【技术实现步骤摘要】
一种高精度晶圆划片基材膜及其制备方法
[0001]本专利技术涉及芯片、晶元封测用保护膜领域,尤其涉及一种高精度晶圆划片基材膜及其制备方法。
技术介绍
[0002]芯片、晶元在加工、封测的过程中需要保护膜粘着固定,方便加工切割,传统的保护膜容易出现不规则纹路,经过500倍放大可以观察到因激光切割而存在大量拉丝,其品质难以保证,会影响芯片、晶元的加工和封测。
技术实现思路
[0003]本专利技术为克服上述保护膜容易出现不规则纹路以及切割后存在大量拉丝等不足,旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。本专利技术广泛应用在贴片电子元器件、SMT元器件、MLCC片式电容、片式电感制程中的定位切割;半导体晶片表面加工;电子及光电产业部件制作加工工程;LCD和TP触控面板玻璃减薄,研磨抛光;LED切割研磨抛光;蓝宝石基板的薄化研磨制程;晶片研磨、切割;各种硅片、封装基板、陶瓷、玻璃、水晶精细电子零件的承载加工和各种材质的微小零件加工切割。
[0004]一种高精度晶圆划片基材膜,所述基材膜按重量百分比由以下组分组成:5%
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50%聚丙烯、10%
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85%聚烯烃弹性体和3%
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25%聚烯烃塑性体。
[0005]作为上述技术方案的改进之一,所述基材膜按重量百分比由以下组分组成:15%
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35%聚丙烯、50%
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75%聚烯烃弹性体和2%
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5%聚烯烃塑性体。
[0006]一种高精度晶圆划片基材膜及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高精度晶圆划片基材膜,其特征在于:所述基材膜按重量百分比由以下组分组成:5%
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50%聚丙烯、10%
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85%聚烯烃弹性体和3%
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25%聚烯烃塑性体。2.根据权利要求1所述的一种高精度晶圆划片基材膜,其特征在于:所述基材膜按重量百分比由以下组分组成:15%
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35%聚丙烯、50%
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75%聚烯烃弹性体和2%
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5%聚烯烃塑性体。3.一种高精度晶圆划片基材膜及其制备方法,应用于如权利要求1所述的一种高精度晶圆划片基材膜,其特征在于,包括以下步骤:按基材膜的配方配比准备好材料,将材料混合后通过流延机设备进行流延多层共挤制膜,并使用钢辊与胶辊对压成型,成型的膜在500倍放大镜下进行激光切割。4.根据权利要求3所述的一种高精度晶圆划片基材膜及其制备方法,其特征在于:所述钢辊的...
【专利技术属性】
技术研发人员:龙瑞东,
申请(专利权)人:东莞市卓一达新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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