一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法技术

本发明专利技术提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明专利技术一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。且洁净度的均匀性好。且洁净度的均匀性好。

【技术实现步骤摘要】
一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法


[0001]本专利技术涉及石墨烯薄膜，具体为一种提高石墨烯洁净度的方法。

技术介绍

[0002]石墨烯是一种由碳原子构成的单原子层的二维原子晶体材料，具有优异的电子学和光电子学性质，自从发现起就引起了学界和产业界的广泛重视。从材料制备角度考虑，化学气相沉积法是制备高质量石墨烯薄膜的首选方法：通常是将衬底置于高温腔室中，并通入碳源和还原性气体，碳源在铜的催化作用下裂解成碳碎片用于石墨烯的形核、生长并拼接成膜，形成石墨烯薄膜。在此过程中，碳源裂解并不充分，在生成石墨烯的同时，表面也生成了无定型碳等杂质存在于石墨烯的表面，严重影响了石墨烯薄膜的质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个主要目的在提供一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法，包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。
[0004]根据本专利技术一实施方式，所述高温处理的温度为1000～1050℃。
[0005]根据本专利技术一实施方式，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法，包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高温处理的温度为1000～1050℃。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述真空环境的压强为20Pa以下。4.根据权利要求1所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠范，彭海琳，李广亮，张金灿，刘晓婷，薛睿文，陈恒，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：