半导体装置制造方法及图纸

提供能够降低具有霍尔元件的磁电转换特性的应力依赖性的半导体装置。半导体装置是形成在P型的半导体衬底上的半导体装置，具备：垂直电阻电路，包含N型的电阻，电阻形成对于半导体衬底的表面垂直方向的电流路径；霍尔元件，设置在半导体衬底上，输出与对于半导体衬底的表面垂直方向的磁通密度成比例的电压；放大器，对于从霍尔元件输出的电压进行放大并输出；电流电压转换电路，将包含流过垂直电阻电路的基准电流和垂直电阻电路的电阻值之积的电压作为比较基准电压加以输出；以及比较器，具有被输入从放大器输出的电压的信号输入端子和被输入比较基准电压的基准电压输入端子。子和被输入比较基准电压的基准电压输入端子。子和被输入比较基准电压的基准电压输入端子。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]霍尔元件在半导体衬底上与放大器或信号处理电路一起集成，例如在检测磁场时被使用。霍尔元件在被集成于半导体衬底上的情况下，由于晶圆上的保护膜或封装件的树脂密封等引起的机械应力（以下，仅称为“应力”）而产生压阻效应。霍尔元件在受到压阻效应的影响时，检测到的磁场和电压－电流转换系数的关系（以下，仅称为“灵敏度”）会发生变动。即，霍尔元件的灵敏度具有应力依赖性。
[0003]若霍尔元件的灵敏度的应力依赖性较高，则磁检测精度会下降，因此，如何降低磁传感器的灵敏度的应力依赖性对提高磁检测精度而言变得重要。
[0004]作为降低霍尔元件灵敏度的应力依赖性的技术的一个例子，有具备霍尔元件和使用压电系数不同的多个电阻来分别生成电流的电压电流器（V/I转换器）的应力补偿电路（例如参照专利文献1）。该应力补偿电路中，通过压电系数不同的多个电阻及V/I转换器产生与各电阻的压电系数及应力对应的两个不同的电流。进而，结合所产生的两个电流而产生一个基准电流。所产生的基准电流作为霍尔元件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成在P型的半导体衬底上的半导体装置，其特征在于具备：垂直电阻电路，包含N型的电阻，所述电阻形成对于所述半导体衬底的表面垂直方向的电流路径；霍尔元件，设置在所述半导体衬底上，输出与对于所述半导体衬底的表面垂直方向的磁通密度成比例的电压；放大器，对于从所述霍尔元件输出的电压进行放大并输出；电流电压转换电路，将包含流过所述垂直电阻电路的基准电流和所述垂直电阻电路的电阻值之积的电压作为比较基准电压加以输出；以及比较器，具有被输入从所述放大器输出的电压的信号输入端子和被输入所述比较基准电压的基准电压输入端子。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中具备：第1电流源，供给使所述霍尔元件驱动的驱动电流；以及第2电流源，供给所述基准电流。...

【专利技术属性】
技术研发人员：挽地友生，深井健太郎，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：