【技术实现步骤摘要】
一种硅基晶圆的表面处理装置
[0001]本技术涉及半导体领域，具体的是一种硅基晶圆的表面处理装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。在晶圆生产制造的过程中，需要在硅基晶圆表面进行处理，实现微结构生成，该表面微结构是指在硅晶圆表面用高能激光进行能量源，使得激光照射区域产生物理汽化反应和生成等离子体；汽化后的物质在等离子体区域内和反应腔室内的氛围气体混合产生化学反应(包括化合反应和再结晶物理反应等)。在目前实验过程中，硅基晶圆表面处理大多使用的二步法，二步法做出的表面微结构分布不均匀，并且不规则，反应环境不稳定，表面处理工艺不佳，而且产生的反应生成物，容易造成待反应物污染。
技术实现思路
[0003]为了克服现有技术中的缺陷，本技术实施例提供了一种硅基晶圆的表面处理装置，能够为晶圆表面处理提供充分的反应环境，硅基晶圆表面处理稳定，效果好。
[0004]本申请实施例公开了：一种硅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅基晶圆的表面处理装置，其特征在于，包括密闭腔体和连通密闭腔体内部的第一管路以及第二管路，所述密闭腔体还连接有第三管路，所述密闭腔体内设有用于放置硅基晶圆的反应台，所述密闭腔体上设有对应所述反应台的高透光玻璃窗，所述密闭腔体的外部具有能量光源，所述能量光源、高透光玻璃窗和反应台的位置位于同一直线上，且所述能量光源透过所述高透光玻璃窗直射在所述反应台上的硅基晶圆上；所述第一管路连通氮气，所述第二管路连通惰性气体，所述第三管路外接真空泵，所述第一管路上设有第一控制阀，所述第二管路上设有第二控制阀，所述第三管路上设有第三控制阀；所述密闭腔体还外接有用于监测所述密闭腔体内部气压的压力计。2.根据权利要求1所述的表面处理装置，其特征在于，所述密闭腔体内设有屏蔽装置，所述屏蔽装置设置于所述密闭腔体的顶面，所述屏蔽装置不遮挡所述高透光玻璃窗，所述屏蔽装置由陶瓷材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄鹤，杨霞，
申请(专利权)人：昆山赛米瑟泊电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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