一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置，所属硅片表面物清除设备技术领域，包括集水箱，所述的集水箱上设有片盒，所述的片盒内设有若干与片盒相插嵌连接的硅片，所述的片盒两端均设有与集水箱相卡嵌的连接短轴，所述的片盒上若干设有与硅片相连通的排水槽，所述的硅片上端设有喷管，所述的喷管下端设有若干位于两硅片间的吹气孔。具有结构简单、稳定性高和使用效果好的特点。解决了硅片表面水滴残留的问题。硅片表面水滴残留的问题。硅片表面水滴残留的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置


[0001]本技术涉及硅片表面物清除设备
，具体涉及一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置。

技术介绍

[0002]光洋双面研磨机在清洗站出来的硅片会残留水滴在硅片表面，直接影响到量测的真实数据，并影响生产产量。

技术实现思路

[0003]本技术主要解决现有技术中存在稳定性低和使用效果差的不足，提供了一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置，其具有结构简单、稳定性高和使用效果好的特点。解决了硅片表面水滴残留的问题。
[0004]本技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
[0005]一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置，包括集水箱，所述的集水箱上设有片盒，所述的片盒内设有若干与片盒相插嵌连接的硅片，所述的片盒两端均设有与集水箱相卡嵌的连接短轴，所述的片盒上若干设有与硅片相连通的排水槽，所述的硅片上端设有喷管，所述的喷管下端设有若干位于两硅片间的吹气孔。
[0006]作为优选，所述的喷管两端与集水箱间设有连接支架。
[0007]作为优选，所述的喷管两上端均设有与连接支架相螺栓连接固定的压扣。
[0008]作为优选，所述的集水箱侧边设有气泵，所述的气泵与喷管间设有进气管。
[0009]本技术能够达到如下效果：
[0010]本技术提供了一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置，与现有技术相比较，具有结构简单、稳定性高和使用效果好的特点。解决了硅片表面水滴残留的问题。
附图说明r/>[0011]图1是本技术的结构示意图。
[0012]图中：气泵1，进气管2，压扣3，喷管4，吹气孔5，硅片6，片盒7，连接支架8，连接短轴9，排水槽10，集水箱11。
具体实施方式
[0013]下面通过实施例，并结合附图，对本技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0014]实施例：如图1所示，一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置，包括集水箱11，集水箱11上设有片盒7，片盒7内设有23片与片盒7相插嵌连接的硅片6，片盒7两端均设有与集水箱11相卡嵌的连接短轴9，片盒7上23个设有与硅片6相连通的排水槽10，硅片6上端设有喷管4，喷管4两端与集水箱11间设有连接支架8。喷管4下端设有24位于两硅片6间的吹气孔5。喷管4两上端均设有与连接支架8相螺栓连接固定的压扣3。集水箱11侧边设有气
泵1，气泵1与喷管4间设有进气管2。
[0015]综上所述，该用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置，具有结构简单、稳定性高和使用效果好的特点。解决了硅片表面水滴残留的问题。
[0016]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范实施例的细节，而且在不背离技术的基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0017]总之，以上所述仅为本技术的具体实施例，但本技术的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本技术的专利范围之中。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理清洗后晶片表面水滴残留的装置，其特征在于：包括集水箱(11)，所述的集水箱(11)上设有片盒(7)，所述的片盒(7)内设有若干与片盒(7)相插嵌连接的硅片(6)，所述的片盒(7)两端均设有与集水箱(11)相卡嵌的连接短轴(9)，所述的片盒(7)上若干设有与硅片(6)相连通的排水槽(10)，所述的硅片(6)上端设有喷管(4)，所述的喷管(4)下端设有若干位于两硅片(6)间的吹气孔(5)。2.根据权利要求1所述的一种用...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄维诚，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：