半导体存储器的训练方法及相关设备技术

本公开关于一种半导体存储器的训练方法及相关设备。该方法包括：从多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压；根据每根目标信号线在第一参考电压下的最小时延值，获得多根目标信号线在第一参考电压下的第一最小时延值；根据每根目标信号线在第二参考电压下的最小时延值，获得多根目标信号线在第二参考电压下的第二最小时延值；根据第一最小时延值和第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，期望时延值为多个参考电压下多根目标信号线的最小时延值中的最大值；在目标区间内查找期望时延值，以确定期望时延值对应的参考电压作为半导体存储器的训练结果。的训练结果。的训练结果。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器的训练方法及相关设备


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体存储器的训练方法、半导体存储器的训练装置、电子设备和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]当前的半导体存储器均需要通过训练方能满足正常工作要求，而半导体存储器训练是系统启动阶段必不可少的环节，并且半导体存储器需要训练的种类比较多，例如CA Training(Command Address Training指令地址训练)、Write Training(写训练)等。
[0003]而每种训练均需要在一定的电压范围内找出最大可工作范围的时延(margin)，训练的快慢决定了系统启动的快慢。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种半导体存储器的训练方法及装置、电子设备和计算机可读存储介质，可以减少半导体存储器的训练时间。<br/>[0006]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器的训练方法，其特征在于，所述半导体存储器包括多根目标信号线，每根目标信号线在目标电压参考范围内具有多个参考电压；其中，所述方法包括：从所述多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压；根据每根目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值；根据每根目标信号线在所述第二参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述第二参考电压下的第二最小时延值；根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，所述期望时延值为所述多个参考电压下所述多根目标信号线的最小时延值中的最大值；在所述目标区间内查找所述期望时延值，以确定所述期望时延值对应的参考电压作为所述半导体存储器的训练结果。2.根据权利要求1所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，所述多根目标信号线包括第一目标信号线；其中，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值，包括：获取所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的初始时延范围；在所述初始时延范围内，按照第一步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第一待测试时延值；在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第一待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则根据第二步长在首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值；其中所述第一步长大于所述第二步长。3.根据权利要求2所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，获得所述多根目标信号线在所述第一参考电压下的第一最小时延值，还包括：在所述第一参考电压下，向所述半导体存储器写入数据；在所述第一参考电压下，在所述第一待测试时延值后，从所述半导体存储器读取数据；若所述写入数据与所述读取数据一致，则判定在所述第一参考电压下的所述第一待测试时延值下，所述第一目标信号线的测试结果为正常工作；若所述写入数据与所述读取数据不一致，则判定在所述第一参考电压下的所述第一待测试时延值下，所述第一目标信号线的测试结果为非正常工作。4.根据权利要求2所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，根据第二步长在首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，包括：从首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第一侧的第一待测试时延值开始，按照所述第二步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第二待测试时延值；在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第二待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第二待测试时延值中的位于第二侧的第二待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。5.根据权利要求2所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，根据第二步长在首次
查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值，包括：从首次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第二侧的第一待测试时延值开始，按照所述第二步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第二待测试时延值；在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第二待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第二待测试时延值中的位于第一侧的第二待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最小时延值。6.根据权利要求2所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第一参考电压下，若再次查找到相邻两个第一待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则根据第三步长在再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值；其中所述第一步长大于所述第三步长。7.根据权利要求6所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，根据第三步长在再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值，包括：从再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第一侧的第一待测试时延值开始，按照所述第三步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第三待测试时延值；在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第三待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第三待测试时延值中的位于第一侧的第三待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值。8.根据权利要求6所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，根据第三步长在再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值之间查找所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值，包括：从再次查找的所述相邻两个第一待测试时延值中的位于第二侧的第一待测试时延值开始，按照所述第三步长获得所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的第三待测试时延值；在所述第一参考电压下，若首次查找到相邻两个第三待测试时延值下所述第一目标信号线的测试结果不一致，则将首次查找的所述相邻两个第三待测试时延值中的位于第二侧的第三待测试时延值作为所述第一目标信号线在所述第一参考电压下的最大时延值。9.根据权利要求1所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，根据所述第一最小时延值和所述第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，包括：若所述第二参考电压位于所述第一参考电压的第一侧，且所述第一最小时延值大于所述第二最小时延值，则所述目标区间处于所述第一参考电压和所述多个参考电压中的最大参考电压之间。10.根据权利要求9所述的半导体存储器的训练方法，其特征在于，在所述目标区间内查找所述期望时延值，包括：从所述第一参考电压开始，在所述目标区间内按照第四步长选取第一待测试参考电
压；根据每根目标信号线在所述第一待测试参考电压下的最小时延值，获得所述多根目标信号线在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙光腾，许小峰，连军委，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：