μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置制造方法及图纸

本申请提供了一种μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置，该EL检测方法包括：将包括多个微型发光二极管芯片的基板置于真空腔体中；将基板的导电基底接收固定电平信号；向各微型发光二极管芯片的第一半导体层的表面发射电子束，以激发各微型发光二极管芯片的发光层发光；获取各微型发光二极管芯片的发光图像信号；根据发光图像信号确定各微型发光二极管芯片是否正常。本申请提供的EL检测方法，可直接向各微型发光二极管芯片的第一半导体层表面发射预设条件的电子束，从而激发发光层发光，以实现对应的微型发光二极管芯片的电致发光之直接检测，提高了检测精度，且不需要探针，检测方便。检测方便。检测方便。

【技术实现步骤摘要】
μ
LED基板及制备方法、EL检测方法及装置


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，本申请涉及一种μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(μLED)，包括尺寸约在50-150微米左右的MiniLED和尺寸为50微米以下的MicroLED。微型发光二极管具有光电转换效率高，响应时间在ns(纳秒)级等特点。
[0003]传统检测无机发光二极管的亮度与外型的工艺，是使用Laser(激光)或者UV(UltraViolet，紫外线)对无机发光二极管进行光致发光(Photo Luminescent，PL)激发，再使用自动光学检测仪进行检测。但光致发光特性与无机发光二极管在实际工作状态下的电致发光(ElectroLuminescent，EL)复合特性差异很大，无法有效检出问题。而且传统电致发光检测需要使用探针，针对微型发光二极管无法有效进行探测。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种μLED基板及制备方法、EL检测方法及装置，以解决现有的光致发光检测精度不高、电致发光检测无法对微小发光二极管芯片进行有效检测问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管芯片的电致发光检测方法，包括：
[0006]将微型发光二极管基板置于真空腔体中；将所述微型发光二极管基板的导电基底接收固定电平信号；
[0007]各微型发光二极管芯片的第一半导体层的外露表面发射电子束，以激发各所述微型发光二极管芯片的发光层发光；
[0008]获取各所述微型发光二极管芯片的发光图像信号；
[0009]根据所述发光图像信号确定各所述微型发光二极管芯片是否正常；
[0010]其中，所述微型发光二极管基板包括导电基底和布置于所述导电基底上的多个微型发光二极管芯片，所述微型发光二极管芯片包括第一半导体层，所述第一半导体层为所述微型发光二极管芯片中最远离所述导电基底的膜层。
[0011]第二个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管基板，包括：导电基底和布置于所述导电基底上的多个微型发光二极管芯片；
[0012]所述微型发光二级管芯片包括第一电极层和磊晶层，所述第一电极层和所述磊晶层依次层叠于所述导电基底上；所述磊晶层包括依次层叠的第二半导体层、发光层和第一半导体层；
[0013]所述第一电极层远离所述导电基底的表面与所述第二半导体层直接接触，所述第一电极层靠近所述导电基底的表面与所述导电基底连接。
[0014]第三个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管基板的制备方法，包括：在
图形化的晶圆衬底上制作磊晶层，所述磊晶层包括依次层叠于所述图形化的晶圆衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
[0015]在所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面制作第一电极层；
[0016]对所述第一电极层与所述磊晶层进行阵列化分割以形成微型发光二极管芯片阵列；
[0017]将涉及所述微型发光二极管芯片阵列的第一电极层均连接至导电基底后，将所述微型发光二极管芯片阵列从所述图形化的晶圆衬底上剥离。
[0018]第四个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管芯片的电致发光检测装置，包括：放电设备、光电检测部件、处理单元以及第二个方面的微型发光二极管基板；
[0019]所述放电设备、所述光电检测部件均与所述处理单元相连，所述微型发光二极管基板的导电基底接收固定电平信号；
[0020]所述放电设备用于向各所述微型发光二极管芯片的第一半导体层的外露表面发射电子束，以激发各所述微型发光二极管芯片的发光层发光；
[0021]所述光电检测部件用于获取各所述微型发光二极管芯片的发光图像信号；
[0022]所述处理单元用于根据所述发光图像信号确定各所述微型发光二极管芯片是否正常。
[0023]本申请实施例提供的微型发光二极管芯片的电致发光检测方法和装置带来的有益技术效果包括：可直接向微型发光二极管芯片的第一半导体层表面发射预设条件的电子束，在微型发光二极管芯片的导电基底接收固定电平信号的状态下，微型发光二极管芯片中的空穴在发光层中复合，并以光子的形式发出能量，通过获取微型发光二极管芯片发光的发光图像信号实现对应的微型发光二极管芯片的电致发光的直接检测，从而提高检测精度，且不需要探针，检测方便。
