带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂技术

本发明专利技术公开了一种带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂，所述清洗方法包括：将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。本发明专利技术能够有效清洗掉物件上的光刻胶。有效清洗掉物件上的光刻胶。有效清洗掉物件上的光刻胶。

【技术实现步骤摘要】
带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，尤其涉及一种带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂。

技术介绍

[0002]通常，半导体的粘接过程是离不开光刻胶的，这些都需要粘接在半导体夹具(半导体承载盘)上，通过粘上光刻胶来完成。因而，工序完成后，将半导体取下，夹具上布满了光刻胶等杂质，需要进行清洗，以满足半导体夹具的循环再利用。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂，其能够有效清洗掉物件上的光刻胶。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术一实施例提供了一种带有光刻胶的物件的清洗方法，其包括：
[0005]将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
[0006]作为上述方案的改进，在所述将所述物件从光刻胶清洗剂中取出并进行清洗之后，所述方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有光刻胶的物件的清洗方法，其特征在于，包括：将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。2.根据权利要求1所述的带有光刻胶的物件的清洗方法，其特征在于，在所述将所述物件从光刻胶清洗剂中取出并进行清洗之后，所述方法还包括：将所述物件从光刻胶清洗剂中取出并进行刷洗；将所述物件放入到去离子水中进行清洗；将所述物件放入到乙醇中进行清洗。3.根据权利要求2所述的带有光刻胶的物件的清洗方法，其特征在于，所述将所述物件放入到去离子水中进行清洗，包括：将所述物件放入到去离子水中并进行超声波震动清洗；其中，超声波频率为25-30KHz，所述去离子水的清洗温度为35-45℃，所述物件在去离子水中的清洗时间为20-30分钟；从去离子水中取出所述物件并采用50-60℃的热风进行烘干5-8分钟。4.根据权利要求2所述的带有光刻胶的物件的清洗方法，其特征在于，所述将所述物件放入到乙醇中进行清洗，包括：将所述物件放入到乙醇中并进行超声波震动清洗；其中，超声波...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨健，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：