基于固态等离子体的可调谐光缓存器制造技术

本实用新型专利技术公开了基于固态等离子体的可调谐光缓存器，属于无线电通信技术领域，包括呈L型的介质基板，所述介质基板的内侧两个基板面上均设有一个锯齿型明模谐振单元和两个齿轮型准暗模谐振单元；所述锯齿型明模谐振单元包括一个横切线和两组锯齿组，所述横切线沿介质基板的基板面水平中线设置，所述横切线的两端为三角形结构，两组所述锯齿组分别靠近所述横切线两端且异侧设置，所述锯齿组包括三个长度由大到小沿所述横切线方向依次排布的锯齿；所述齿轮型准暗模谐振单元包括两个八边形齿轮组，两个所述齿轮组分别靠近所述横切线两端且与所述横切线两端的所述锯齿组异侧设置。本实用新型专利技术提供的可调谐光缓存器能够实现光缓存功能。缓存功能。缓存功能。

【技术实现步骤摘要】
基于固态等离子体的可调谐光缓存器


[0001]本技术涉及无线电通信
，尤其涉及一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器。

技术介绍

[0002]电磁超材料具有与普通材料不同的电磁特性，因此在固体物理、材料学、光学以及电磁学等研究领域得到极大地关注和应用。
[0003]近些年来，基于电磁超材料的类电磁诱导透明成为了研究的热点。电磁诱导透明是三原子系统中一个重要的量子干涉现象，其特征是使原来吸收谱中出现一个陡峭的宽带传输峰，同时在窄带传输窗口中，传输的相位发生突变，因而产生光速减慢效果以及非线性作用。然而，这种三能级原子系统中的电磁诱导透明的发生条件极为苛刻，常常需要接近绝对零度的超低温以及高强度激光，实现成本较大且实验环境难以控制，因此大大限制了电磁诱导透明在实际工程上的应用。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器，能够实现光缓存功能。
[0005]为达到上述目的，本技术是采用下述技术方案实现的：
[0006]第一方面，本技术提供了一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器，包括呈L型的介质基板，所述介质基板的内侧两个基板面上均设有一个锯齿型明模谐振单元和两个齿轮型准暗模谐振单元；
[0007]所述锯齿型明模谐振单元包括一个横切线和两组锯齿组，所述横切线沿介质基板的基板面水平中线设置，所述横切线的两端为三角形结构，两组所述锯齿组分别靠近所述横切线两端且异侧设置，所述锯齿组包括三个长度由大到小沿所述横切线方向依次排布的锯齿；
[0008]所述齿轮型准暗模谐振单元包括两个八边形齿轮组，两个所述齿轮组分别靠近所述横切线两端且与所述横切线两端的所述锯齿组异侧设置。
[0009]进一步的，所述齿轮组包括开口八边形齿轮和闭口八边形齿轮，所述开口八边形齿轮和闭口八边形齿轮由外向内依次同心设置。
[0010]进一步的，所述开口八边形齿轮的开口位于远离所述横切线的一侧。
[0011]进一步的，所述开口八边形齿轮的开口处两端和所述开口八边形齿轮的中间对称处的材料为固态等离子体，所述开口八边形齿轮的其余本体部分和所述闭口八边形齿轮的材料为铜；
[0012]所述横切线的中间部分的材料为固态等离子体，所述横切线中间部分以外的其余部分材料为铜。
[0013]进一步的，所述横切线长为158.4μm，宽为11.4μm，所述横切线两端的三角形高为
5.7μm，从所述横切线向中间的同侧三个所述锯齿长度依次为17μm、 12μm、7μm，所述锯齿宽为4μm，所述锯齿末端的三角形高为2μm，同一侧的所述锯齿间隔为16μm，所述中间部分的固态等离子体的长度为0.5μm，靠近中间的锯齿与中间部分的固态等离子体的间隔为20.75μm。
[0014]进一步的，所述齿轮型准暗模谐振单元的中心与所述介质基板的中心的二维间隔为60μm和65μm；
[0015]所述开口八边形齿轮为内半径为27.6μm，宽为11μm，开口大小为17μm的开口八边形环；
[0016]所述开口八边形齿轮的开口两端增加固态等离子体部分后的开口为 13.4μm，中间对称处的固态等离子体部分宽为0.2μm；
[0017]所述闭口八边形齿轮为内半径为4μm，宽为2μm的闭合八边形环。
[0018]进一步的，所述锯齿型明模谐振单元和所述齿轮型准暗模谐振单元的厚度均为0.3μm。
[0019]进一步的，所述介质基板的介电常数为4.41，损耗角正切为0。
[0020]第二方面，本技术提供了一种可调谐光缓存器，包括若干个周期矩阵排列的如第一方面中所述基于固态等离子体的可调谐光缓存器。
