PSE芯片浪涌防护电路结构制造技术

本实用新型专利技术涉及PSE芯片浪涌防护电路结构，包括PSE芯片、开关控制管、共模电感、电阻，所述的共模电感和电阻串联，所述的共模电感的另一端与PSE芯片的正极输出端相连，所述的电阻的另一端与开关控制管的漏极相连，开关控制管的栅极与PSE芯片相连，开关控制管的源极接地。采用了本实用新型专利技术的PSE芯片浪涌防护电路结构，抑制了PSE芯片的输出噪声，且共模电感能有效延迟几百K赫兹的低频浪涌信号，使得设备运行更加稳定。本实用新型专利技术在PSE保护电路中采用大功率瞬态抑制二极管，大功率瞬态抑制二极管反应时间更快，通流量大，只需一级保护电路，利用单向二极管的特性将负向浪涌电流进行了抑制，在PSE开关管端加了电阻和共模电感的措施，很好的配合TVS快速工作。很好的配合TVS快速工作。很好的配合TVS快速工作。

【技术实现步骤摘要】
PSE芯片浪涌防护电路结构


[0001]本技术涉及防雷击
，尤其涉及通信类PSE设备网络输出端口的雷击防护领域，具体是指一种PSE芯片浪涌防护电路结构。

技术介绍

[0002]通信设备尤其是PSE(Power Sourcing Equipment，供电设备)类设备，使用环境大多数是无法在电网直接供电的区域，大部分使用区域如足球场、体育场之类都是直接暴露在大自然环境中，特别容易受到夏季雷暴的影响。
[0003]严重的雷雨天气往往会对PSE类通信设备带来很严重的破坏，爆炸起火甚至危及生命。为了防止此类情况的发生，必要的浪涌设计防护电路非常重要，不管是对客户还是对企业来说都是一份非常重要的责任，根据应用场景来设计标准等级。
[0004]一般的通信类PSE设备设计中大部分采用好几级防护的方式，设计由气体放电管，压敏电阻等保护器件组成,这样的设计不但器件成本较高，对于设备的体积也会有影响，大大降低了设备的市场竞争力。本方案是只采用一级防护，具有钳位电压低，过电流小的特点，用最少的器件和最优的成本使得设备能够防护高量级的浪涌，且同时具有差模和共模的防护能力，更好的加强了设备的稳定性。
[0005]本方案中延迟电路没有采用传统的电阻退耦方式，而是采用共模电感加电阻来实现，这样的好处是抑制了PSE芯片的输出噪声，且共模电感能有效延迟几百K赫兹的低频浪涌信号，使得设备运行更加稳定。传统的浪涌防护一般只在正负极上加气体放电管，但是由于气体放电管反应动作时间慢，而且长期的动作会使得器件失效很快，所以本技术在PSE保护电路中采用大功率瞬态抑制二极管，这样的设计是大功率瞬态抑制二极管反应时间更快，通流量大，只需一级保护电路，另外利用单向二极管的特性将负向浪涌电流进行了抑制，在PSE开关管端加了电阻和共模电感的措施，这样电路能很好的配合TVS快速工作。