[0024]本申请实施例提供的微型发光二极管基板及其制备方法带来的有益技术效果包括：提供了一种可直接进行电致发光检测的微型发光二极管芯片结构，该结构的第一半导体层远离第二半导体层的表面外露，用于直接接收预设条件的电子束，以形成直接电致发光检测，从而提高了检测精度；而且经由图形化的晶圆衬底制备的磊晶层，可在晶粒转移和衬底剥离后的第一半导体层表面形成凹凸微结构，有利于电子束的尖端放电，提高检测效率。
[0025]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0026]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0027]图1为本申请实施例提供的一种微型发光二极管基板中单个微型发光二极管芯片与导电基底的连接结构示意图；
[0028]图2为本申请实施例提供的另一种微型发光二极管基板中单个微型发光二极管芯片的俯视图；
[0029]图3为本申请实施例提供的图2中沿A-A方向的截面示意图；
[0030]图4为本申请实施例提供的又一种微型发光二极管基板中单个微型发光二极管芯片的俯视图；
[0031]图5为本申请实施例提供的再一种微型发光二极管基板中单个微型发光二极管芯片与导电基底的连接结构示意图；
[0032]图6为本申请实施例提供的一种微型发光二极管芯片的外延结构示意图；
[0033]图7为本申请实施例提供的一种微型发光二极管芯片的电致发光检测方法的流程图；
[0034]图8为本申请实施例提供的微型发光二极管芯片的电致发光检测装置。
[0035]其中：
[0036]100-导电基底；
[0037]200-微型发光二极管芯片；210-磊晶层；211-第一半导体层；2111-凹凸微结构；212-发光层；213-第二半导体层；
[0038]220-第一电极层；
[0039]300-导电胶层；
[0040]400-离型层；
[0041]500-图形化的晶圆衬底；
[0042]1-处理单元；
[0043]2-放电设备；
[0044]3-光电检测部件；
[0045]4-显示设备。
具体实施方式
[0046]下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管芯片的电致发光检测方法，其特征在于，包括：将微型发光二极管基板置于真空腔体中；所述微型发光二极管基板包括导电基底(100)和布置在所述导电基底(100)上的多个微型发光二极管芯片(200)，所述微型发光二极管芯片(200)包括第一半导体层(211)，所述第一半导体层(211)为所述微型发光二极管芯片(200)中最远离所述导电基底(100)的膜层；将所述微型发光二极管基板的导电基底(100)接收固定电平信号；向各所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层(211)的外露表面发射电子束，以激发各所述微型发光二极管芯片(200)的发光层(212)发光；获取各所述微型发光二极管芯片(200)的发光图像信号；根据所述发光图像信号确定各所述微型发光二极管芯片(200)是否正常。2.根据权利要求1所述的电致发光检测方法，其特征在于，所述向各所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层(211)的外露表面发射电子束之前，还包括：将所述微型发光二极管基板划分为多个扫描区域；以及，所述向各所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层(211)的外露表面发射电子束，以激发各所述微型发光二极管芯片(200)的发光层(212)发光，包括：依次向所述多个扫描区域中的每个扫描区域内的所述微型发光二极管芯片(200)的第一半导体层(211)发射电子束，以依次激发对应扫描区域的所述微型发光二极管芯片(200)的发光层(212)发光；以及，获取各所述微型发光二极管芯片(200)的发光图像信号，包括：分别获取多个所述扫描区域中的每个扫描区域内的微型发光二极管芯片(200)的发光子图像信号，将多个所述发光子图像信号处理后得到所述发光图像信号。3.根据权利要求1所述的电致发光检测方法，其特征在于，所述发射电子束包括：通过放电设备在电压大于10kV，电流大于10-8
A的条件下发射电子束。4.一种微型发光二极管基板，其特征在于，包括：导电基底(100)和布置在所述导电基底(100)上的多个微型发光二极管芯片(200)；所述微型发光二级管芯片(200)包括第一电极层(220)和磊晶层(210)，所述第一电极层(220)和所述磊晶层(210)依次层叠于所述导电基底(100)上；所述磊晶层(210)包括依次层叠的第二半导体层(213)、发光层(212)和第一半导体层(211)；所述第一电极层(220)远离所述导电基底(100)的表面与所述第二半导体层(213)直接接触，所述第一电极层(220)靠近所述导电基底(100)的表面与所述导电基底(100)连接。5.根据权利要求4所述的微型发光二极管基板，其特征在于，所述第一半导体层(211)远离所述第二半导体层(213)一侧的表面结构为凹凸微结构(2111)，所述凹凸微结构(2111)的凸起部分用于接收电子束。6.根据权利要求5所述的微型发光二极管基板，其特征在于，所述凹凸微结构(2111)的凸起部分至少包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈右儒，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：