一种双面散热半导体IGBT管制造技术

本实用新型专利技术公开一种双面散热半导体IGBT管，包括集电插针A、集电插针B、集电插针C和IGBT管主体，所述IGBT管主体的下端安装有集电插针A、集电插针B和集电插针C，所述集电插针A位于集电插针B的左侧，通过在该半导体IGBT管的三个集电插针顶端外部增加有一个新型的插针加固装置，该新型的插针加固装置在不影响到整个半导体IGBT管正常安装操作的基础上又能够对三个集电插针起到加固与防折断作用，三个集电插针顶端通过该新型的插针加固装置进行加固之后既不会影响到集电插针的正常弯折，又能够对集电插针的固定端起到加固作用，从而能够在安装该半导体IGBT管时可根据安装需求及时进行调整，且又不会损伤到整个半导体IGBT管。管。管。

【技术实现步骤摘要】
一种双面散热半导体IGBT管


[0001]本技术属于半导体IGBT管相关
，具体涉及一种双面散热半导体IGBT管。

技术介绍

[0002]IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大，MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上，IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。
[0003]现有的半导体IGBT管技术存在以下问题：当整个半导体IGBT管安装使用时，三个集电插针需要对应与外部的接电元件进行对接，而在安装固定集电插针时很多时候会对集电插针进行折弯，使得集电插针能够准确的与外部的接电元件进行搭接，但是集电插针较为脆弱，一旦集电插针弯折角度过大则会容易在与IGBT管主体连接处产生松动和产生折断，从而会造成整个半导体IGBT管不能够正常工作。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种双面散热半导体IGBT管，以解决上述
技术介绍
中提出的在安装固定集电插针时很多时候会对集电插针进行折弯，使得集电插针能够准确的与外部的接电元件进行搭接，但是集电插针较为脆弱，一旦集电插针弯折角度过大则会容易在与IGBT管主体连接处产生松动和产生折断的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种双面散热半导体IGBT管，包括集电插针A、集电插针B、集电插针C和IGBT管主体，所述IGBT管主体的下端安装有集电插针A、集电插针B和集电插针C，所述集电插针A位于集电插针B的左侧，所述集电插针C位于集电插针B的右侧，所述集电插针A、集电插针B和集电插针C的上端外部套接有插针加固装置，所述IGBT管主体的后端向上贯穿有门极导电片，所述门极导电片靠近上侧中心处内部设置有固定圆孔，所述门极导电片靠近上侧左右两端外壁内部均设置有固定卡口，所述插针加固装置包括绝缘加固块、密封垫、加固与限制槽和半圆限制块，所述绝缘加固块竖向内部设置有三个等距排列的加固与限制槽，三个所述加固与限制槽分别对应套接在集电插针A、集电插针B和集电插针C的外部，所述绝缘加固块的顶端设置有密封垫，所述密封垫的顶端通过封装胶与IGBT管主体固定连接，三个所述加固与限制槽的前后两端内壁上均设置有半圆限制块。
[0006]优选的，所述集电插针A、集电插针B和集电插针C的形状大小以及结构组成均相同，所述集电插针A、集电插针B和集电插针C均与IGBT管主体电性连接。
[0007]优选的，所述门极导电片、集电插针A、集电插针B和集电插针C均采用高导电的金属制成，所述门极导电片的厚度大于集电插针A、集电插针B和集电插针C的厚度。
[0008]优选的，所述IGBT管主体可根据使用需求在前后两端外壁上粘接散热片，所述IGBT管主体的外壳采用绝缘材质制成，所述IGBT管主体的外壳的整体颜色呈黑色。
[0009]优选的，所述半圆限制块整体形状呈半圆柱体，所述半圆限制块采用绝缘材质制成，所述集电插针A、集电插针B和集电插针C与IGBT管主体呈垂直状态时集电插针A、集电插针B和集电插针C的前后两端外壁均不与半圆限制块接触。
[0010]与现有技术相比，本技术提供了一种双面散热半导体IGBT管，具备以下有益效果：
