一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置制造方法及图纸

技术编号:30195843 阅读:30 留言:0更新日期:2021-09-29 08:43
本实用新型专利技术涉及一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置,所属硅片表面物清除设备技术领域,包括集水箱,所述的集水箱上设有片盒,所述的片盒内设有若干与片盒相插嵌连接的硅片,所述的片盒两端均设有与集水箱相卡嵌的连接短轴,所述的片盒上若干设有与硅片相连通的排水槽,所述的硅片上端设有喷管,所述的喷管下端设有若干位于两硅片间的吹气孔。具有结构简单、稳定性高和使用效果好的特点。解决了硅片表面水滴残留的问题。硅片表面水滴残留的问题。硅片表面水滴残留的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置


[0001]本技术涉及硅片表面物清除设备
,具体涉及一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置。

技术介绍

[0002]光洋双面研磨机在清洗站出来的硅片会残留水滴在硅片表面,直接影响到量测的真实数据,并影响生产产量。

技术实现思路

[0003]本技术主要解决现有技术中存在稳定性低和使用效果差的不足,提供了一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置,其具有结构简单、稳定性高和使用效果好的特点。解决了硅片表面水滴残留的问题。
[0004]本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
[0005]一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置,包括集水箱,所述的集水箱上设有片盒,所述的片盒内设有若干与片盒相插嵌连接的硅片,所述的片盒两端均设有与集水箱相卡嵌的连接短轴,所述的片盒上若干设有与硅片相连通的排水槽,所述的硅片上端设有喷管,所述的喷管下端设有若干位于两硅片间的吹气孔。
[0006]作为优选,所述的喷管两端与集水箱间设有连接支架。
>[0007]作为优本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置,其特征在于:包括集水箱(11),所述的集水箱(11)上设有片盒(7),所述的片盒(7)内设有若干与片盒(7)相插嵌连接的硅片(6),所述的片盒(7)两端均设有与集水箱(11)相卡嵌的连接短轴(9),所述的片盒(7)上若干设有与硅片(6)相连通的排水槽(10),所述的硅片(6)上端设有喷管(4),所述的喷管(4)下端设有若干位于两硅片(6)间的吹气孔(5)。2.根据权利要求1所述的一种用...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄维诚
申请(专利权)人:杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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