结构包括延伸到所述衬底的所述第二侧中达第一深度的深沟槽隔离结构，且还包括延伸到所述衬底的所述第一侧中达第二深度的浅沟槽隔离结构，所述第二深度小于所述第一深度，且其中所述深沟槽隔离结构与所述浅沟槽隔离结构直接接触。3.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其中所述虚设接触结构包括环形顶部布局，所述环形顶部布局在侧向上围绕所述光电探测器的边界以闭合路径延伸。4.根据权利要求3所述的图像传感器结构，其中所述隔离结构直接上覆在所述虚设接触结构上且直接接触所述虚设接触结构，且还在侧向上围绕所述光电探测器的所述边界以闭合路径延伸。5.根据权利要求1所述的图像传感器结构，还包括：复合金属栅格，位于所述衬底的所述第一侧上且在所述第一隔离段及所述第二隔离段二者处位于所述隔离结构的正上方；以及微透镜，位于所述衬底的所述第一侧上且设置在所述光电探测器之上。6.一种图像传感器结构，包括：衬底，包括上表面及下表面；像素，包括沿所述衬底的所述下表面的光电探测器；衬底隔离结构，包含第一介电材料，其中所述衬底隔离结构从所述衬底的所述上表面垂直地穿过所述衬底延伸到所述衬底的所述下表面，且其中所述衬底隔离结构在侧向上沿所述像素的边界以第一闭合路径延伸；金属反射...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹淳凯，卢玠甫，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：