识别方法、识别装置、半导体处理设备及可读存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种识别方法。识别方法用于识别特征图案阵列的偏转角度，每个特征图案包括位置已知的特征点，识别方法包括：选取一个特征点作为第一基准点；搜索与第一基准点共线的一个或多个特征点作为拟合点；拟合第一基准点与拟合点，以得到沿第一方向延伸的第一基准线；基于第一基准线识别特征图案阵列的偏转角度。本申请还公开了一种识别装置、半导体处理设备及计算机可读存储介质。通过在已知位置的特征点中选取第一基准点，并拟合第一基准点与一个或多个拟合点，以得到第一基准线，第一基准线反映了特征图案阵列的偏转角度信息，依据第一基准线可以识别到特征图案阵列的偏转角度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
识别方法、识别装置、半导体处理设备及可读存储介质


[0001]本申请涉及工业检测
，特别涉及一种识别方法、识别装置、半导体处理设备及可读存储介质。

技术介绍

[0002]半导体产品在整个制备过程中，可能需要对不同制程得到的产品进行缺陷检测，以判断是否可以进入下一工艺制程。以晶圆为例，晶圆是制备芯片的基底，晶圆需要经过若干工艺加工后才能制备成芯片，在晶圆加工过程中，一般采用光学手段对晶圆进行检测，以检测晶圆表面是否存在缺陷，以及缺陷在晶圆表面中的具体位置，而在检测缺陷在晶圆表面中的具体位置之前，需要先保证晶圆自身没有发生偏转，因此，如何确定晶圆等半导体产品的偏转角度成为待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施方式提供了一种识别方法、识别装置、半导体处理设备及计算机可读存储介质。
[0004]本申请实施方式的识别方法，用于识别特征图案阵列的偏转角度，每个所述特征图案包括位置已知的特征点，所述识别方法包括：选取一个特征点作为第一基准点；搜索与所述第一基准点共线的一个或多个特征点作为拟合点；拟合所述第一基准点与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种识别方法，其特征在于，用于识别特征图案阵列的偏转角度，每个所述特征图案包括位置已知的特征点，所述识别方法包括：选取一个特征点作为第一基准点；搜索与所述第一基准点共线的一个或多个特征点作为拟合点；拟合所述第一基准点与所述拟合点，以得到沿第一方向延伸的第一基准线；基于所述第一基准线识别所述特征图案阵列的偏转角度。2.根据权利要求1所述的识别方法，其特征在于，所述搜索与所述第一基准点共线的一个或多个特征点作为拟合点，包括：搜索距离所述第一基准点预设的距离阈值内的特征点；若搜索到的特征点的数量为两个，则以搜索到的两个特征点作为所述拟合点；及若搜索到的特征点的数量为大于或等于四个，则以搜索到的离所述第一基准点最近的四个点中，任意相对的两个特征点作为所述拟合点。3.根据权利要求2所述的识别方法，其特征在于，所述特征图案呈矩形，所述特征图案包括长边及短边；所述距离阈值的取值范围为大于所述短边的长度，且小于所述长边的长度；或所述距离阈值与所述短边的长度的比值范围为大于1，且小于1.5。4.根据权利要求1所述的识别方法，其特征在于，所述基于所述第一基准线识别所述特征图案阵列的偏转角度，包括：依据所述第一基准线、所述特征图案的尺寸及多个特征点的位置，获取多个特征点排布的拟合线；及基于多个所述拟合线识别所述特征图案阵列的偏转角度。5.根据权利要求4所述的识别方法，其特征在于，依据所述第一基准线、所述特征图案的尺寸及多个特征点的位置，获取多个特征点排布的拟合线，包括：以所述第一基准点为起点，沿所述第一方向，依据所述特征图案的尺寸，确定在所述第一基准线上存在的第一理论点；分别穿过每个所述第一理论点，获取与所述第一基准线呈预设角度的直线，以获取一个沿第二方向延伸的第一理论线；依据特征点与所述第一理论线之间的位置关系，获取沿所述第二方向共线的多个特征点为第一共线特征点；及拟合所述第一共线特征点，以得到第一拟合线。6.根据权利要求5所述的识别方法，其特征在于，所述依据特征点与所述第一理论线之间的位置关系，获取沿所述第二方向共线的多个特征点为第一共线特征点，包括：以所述第一理论点为起点，沿所述第二方向，依据所述特征图案的尺寸，确定在所述第一理论线上存在的第二理论点；及搜索与每个所述第二理论点距离最近的一个特征点作为所述第一共线特征点。7.根据权利要求5所述的识别方法，其特征在于，所述依据所述第一基准线、...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鲁，佟异，肖遥，张嵩，
申请(专利权)人：深圳中科飞测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：