一种光刻胶树脂单体及其合成方法和应用技术

本发明专利技术属于光刻胶树脂单体，公开了一种光刻胶树脂单体及其合成方法和应用，涉及光刻胶领域，所述树脂单体的结构为式Ⅰ：该结构中，n为1～10的整数，R1为氢、甲基或者氟代烷烃,R2为氢或者一价有机基团，且R2为一价有机基时，R2通过与相邻的O原子形成酯基或者碳酸酯基与多元环相连，且该结构的多元环上的氢原子可以被1～10个碳原子数的烷基取代。本发明专利技术提供了一种新的光刻胶树脂单体，有利于改善光刻图形的线宽粗糙度、焦点深度(DOF)和断面的矩形性，并且可以在一定程度上抑制光刻过程后烘导致的模收缩，提高光刻图形的分辨率。提高光刻图形的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶树脂单体及其合成方法和应用


[0001]本专利技术涉及光刻胶领域，公开了一种光刻胶树脂单体及其制备方 法和应用。

技术介绍

[0002]光刻技术是指利用光刻材料(特指光刻胶)在可见光、紫外线、 电子束等作用下的化学敏感性，通过曝光、显影、刻蚀等工艺过程， 将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上的图形微细加工技术。
[0003]光刻材料(特指光刻胶)，又称光致抗蚀剂，是光刻技术中涉及 的最关键的功能性化学材料，主要成分是树脂、光致酸产生剂、以及 相应的添加剂和溶剂，这类材料具有光(包括可见光、紫外线、电子 束等)化学敏感性，经光化学反应，本身在显影液中的溶解性发生变 化。根据光化学反应机理不同，光刻胶分为正性光刻胶与负性光刻胶： 曝光后，光刻胶在显影液中溶解性增加，得到与掩膜版相同图形的称 为正性光刻胶；曝光后，光刻胶在显影液中溶解性降低甚至不溶，得 到与掩膜版相反图形的称为负性光刻胶。
[0004]随着光刻技术的发展，光刻图案的尺寸要求越来越小，对光刻图 案的分辨率和边缘粗糙度也提出了更高的要求，开发新的光刻抗蚀剂 是很有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶树脂单体，其特征在于，所述树脂单体的结构为式Ⅰ：其中，n为1～10的整数，R1为氢、甲基或者氟代烷烃,R2为氢或者一价有机基团，且R2为一价有机基时，R2通过与相邻的O原子形成酯基或者碳酸酯基与多元环相连；且多元环上的氢原子可以被1～10个碳原子数的烷基取代。2.根据权利要求1所述的一种光刻胶树脂单体，其特征在于，所述式Ⅰ选自以下结构式Ⅱ、式Ⅲ和式Ⅳ之一：其中，n为1或2，R3为烷基，R1为氢、甲基或者三氟甲基。3.根据权利要求2所述的一种光刻胶树脂单体，其特征在于，所述树脂单体的选自以下结构：其中，R1为氢、甲基或者三氟甲基。4.根据权利要求3所述的一种光刻胶树脂单体，其特征在于，所述树脂单体的具体选自以下结构：
5.一种光刻胶树脂单体的合成方法，其特征在于，所述光刻胶树脂单体为式Ⅱ树脂单体，合成方法为：其中，n为1或2，R1为氢、甲基或者三氟甲基；步骤a.惰性气体保护下，将二氯化钛和1锌加入到二氯甲烷中，再加入三甲基乙腈，冷却到0～5摄氏度，然后加入环酮
Ⅱ‑
1的二氯甲烷溶液，在20～30摄氏度下反...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅志伟，潘新刚，薛富奎，刘司飞，纪兴跃，李静，
申请(专利权)人：徐州博康信息化学品有限公司，
类型：发明
国别省市：