[0011]本技术通过在该半导体IGBT管的三个集电插针顶端外部增加有一个新型的插针加固装置，该新型的插针加固装置在不影响到整个半导体IGBT管正常安装操作的基础上又能够对三个集电插针起到加固与防折断作用，当整个半导体IGBT管安装使用时，三个集电插针需要对应与外部的接电元件进行对接，而在安装固定集电插针时很多时候会对集电插针进行折弯，使得集电插针能够准确的与外部的接电元件进行搭接，但是集电插针较为脆弱，一旦集电插针弯折角度过大则会容易在与IGBT管主体连接处产生松动和产生折断，从而会造成整个半导体IGBT管不能够正常工作，而三个集电插针顶端通过该新型的插针加固装置进行加固之后既不会影响到集电插针的正常弯折，又能够对集电插针的固定端起到加固作用，当集电插针因为安装固定需求需要进行一定角度弯折时，首先集电插针与IGBT管连接处会正常的进行小角度弯折，但是当集电插针弯折小角度并继续弯折时，此时绝缘加固块内部用于套接集电插针的加固与限制槽则会限制集电插针的弯折角度，加固与限制槽内部的半圆限制块首先会阻止集电插针与IGBT管主体连接处继续产生弯折，然后会半圆限制块会通过其半圆柱体结构来改变集电插针的弯折点，使得集电插针能够在弯折一个稍大的角度时会通过两个弯折点进行，即集电插针与IGBT管主体连接处首先弯折一个小角度，然后集电插针与半圆限制块贴合处再弯折一个角度，从而能够使得集电插针既能够弯折一个稍大的角度进行安装固定，同时又不会折断损伤到集电插针。
附图说明
[0012]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制，在附图中：
[0013]图1为本技术提出的一种双面散热半导体IGBT管正视立体结构示意图；
[0014]图2为本技术提出的一种双面散热半导体IGBT管后视立体结构示意图；
[0015]图3为本技术提出的一种双面散热半导体IGBT管正视平面结构示意图；
[0016]图4为本技术提出的一种双面散热半导体IGBT管侧视平面结构示意图；
[0017]图5为本技术提出的插针加固装置正视截面结构示意图；
[0018]图6为本技术提出的插针加固装置侧视截面结构示意图；
[0019]图中：1、集电插针A；2、集电插针B；3、集电插针C；4、插针加固装置；5、IGBT管主体；6、门极导电片；7、固定圆孔；8、固定卡口；9、绝缘加固块；10、密封垫；11、加固与限制槽；12、
半圆限制块。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1
‑
6，本技术提供一种技术方案：一种双面散热半导体IGBT管，包括集电插针A1、集电插针B2、集电插针C3和IGBT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面散热半导体IGBT管，包括集电插针A(1)、集电插针B(2)、集电插针C(3)和IGBT管主体(5)，其特征在于：所述IGBT管主体(5)的下端安装有集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)，所述集电插针A(1)位于集电插针B(2)的左侧，所述集电插针C(3)位于集电插针B(2)的右侧，所述集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)的上端外部套接有插针加固装置(4)，所述IGBT管主体(5)的后端向上贯穿有门极导电片(6)，所述门极导电片(6)靠近上侧中心处内部设置有固定圆孔(7)，所述门极导电片(6)靠近上侧左右两端外壁内部均设置有固定卡口(8)，所述插针加固装置(4)包括绝缘加固块(9)、密封垫(10)、加固与限制槽(11)和半圆限制块(12)，所述绝缘加固块(9)竖向内部设置有三个等距排列的加固与限制槽(11)，三个所述加固与限制槽(11)分别对应套接在集电插针A(1)、集电插针B(2)和集电插针C(3)的外部，所述绝缘加固块(9)的顶端设置有密封垫(10)，所述密封垫(10)的顶端通过封装胶与IGBT管主体(5)固定连接，三个所述加固与限制槽(11)的前后两端内壁上均设置有半圆限制块(12)。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：周炳，王啸，付国振，薛芳峰，
申请(专利权)人：德兴市意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：