邦定结构、邦定方法及显示装置制造方法及图纸

技术编号:30138855 阅读:20 留言:0更新日期:2021-09-23 14:56
本申请涉及一种邦定结构、邦定方法及显示装置。邦定结构包括第一电路板、第二电路板以及光致变阻层。第一电路板包括第一基底和间隔设置于第一基底的多个第一电极。第二电路板包括第二基底和间隔设置于第二基底的多个第二电极。一个第一电极与一个第二电极相对设置。光致变阻层夹设于第一电路板和第二电路板之间。多个第一电极和多个第二电极分别与光致变阻层的两个相对表面接触。光致变阻层受到光照后电阻率减小并导电。光致变阻层中有多个间隔设置的导电区。一个导电区对应一个第一电极和一个第二电极,并将一个第一电极和一个第二电极电连接。邦定结构能够实现上下层电极的纵向导通,且使得多个电极之间横向绝缘。且使得多个电极之间横向绝缘。且使得多个电极之间横向绝缘。

【技术实现步骤摘要】
邦定结构、邦定方法及显示装置


[0001]本申请涉及显示
,特别是涉及一种邦定结构、邦定方法及显示装置。

技术介绍

[0002]随着电子设备的升级换代速度加快,对显示装置的集成化要求与性能要求越来越高,及时发现显示装置生产过程中的异常尤为重要。邦定方法可以应用于柔性电路板(flexible printed circuit,FPC)、覆晶薄膜(chip on flex,COF) 以及面板等需要进行邦定的结构中。柔性电路板邦定在面板(FPC onpanel,FOP) 或者柔性电路板邦定在覆晶薄膜(FPC ofCOF,FOF)的邦定工艺包括异方导电膜(anisotropic conductive film,ACF)预贴、预压、本压以及检测。
[0003]但是,邦定不良一直是显示行业中发生率较高的不良之一。传统邦定结构中ACF的导电粒子破碎不理想或者不均匀,是邦定不良的主要直接原因,导致现有产品的邦定质量不高,产品良品率低。

