一种PVD镀膜设备制造技术

本发明专利技术提供一种PVD镀膜设备，包括：腔体、溅射单元、基座、承载装置、形变传感器和边缘顶针装置；溅射单元位于腔体上部；基座、承载装置位于腔体内部，承载装置包括承载件和升降机构，承载件位于基座的外围，升降机构与承载件相连接；形变传感器位于腔体内壁，一端电性连接有控制单元；边缘顶针装置有两个，分别与控制单元电性连接，根据控制单元接收到的晶圆形变的信号将镀膜后的晶圆顶起。本发明专利技术中的设备保证晶圆只在边缘处接触边缘凸环，减少了晶圆正面的划伤和晶圆碎片，提升良率且有效防止晶圆正面产品被镀；且兼顾镀膜后不同的晶圆翘曲形变，大幅降低晶圆滑落及碎片的几率。大幅降低晶圆滑落及碎片的几率。大幅降低晶圆滑落及碎片的几率。

【技术实现步骤摘要】
一种PVD镀膜设备


[0001]本专利技术涉及一种半导体高端设备制造
，具体涉及一种气相沉积设备，特别是涉及一种PVD镀膜设备。

技术介绍

[0002]在半导体功率器件制造过程中，晶圆正面器件工艺完成之后，常常需要对晶圆背面进行减薄并用物理气相沉积（PVD）对晶圆背面进行金属化工艺处理。物理气相沉积是利用某种物理过程实现物质转移，将原子或分子由（靶）源气相转移到衬底表面形成薄膜的过程，目前主流的物理气相沉积在进行工艺镀膜时，是将晶圆放置在平坦的晶圆基座上进行处理，这种方法对于上述提到的功率器件晶圆背面镀膜存在以下问题：由于晶圆正面已经完成工艺处理，要对晶圆背面进行工艺处理，势必要将晶圆正面放置在晶圆基座上镀膜，所以晶圆正面几乎与晶圆基座完全接触，这样不可避免的对晶圆正面产品造成划伤，甚至在某些高低温条件下导致晶圆上部分元素反渗到晶圆基座上导致产品失效以及晶圆基座的报废。
[0003]另外由于晶圆厚度需要减薄到100μm，60μm甚至40μm，晶圆背面在沉积完高应力的Ti/Ni(NiV)/Ag多层膜后，晶圆常常会出现向上（倒扣碗状）本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PVD镀膜设备，其特征在于，所述PVD镀膜设备包括：腔体；溅射单元，所述溅射单元位于所述腔体上部；基座，所述基座位于所述腔体内部；承载装置，所述承载装置位于所述腔体内，包括承载件和升降机构，所述承载件位于所述基座的外围，用于承载晶圆，所述升降机构与所述承载件相连接，其中，所述升降机构包括设置于所述腔体外的升降控制器，通过所述升降控制器调节所述承载件的高度，以调节所述晶圆与所述基座之间的间距；形变传感器，所述形变传感器位于所述腔体内壁，用于探测镀膜后晶圆的形变；所述形变传感器的一端电性连接有控制单元，所述控制单元用于接收所述形变传感器探测到的晶圆形变的信号；边缘顶针装置，所述边缘顶针装置设置有两个，分别为第一边缘顶针装置和第二边缘顶针装置；所述第一边缘顶针装置包括多个第一顶针和第一边缘驱动机构，多个所述第一顶针均贯穿所述承载件，所述第一边缘驱动机构与多个第一顶针固定连接，用于驱动第一顶针的上下运动；所述第二边缘顶针装置包括多个第二顶针和第二边缘驱动机构，多个所述第二顶针均贯穿所述承载件，所述第二边缘驱动机构与多个所述第二顶针固定连接，用于驱动第二顶针的上下运动；其中，所述第一边缘驱动机构和第二边缘驱动机构均与所述控制单元电性连接，所述控制单元根据接收到的信号来控制所述第一边缘驱动机构驱动第一顶针，或控制所述第二边缘驱动机构驱动第二顶针将镀膜后的晶圆顶起。2.根据权利要求1所述的PVD镀膜设备，其特征在于：所述第一顶针包括第一支撑杆和位于所述第一支撑杆上方的第一支撑部，所述第一支撑部的一侧呈针状，另一侧为向下凹的弧面；所述形变传感器探测到晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：方合，周云，宋维聪，
申请(专利权)人：陛通半导体设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：