封装用基板及其制造方法技术

提供一种能抑制产生芯基板的破裂而可靠性较高的封装用基板。封装用基板(100)具有：由脆性材料形成的芯基板(11)；在芯基板(11)的单面上或两面上形成的1个或多个绝缘层(21)；以及在绝缘层(21)上和/或绝缘层(21)内形成的1个或多个配线层(31)，芯基板(11)在比绝缘层(21)的外周部分更靠外侧的位置露出，绝缘层(21)被进行了倒角。(21)被进行了倒角。(21)被进行了倒角。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装用基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及封装用基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]为了半导体芯片与母板之间的电连接而使用半导体封装用基板。另外，对于半导体封装用基板，还具有进行半导体芯片和供半导体封装安装的印刷配线板的热膨胀系数不同的桥接，提高系统的安装的接合可靠性的作用。根据这种作用，还将半导体封装用基板称为转接(interposer)基板等。另外，对于半导体封装用基板，使基板内的配线宽度、间距在各层发生变化，由此变换为半导体芯片、母板彼此间的配线宽度、配线间距而实现电连接。
[0003]近年来，为了在短期内开发高性能的系统，不仅使用当前的SoC(System on a Chip)，还使用在1个封装上构建大规模的系统的SiP(System in Package)。例如，还存在将CPU
·
GPU和大容量存储器等多个半导体芯片在1个封装用基板上彼此相邻地配置的情况、对芯片彼此堆叠而进行3维配置的方式。
[0004]然而，近年来的封装用基板的芯基板中，存在由虽然电特性优异但脆弱的材料(脆性材料)形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装用基板，其特征在于，所述封装用基板具有：由脆性材料形成的芯基板；在所述芯基板的单面上或两面上形成的1个或多个绝缘层；以及在所述绝缘层上和/或所述绝缘层内形成的1个或多个配线层，所述芯基板在比所述绝缘层的外周部分更靠外侧的位置露出，所述绝缘层被进行了倒角。2.根据权利要求1所述的封装用基板，其特征在于，所述绝缘层的剖面形状的至少一部分为圆弧形状。3.根据权利要求2所述的封装用基板，其特征在于，所述绝缘层的剖面的所述圆弧形状的曲率半径，大于或等于所述绝缘层的膜厚的1/20。4.根据权利要求1所述的封装用基板，其特征在于，所述绝缘层的剖面形状具有多阶构造。5.根据权利要求4所述的封装用基板，其特征在于，所述绝缘层的多阶构造从所述芯基板观察的第1阶的厚度小于或等于50μm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的封装用基板，其特征在于，所述绝缘层的平面形状的角部具有圆弧形状。7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装用基板，其特征在于，所述配线层中内至少在所述芯基板的表面形成的配线层的厚度小于或等于10μm。8.根据权利要求1至7中任一项所述的封装用基板，其特征在于，在将所述绝缘层中实施了倒角的区域定义为倒角部的情况下，所述绝缘层具有：包含所述倒角部在内的第1部位；以及位于该第1部位与所述芯基板之间的第2部位。9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装用基板，其特征在于，在将所述绝缘层中实施了倒角的区域定义为倒角部的情况下，所述倒角部设置于所述绝缘层的平面形状的直线部。10.根据权利要求1至9中任一项所述的封装用基板，其特征在于，所述芯基板为玻璃。11.一种封装用基板的制造方法，其特征在于，所述封装用基板具有：由脆性材料形成的芯基板；在所述芯基板的单面上或两面上形成的1个或多个绝缘层；以及在所述绝缘层上和/或所述绝缘层内形成的1个或多个配线层，所述芯基板在比所述绝缘层的外周部分更靠外侧的位置露出，所述封装用基板的制造方法包含针对所述封装用基板而对所述绝缘层进行倒角的工序。12.根据权利要求11所述的封装用基板的制造方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅村优树，小林茜，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：