技术实现思路

[0004]基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种邦定结构、邦定方法及显示装置。
[0005]本申请提供一种邦定结构。所述邦定结构包括第一电路板、第二电路板以及光致变阻层。所述第一电路板包括第一基底和间隔设置于所述第一基底的多个第一电极。所述第二电路板包括第二基底和间隔设置于所述第二基底的多个第二电极。一个所述第一电极与一个所述第二电极相对设置。所述光致变阻层夹设于所述第一电路板和所述第二电路板之间。所述多个第一电极和所述多个第二电极分别与所述光致变阻层的两个相对表面接触。所述光致变阻层受到光照后电阻率减小并导电。所述光致变阻层中有多个间隔设置的导电区。一个所述导电区对应一个所述第一电极和一个所述第二电极,并将一个所述第一电极和一个所述第二电极电连接。
[0006]在一个实施例中,所述光致变阻层为连续层状结构。
[0007]在一个实施例中,沿所述第一电极的长度方向,每个所述导电区的宽度逐渐递增。
[0008]在一个实施例中,在所述第一电极的宽度方向,每个所述导电区的最大宽度大于每个所述第一电极的宽度。
[0009]在一个实施例中,每个所述导电区的轮廓为S形轮廓,在所述第一电极的宽度方向,所述S形轮廓的最大宽度大于所述第一电极的宽度。
[0010]在一个实施例中,所述邦定结构还包括多个第一粘接结构与多个第二粘接结构。多个第一粘接结构间隔设置于所述第一电路板与所述光致变阻层之间,相邻两个所述第一粘接结构之间设置一个所述第一电极。多个第二粘接结构间隔设置于所述光致变阻层与所述第二电路板之间,相邻两个所述第二粘接结构之间设置一个所述第二电极。
[0011]在一个实施例中,相邻两个所述导电区之间的非导电区的相对两个表面分别设置有凹陷。所述第一粘接结构与所述第二粘接结构分别设置于所述凹陷内。
[0012]在一个实施例中,本申请提供一种邦定方法,包括:
[0013]S10:提供第一电路板,包括第一基底和间隔设置于所述第一基底的多个第一电极;
[0014]S20:提供光致变阻层,覆盖于所述多个第一电极,所述光致变阻层受到光照后电阻率减小并导电;
[0015]S30:对所述光致变阻层曝光,以在所述光致变阻层形成多个间隔设置的导电区,一个所述导电区对应一个所述第一电极;
[0016]S40:提供第二电路板,包括第二基底和间隔设置于所述第二基底的多个第二电极;
[0017]S50:将所述第二电路板覆盖所述光致变阻层,所述多个第二电极与所述光致变阻层远离所述第一基底的表面接触,一个所述第二电极与一个所述导电区对应,并邦定所述第一电路板与所述第二电路板。
[0018]在一个实施例中,所述S20包括:
[0019]S210:提供第一粘接材料,涂覆于所述多个第一电极的间隙中的第一基底的表面,在所述多个第一电极的间隙中形成第一粘接层;
[0020]S220:提供所述光致变阻层,覆盖于所述多个第一电极,所述多个第一电极与所述光致变阻层直接接触;
[0021]优选地,所述光致变阻层为连续层状结构,所述光致变阻层覆盖所述多个第一电极和所述第一粘接层;
[0022]优选地,所述S30包括:
[0023]S310:提供遮光掩膜板,所述遮光掩膜板开有多个透光缝隙,一个所述透光缝隙与一个所述第一电极对应;
[0024]S320:将所述遮光掩膜板覆盖所述光致变阻层远离所述第一基底的表面,并光照所述遮光掩膜板,使得所述光致变阻层中与所述多个第一电极对应的部分形成所述间隔设置的多个导电区,一个所述导电区对应一个所述第一电极。
[0025]在一个实施例中,本申请提供一种显示装置,包括上述实施例中任一项所述的邦定结构。
[0026]上述邦定结构中,所述光致变阻层夹设于所述第一电路板和所述第二电路板之间。所述多个第一电极和所述多个第二电极分别与所述光致变阻层的两个相对表面接触。所述光致变阻层受到光照后电阻率减小并导电。所述光致变阻层中有多个间隔设置的导电区。一个所述导电区对应一个所述第一电极和一个所述第二电极,并将一个所述第一电极和一个所述第二电极电连接。
[0027]所述多个导电区与所述多个第一电极一一对应设置。一个所述导电区与一个所述第一电极相对设置。所述第二电路板设置于所述光致变阻层远离所述第一电路板的表面。所述多个第二电极与所述多个导电区一一对应设置。一个所述第二电极与一个所述导电区相对设置。一个所述导电区与一个所述第一电极相对设置。一个所述第二电极、一个所述导电区以及一个所述第一电极形成了一一对应的关系。所述导电区可以使得所述第一电极与所述第二电极上下纵向导通,且不会使得相邻电极之间横向导通。
[0028]所述邦定结构中所述光致变阻层的所述导电区替换了传统邦定结构中的含有导
电粒子的ACF,可以达到邦定的效果。所述导电区分别与所述第一电极和所述第二电极接触,使得所述第一电极和所述第二电极纵向导通。相邻两个所述导电区之间存在非导电区,不会发生横向导通的现象。因此,通过本申请的所述邦定结构,不仅能够实现上下层电极的纵向导通,而且可以使得多个电极之间横向绝缘。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为本申请一实施例中邦定结构的结构示意图。
[0031]图2为本申请一实施例中邦定结构的结构示意图。
[0032]图3为本申请一实施例中光致变阻层的结构示意图。
[0033]图4为本申请一实施例中光致变阻层的结构示意图。
[0034]图5为本申请一实施例中光致变阻层的结构示意图。
[0035]图6为本申请一实施例中邦定方法的制备流程示意图本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种邦定结构,其特征在于,包括:第一电路板(10),包括第一基底(101)和间隔设置于所述第一基底(101)的多个第一电极(110);第二电路板(50),包括第二基底(501)和间隔设置于所述第二基底(501)的多个第二电极(510),一个所述第一电极(110)与一个所述第二电极(510)相对设置;以及光致变阻层(30),夹设于所述第一电路板(10)和所述第二电路板(50)之间,所述多个第一电极(110)和所述多个第二电极(510)分别与所述光致变阻层(30)的两个相对表面接触,所述光致变阻层(30)受到光照后电阻率减小并导电,所述光致变阻层(30)中有多个间隔设置的导电区(310),一个所述导电区(310)对应一个所述第一电极(110)和一个所述第二电极(510),并将一个所述第一电极(110)和一个所述第二电极(510)电连接。2.如权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,所述光致变阻层(30)为连续层状结构。3.如权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,沿所述第一电极(110)的长度方向,每个所述导电区(310)的宽度逐渐递增。4.如权利要求3所述的邦定结构,其特征在于,在所述第一电极(110)的宽度方向,每个所述导电区(310)的最大宽度大于每个所述第一电极(110)的宽度。5.如权利要求4所述的邦定结构,其特征在于,每个所述导电区(310)的轮廓为S形轮廓,在所述第一电极(110)的宽度方向,所述S形轮廓的最大宽度大于所述第一电极(110)的宽度。6.如权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,还包括:多个第一粘接结构(211),间隔设置于所述第一电路板(10)与所述光致变阻层(30)之间,相邻两个所述第一粘接结构(211)之间设置一个所述第一电极(110);多个第二粘接结构(410),间隔设置于所述光致变阻层(30)与所述第二电路板(50)之间,相邻两个所述第二粘接结构(410)之间设置一个所述第二电极(510)。7.如权利要求6所述的邦定结构,其特征在于,相邻两个所述导电区(310)之间的非导电区的相对两个表面分别设置有凹陷(312),所述第一粘接结构(211)与所述第二粘接结构(410)分别设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵文许立雄于振坤韩乐乐吴国东
申请(专利权)人:合肥维信诺科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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