阵列基板及其制作方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及制作方法。阵列基板包括：基底；设于基底上的栅极；覆盖栅极的第一绝缘层；设于第一绝缘层上的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层上设有对应栅极的沟道；第二半导体层包括层叠设置的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层，第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层均在沟道处断开，第二金属氧化物半导体层的氧空位浓度小于第一金属氧化物半导体层的氧空位浓度；设于第二半导体层上的源极和漏极，并且源极和漏极均与第二半导体层导电接触。极均与第二半导体层导电接触。极均与第二半导体层导电接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及其制作方法和显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法和具有该阵列基板的显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的彩色滤光片基板(Color filter，CF)和薄膜晶体管阵列基板(Thin film transistor array substrate，TFT array)以及夹置在两者之间的液晶层(Liquid crystal layer，LC layer)。
[0003]非晶硅(a
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Si)是目前半导体行业应用最广泛的半导体层材料，a
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Si材料与金属接触时因为有较大的势能差，难以形成欧姆接触，实际应用中，为了获得金属和半导体之间的欧姆接触，一般对半导体表面进行重掺杂P(磷)元素，降低金属和半导体的接触阻抗，提高电流效率。目前非晶硅TFT(薄膜晶体管)的关态漏电流(Ioff)较大10
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底(10)；设于所述基底(10)上的栅极(11)；覆盖所述栅极(11)的第一绝缘层(101)；设于所述第一绝缘层(101)上的第一半导体层(12)和第二半导体层(13)，所述第二半导体层(13)层叠设置在所述第一半导体层(12)上，所述第一半导体层(12)为非晶硅层，所述第二半导体层(13)为金属氧化物半导体层，所述第一半导体层(12)和所述第二半导体层(13)上设有对应所述栅极(11)的沟道(110)；所述第二半导体层(13)包括层叠设置的第一金属氧化物半导体层(131)和第二金属氧化物半导体层(132)，所述第一金属氧化物半导体层(131)和所述第二金属氧化物半导体层(132)均在所述沟道(110)处断开，所述第二金属氧化物半导体层(132)的氧空位浓度小于所述第一金属氧化物半导体层(131)的氧空位浓度；设于所述第二半导体层(13)上的源极(141)和漏极(142)，所述源极(141)和所述漏极(142)均与所述第二半导体层(13)导电接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层(12)包括层叠设置的非晶硅层(121)和掺杂非晶硅层(122)，所述掺杂非晶硅层(122)在所述沟道(110)处断开。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述非晶硅层(121)、所述掺杂非晶硅层(122)、所述第一金属氧化物半导体层(131)和所述第二金属氧化物半导体层(132)在所述栅极(11)的正上方由下往上依次层叠设置。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体层(131)和所述第二金属氧化物半导体层(132)均采用铟镓锌氧化物。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二半导体层(13)覆盖住所述第一半导体层(12)的顶部以及两侧，所述第二半导体层(13)将所述第一半导体层(12)与所述源极(141)、所述漏极(142)间隔开。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极(141)和所述漏极(142)覆盖所述第二金属氧化物半导体层(132)，所述第二金属氧化物半导体层(132)被所述沟道(110)分割成两个部分，所述源极(141)和所述漏极(142)分别与该两个部分导电接触。7.根据权利要求1
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6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层(102)、平坦层(103)、第一电极层(15)、第三绝缘层(104)以及第二电极层(16)，所述第二绝缘层(102)设于所述第一绝缘层(101)上并覆盖所述源极(141)和所述漏极(142)，所述平坦层(103)设于所述第二绝缘层(102)上，所述第一电极层(15)设于所述平坦层(103)上，所述第三绝缘层(104)设于所述平坦层(103)上并覆盖所述第一电极层(15)，所述第三绝缘层(104)、所述平坦层(103)和所述第二绝缘层(102)上设有与所述源极(141)对应的接触孔(105)，所述第二电极层(16)设于所述第三绝缘层(104)上并通过所述接触孔(105)与所述源极(141)导电接触。8.根据权利要求1
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6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层(102)、第一电极层(15)以及第二电极层(16)，所述第二电极层(16)设于所述第一绝缘层(101)上并与所述源极(141)导电接触，所述第二绝缘层(102)设于所述第一绝缘层(101)
上并覆盖所述源极(141)、所述漏极(142)以及所述第二电极层(16)，所述第一电极层(15)设于所述第二绝缘层(102)上。9.根据权利要求1
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6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层(102)以及第二电极层(16)，所述第二绝缘层(102)设于所述第一绝缘层(101)上并覆盖所述源极(141)和所述漏极(142)，所述第二绝缘层(102)上设有与所述源极(141)对应的接触孔(105)，所述第二电极层(16)设于所述第二绝缘层(102)上并通过所述接触孔(105)与所述源极(141)导电接触。10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供基底(10)；在所述基底(10)上形成图案化的栅极(11)；在所述基底(10)上形成覆盖所述栅极(11)的第一绝缘层(101)；在所述第一绝缘层(101)上形成第一半导体层(12)和第二半导体层(13)，所述第二半导体层(13)层叠设置在所述第一半导体层(12)上，所述第一半导体层(12)为非晶硅层，所述第二半导体层(13)为金属氧化物半导体层，所述第二半导体层(13)包括层叠设置的第一金属氧化物半导体层(131)和第二金属氧化物半导体层(132)，所述第二金属氧化物半导体层(132)的氧空位浓度小于所述第一金属氧化物半导体层(131)的氧空位浓度；在所述第二半导体层(13)上形成源极(141)和漏极(142)，所述源极(141)和所述漏极(142)均与所述第二半导体层(13)导电接触；在形成所述源极(141)和所述漏极(142)之后，对所述第二半导体层(13)和所述第一半导体层(12)进行蚀刻形成沟道(110)。11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述第一半导体层(12)包括非晶硅层(121)和掺杂非晶硅层(122)，在所述第一绝缘层(101)上依次连续沉积非晶硅薄膜(121a)、掺杂非晶硅薄膜(122a)、第一金属氧化物半导体薄膜(131a)和第二金属氧化物半导体薄膜(132a)，然后对所述非晶硅薄膜(121a)、所述掺杂非晶硅薄膜(122a)、所述第一金属氧化物半导体薄膜(131a)和所述第二金属氧化物半导体薄膜(132a)进行蚀刻，以在所述栅极(11)的正上方形成岛状的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟德镇，蔡志承，郑会龙，王新刚，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：