带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂技术

本发明专利技术公开了一种带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂，所述清洗方法包括：将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。本发明专利技术能够有效清洗掉物件上的光刻胶。有效清洗掉物件上的光刻胶。有效清洗掉物件上的光刻胶。

【技术实现步骤摘要】
带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，尤其涉及一种带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂。

技术介绍

[0002]通常，半导体的粘接过程是离不开光刻胶的，这些都需要粘接在半导体夹具(半导体承载盘)上，通过粘上光刻胶来完成。因而，工序完成后，将半导体取下，夹具上布满了光刻胶等杂质，需要进行清洗，以满足半导体夹具的循环再利用。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂，其能够有效清洗掉物件上的光刻胶。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术一实施例提供了一种带有光刻胶的物件的清洗方法，其包括：
[0005]将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
[0006]作为上述方案的改进，在所述将所述物件从光刻胶清洗剂中取出并进行清洗之后，所述方法还包括：
[0007]将所述物件从光刻胶清洗剂中取出并进行刷洗；
[0008]将所述物件放入到去离子水中进行清洗；
[0009]将所述物件放入到乙醇中进行清洗。
[0010]作为上述方案的改进，所述将所述物件放入到去离子水中进行清洗，包括：
[0011]将所述物件放入到去离子水中并进行超声波震动清洗；其中，超声波频率为25-30KHz，所述去离子水的清洗温度为35-45℃，所述物件在去离子水中的清洗时间为20-30分钟；
[0012]从去离子水中取出所述物件并采用50-60℃的热风进行烘干5-8分钟。
[0013]作为上述方案的改进，所述将所述物件放入到乙醇中进行清洗，包括：
[0014]将所述物件放入到乙醇中并进行超声波震动清洗；其中，超声波频率为10-15KHz，所述去离子水的清洗温度为15-25℃，所述物件在去离子水中的清洗时间为5-15分钟；
[0015]从乙醇中取出所述物件并采用40-60℃的热风进行烘干1-3分钟。
[0016]作为上述方案的改进，所述光刻胶清洗剂按重量份计包括以下组分：2.0％聚氧化丙烯三醇，5.0％脂肪醇聚氧乙烯醚，10％环己酮，4％对氨基苯甲酸甲酯和4％儿茶酚，其余为离子水。
[0017]作为上述方案的改进，所述物件为半导体承载盘。
[0018]作为上述方案的改进，所述物件在所述光刻胶清洗剂中的浸泡时间为1-3小时，浸
泡温度为80-95℃。
[0019]本专利技术另一实施例提供了一种光刻胶清洗剂，其包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
[0020]作为上述方案的改进，所述光刻胶清洗剂按重量份计包括以下组分：2.0％聚氧化丙烯三醇，5.0％脂肪醇聚氧乙烯醚，10％环己酮，4％对氨基苯甲酸甲酯和4％儿茶酚，其余为离子水。
[0021]相比于现有技术，本专利技术提供的光刻清洗剂包括：有机溶剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮。这样光刻胶清洗剂具有对光刻胶很强的清洗能力。同时，光刻胶清洗剂还包括腐蚀抑制剂，所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。这样能够更好地确保光刻胶清洗剂不会腐蚀所述物件。因此，通过用所述光刻胶清洗剂来对物件上的光刻胶清洗，能够在保证不对物件造成腐蚀的情况下对物件上的光刻胶进行有效清洗。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本专利技术实施例提供一种带有光刻胶的物件的清洗方法的工艺流程图。
具体实施方式
[0024]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]本专利技术一实施例提供了一种光刻胶清洗剂，其包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
[0026]本专利技术实施例提供的光刻清洗剂包括：有机溶剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮。这样光刻胶清洗剂具有对光刻胶很强的清洗能力。同时，光刻胶清洗剂还包括腐蚀抑制剂，所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。这样能够更好地确保光刻胶清洗剂不会腐蚀所述物件。因此，通过用所述光刻胶清洗剂来对物件上的光刻胶清洗，能够在保证不对物件造成腐蚀的情况下对物件上的光刻胶进行有效清洗。
[0027]示例性地，所述光刻胶清洗剂按重量份计包括以下组分：2.0％聚氧化丙烯三醇，5.0％脂肪醇聚氧乙烯醚，10％环己酮，4％对氨基苯甲酸甲酯和4％儿茶酚，其余为离子水。通过采用上述组分的光刻胶清洗剂，能够最大程度上确保不对物件造成腐蚀，并更有效地对物件上的光刻胶进行清洗。
[0028]请参见图1，本专利技术一实施例提供了一种带有光刻胶的物件的清洗方法，其包括：
[0029]S10，将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
[0030]示例性地，所述物件在所述光刻胶清洗剂中的浸泡时间为1-3小时，浸泡温度为80-95℃。这样，能够更有效地去除物件的表面上的光刻胶。
[0031]进一步的，在所述步骤S10之后，所述方法还包括以下步骤：
[0032]S11，将所述物件从光刻胶清洗剂中取出并进行刷洗；
[0033]通过所述物件进行刷洗，能够去除物件表面残留的光刻胶清洗剂，还能够去除物件的表面残留的光刻胶和金属非金属半导体杂质。
[0034]S12，将所述物件放入到去离子水中进行清洗；
[0035]通过将物件放入到去离子水中进行清洗，能够进一步去除物件表面残留的光刻胶清洗剂，还能够进一步去除物件的表面残留的光刻胶和金属非金属半导体颗粒杂质。
[0036]S13，将所述物件放入到乙醇中进行清洗。
[0037]通过将物件放入到去乙醇中进行清洗，能够更进一步去除物件表面残留的光刻胶清洗剂，还能够更进一步去除物件的表面残留的光刻胶和颗粒杂质。
[0038]作为上述方案的改进，所述将所述物件放入到去离子水中进行清洗，包括：
[0039]S120，将所述物件放入到去离子水中并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有光刻胶的物件的清洗方法，其特征在于，包括：将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。2.根据权利要求1所述的带有光刻胶的物件的清洗方法，其特征在于，在所述将所述物件从光刻胶清洗剂中取出并进行清洗之后，所述方法还包括：将所述物件从光刻胶清洗剂中取出并进行刷洗；将所述物件放入到去离子水中进行清洗；将所述物件放入到乙醇中进行清洗。3.根据权利要求2所述的带有光刻胶的物件的清洗方法，其特征在于，所述将所述物件放入到去离子水中进行清洗，包括：将所述物件放入到去离子水中并进行超声波震动清洗；其中，超声波频率为25-30KHz，所述去离子水的清洗温度为35-45℃，所述物件在去离子水中的清洗时间为20-30分钟；从去离子水中取出所述物件并采用50-60℃的热风进行烘干5-8分钟。4.根据权利要求2所述的带有光刻胶的物件的清洗方法，其特征在于，所述将所述物件放入到乙醇中进行清洗，包括：将所述物件放入到乙醇中并进行超声波震动清洗；其中，超声波...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨健，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：