技术实现思路

[0006]本技术的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种满足成本低、维修率低、保护效果好的PSE芯片浪涌防护电路结构。
[0007]为了实现上述目的，本技术的PSE芯片浪涌防护电路结构如下：
[0008]该PSE芯片浪涌防护电路结构，其主要特点是，所述的电路结构包括PSE芯片、开关控制管、共模电感、电阻，所述的共模电感和电阻串联，所述的共模电感的另一端与PSE芯片的正极输出端相连，所述的电阻的另一端与开关控制管的漏极相连，开关控制管的栅极与PSE芯片相连，开关控制管的源极接地。
[0009]较佳地，所述的电路结构还包括双向瞬态二极管、第一单向二极管、第二单向二极管、反向二极管，所述的共模电感的另两端分别与双向瞬态二极管与反向二极管的负极相连，所述的反向二极管的正极与第二单向二极管的负极相连，第二单向二极管的正极接地，所述的第一单向二极管并联接在双向瞬态二极管和第二单向二极管之间，所述的第一单向
二极管的两端分别与PSE芯片的正负极相连。
[0010]较佳地，所述的电路结构还包括RJ45供电端、电阻箱和surge发生器，所述的surge发生器的输出端与电阻箱相连，所述的电阻箱与RJ45供电端相连，所述的RJ45供电端分别与PSE芯片的正负极相连，输入电流。
[0011]较佳地，所述的双向瞬态二极管为SMCJ58CA型的瞬态抑制二极管。
[0012]较佳地，所述的第一单向二极管和第二单向二极管均采用SMCJ58A型的瞬态抑制二极管。
[0013]较佳地，所述的共模电感采用规格为5mH、4.5
×
10mm的插件共模电感。
[0014]较佳地，所述的反向二极管采用SR2100型的二极管，且具有100V耐压2A电流。
[0015]较佳地，所述的电阻为0.5欧姆，且电阻为0402封装的贴片电阻。
[0016]采用了本技术的PSE芯片浪涌防护电路结构，抑制了PSE芯片的输出噪声，且共模电感能有效延迟几百K赫兹的低频浪涌信号，使得设备运行更加稳定。传统的浪涌防护一般只在正负极上加气体放电管，但是由于气体放电管反应动作时间慢，而且长期的动作会使得器件失效很快，所以本技术在PSE保护电路中采用大功率瞬态抑制二极管，这样的设计是大功率瞬态抑制二极管反应时间更快，通流量大，只需一级保护电路，另外利用单向二极管的特性将负向浪涌电流进行了抑制，在PSE开关管端加了电阻和共模电感的措施，这样电路能很好的配合TVS快速工作。
附图说明
[0017]图1为本技术的PSE芯片浪涌防护电路结构的电路原理图。
[0018]图2为本技术的PSE芯片浪涌防护电路结构的正向浪涌电流方向路径图。
[0019]图3为本技术的PSE芯片浪涌防护电路结构的负向浪涌电流方向路径图。
具体实施方式
[0020]为了能够更清楚地描述本技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。
[0021]本技术的PSE芯片浪涌防护电路结构的技术方案中，其中所包括的各个功能模块和模块单元均能够对应于集成电路结构中的具体硬件电路，因此仅涉及具体硬件电路的改进，硬件部分并非仅仅属于执行控制软件或者计算机程序的载体，因此解决相应的技术问题并获得相应的技术效果也并未涉及任何控制软件或者计算机程序的应用，也就是说，本技术仅仅利用这些模块和单元所涉及的硬件电路结构方面的改进即可以解决所要解决的技术问题，并获得相应的技术效果，而并不需要辅助以特定的控制软件或者计算机程序即可以实现相应功能。
[0022]本技术的该PSE芯片浪涌防护电路结构，其中包括PSE芯片、开关控制管CMOS、共模电感L1、电阻R1，所述的共模电感L1和电阻R1串联，所述的共模电感L1的另一端与PSE芯片的正极输出端相连，所述的电阻R1的另一端与开关控制管CMOS的漏极相连，开关控制管CMOS的栅极与PSE芯片相连，开关控制管CMOS的源极接地。
[0023]作为本技术的优选实施方式，所述的电路结构还包括双向瞬态二极管TVS1、第一单向二极管TVS2、第二单向二极管TVS3、反向二极管S1，所述的共模电感的另两端分别
与双向瞬态二极管TVS1与反向二极管S1的负极相连，所述的反向二极管S1的正极与第二单向二极管TVS3的负极相连，第二单向二极管TVS3的正极接地，所述的第一单向二极管TVS2并联接在双向瞬态二极管TVS1和第二单向二极管TVS3之间，所述的第一单向二极管TVS2的两端分别与PSE芯片的正负极相连。
[0024]作为本技术的优选实施方式，所述的电路结构还包括RJ45供电端、电阻箱和surge发生器，所述的surge发生器的输出端与电阻箱相连，所述的电阻箱与RJ45供电端相连，所述的RJ45供电端分别与PSE芯片的正负极相连，输入电流。
[0025]作为本技术的优选实施方式，所述的双向瞬态二极管TVS1为SMCJ58CA型的瞬态抑制二极管。
[0026]作为本技术的优选实施方式，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PSE芯片浪涌防护电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括PSE芯片、开关控制管(CMOS)、共模电感(L1)、电阻(R1)，所述的共模电感(L1)和电阻(R1)串联，所述的共模电感(L1)的另一端与PSE芯片的正极输出端相连，所述的电阻(R1)的另一端与开关控制管(CMOS)的漏极相连，开关控制管(CMOS)的栅极与PSE芯片相连，开关控制管(CMOS)的源极接地。2.根据权利要求1所述的PSE芯片浪涌防护电路结构，其特征在于，所述的电路结构还包括双向瞬态二极管(TVS1)、第一单向二极管(TVS2)、第二单向二极管(TVS3)、反向二极管(S1)，所述的共模电感的另两端分别与双向瞬态二极管(TVS1)与反向二极管(S1)的负极相连，所述的反向二极管(S1)的正极与第二单向二极管(TVS3)的负极相连，第二单向二极管(TVS3)的正极接地，所述的第一单向二极管(TVS2)并联接在双向瞬态二极管(TVS1)和第二单向二极管(TVS3)之间，所述的第一单向二极管(TVS2)的两端分别与PSE芯片的正负极相连。3.根据权利要求2所述的PSE芯片浪涌防护电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹鹏，曾涛，
申请(专利权)人：上海市共进通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：