[0021]进一步的，若干所述基于固态等离子体的可调谐光缓存器的周期矩阵排列为3*3矩阵。
[0022]与现有技术相比，本技术所达到的有益效果：
[0023]本技术提供的基于固态等离子体的可调谐光缓存器，通过金属铜和固态等离子体构成的明模和准暗模谐振单元间的耦合作用，产生伴随着强烈慢光效应的电磁诱导透明窗口，实现可调谐的光缓存功能；
[0024]通过外加电压调控实现由固态等离子体构成的谐振单元金属、介质性质的转换，以此实现电磁诱导透明窗口及相应光缓存功能的可调控性；
[0025]能够在较小的微米量级的物理尺寸下实现光速的减慢和光信号的缓存功能，具有可调控、功能性强、极化不敏感、低损耗等特点。
附图说明
[0026]图1是本技术实施例提供的一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器结构单元图；
[0027]图2为本技术实施例提供的一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器结构单元右视图；
[0028]图3为本技术实施例提供的一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器结构单元底部图；
[0029]图4为本技术实施例提供的一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器结构单元正视图；
[0030]图5为本技术实施例提供的一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器结构单元阵列(3*3)图；
[0031]图6为本技术实施例提供的一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器 TE模
式电磁波垂直入射时的状态一和状态二的透射曲线；
[0032]图7为本技术实施例提供的一种基于固态等离子体的可调谐光缓存器TE模式电磁波垂直入射时的状态一和状态二的群折射率变化曲线；
[0033]图中：
[0034]1、介质基板；2、开口八边形齿轮；3、横切线；4、闭口八边形齿轮；5、锯齿组；6、开口处两端；7、中间对称处；8、横切线中间部分。
具体实施方式
[0035]下面结合附图对本技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0036]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0037]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于固态等离子体的可调谐光缓存器，其特征在于，包括呈L型的介质基板，所述介质基板的内侧两个基板面上均设有一个锯齿型明模谐振单元和两个齿轮型准暗模谐振单元；所述锯齿型明模谐振单元包括一个横切线和两组锯齿组，所述横切线沿介质基板的基板面水平中线设置，所述横切线的两端为三角形结构，两组所述锯齿组分别靠近所述横切线两端且异侧设置，所述锯齿组包括三个长度由大到小沿所述横切线方向依次排布的锯齿；所述齿轮型准暗模谐振单元包括两个八边形齿轮组，两个所述齿轮组分别靠近所述横切线两端且与所述横切线两端的所述锯齿组异侧设置。2.根据权利要求1所述的基于固态等离子体的可调谐光缓存器，其特征在于，所述齿轮组包括开口八边形齿轮和闭口八边形齿轮，所述开口八边形齿轮和闭口八边形齿轮由外向内依次同心设置。3.根据权利要求2所述的基于固态等离子体的可调谐光缓存器，其特征在于，所述开口八边形齿轮的开口位于远离所述横切线的一侧。4.根据权利要求3所述的基于固态等离子体的可调谐光缓存器，其特征在于，所述开口八边形齿轮的开口处两端和所述开口八边形齿轮的中间对称处的材料为固态等离子体，所述开口八边形齿轮的其余本体部分和所述闭口八边形齿轮的材料为铜；所述横切线的中间部分的材料为固态等离子体，所述横切线中间部分以外的其余部分材料为铜。5.根据权利要求4所述的基于固态等离子体的可调谐光缓存器，其特征在于，所述横切线长为158.4μm，宽为11.4μm，所述横切线两端的三...

【专利技术属性】
技术研发人员：李汾应，陈权芳，徐艺，章海锋，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：新型
国别省市：