集成芯片结构及其形成方法技术

在一些实施例中，本发明专利技术涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括设置在衬底的第一侧上的标准通孔。过尺寸通孔设置在衬底的第一侧上，并且与标准通孔横向分隔开。过尺寸通孔具有大于标准通孔的宽度。互连线垂直接触过尺寸通孔。衬底通孔(TSV)从衬底的第二侧延伸并且穿过衬底，以物理接触过尺寸通孔或互连线。TSV具有小于过尺寸通孔的宽度的最小宽度。本申请的实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及集成芯片结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成芯片制造是在由半导体材料(例如，硅)制成的晶圆上形成电子电路的复杂的多步骤工艺。集成芯片制造可以大致分为前段制程(FEOL)处理和后段制程(BEOL)处理。FEOL处理通常涉及在半导体材料内形成器件(例如，晶体管)，而BEOL处理通常涉及在半导体材料上方的介电结构内形成导电互连层。在完成BEOL处理之后，形成接合焊盘，并且然后可以分割(例如，切成小块)晶圆以形成多个单独的集成芯片管芯。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种集成芯片结构，包括：标准通孔，设置在衬底的第一侧上；过尺寸通孔，设置在所述衬底的第一侧上，并且与所述标准通孔横向分隔开，其中，所述过尺寸通孔具有大于所述标准通孔的宽度；互连线，垂直接触所述过尺寸通孔；以及衬底通孔(TSV)，从所述衬底的第二侧延伸并且穿过所述衬底，以物理接触所述过尺寸通孔或所述互连线，其中，所述衬底通孔具有小于所述过尺寸通孔的宽度的最小宽度。
>[0004]本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片结构，包括：标准通孔，设置在衬底的第一侧上；过尺寸通孔，设置在所述衬底的第一侧上，并且与所述标准通孔横向分隔开，其中，所述过尺寸通孔具有大于所述标准通孔的宽度；互连线，垂直接触所述过尺寸通孔；以及衬底通孔(TSV)，从所述衬底的第二侧延伸并且穿过所述衬底，以物理接触所述过尺寸通孔或所述互连线，其中，所述衬底通孔具有小于所述过尺寸通孔的宽度的最小宽度。2.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其中，所述过尺寸通孔垂直位于所述互连线和所述衬底的第一侧之间。3.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其中，所述互连线垂直位于所述过尺寸通孔和所述衬底的第一侧之间。4.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其中，所述衬底通孔垂直通过所述互连线并且延伸至所述过尺寸通孔中。5.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其中，所述衬底通孔垂直通过所述过尺寸通孔并且延伸至所述互连线。6.根据权利要求1所述的集成芯片结构，还包括：栅极结构，设置在所述衬底上；第一层间介电(ILD)层，横向围绕所述栅极结构；以及第二层间介电层，位于所述第一层间介电层上，其中，所述衬底通孔延伸穿过第一层间介电层，以在通过所述过尺寸通孔与所述第二层间介电层分隔开的位置处接触所述过尺寸通孔。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：高敏峰，杨敦年，林杏芝，刘人诚，朱怡欣，陈品孜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：