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缓冲结构、显示模组及显示设备制造技术

技术编号：41096193 阅读：3 留言：0更新日期：2024-04-25 13:54

本申请提供了一种缓冲结构、显示模组和显示设备，缓冲结构包括硅系压敏胶层，硅系压敏胶层中掺杂有石墨烯。通过在硅系压敏胶层中掺杂石墨烯，可以有效提升缓冲结构导热性能，增强缓冲结构的机械强度，从而提升缓冲结构的缓冲性能，改善膜印效果。

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【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，具体涉及一种缓冲结构、显示模组和显示设备。

技术介绍

1、随着显示技术的发展，如何兼顾显示模组背面缓冲性能和膜印性能，已经成为显示模组发展的关键问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请致力于提供一种缓冲结构、显示模组和显示设备，能够有效降低显示面板的厚度。

2、第一方面，本申请提供了一种缓冲结构，包括：

3、硅系压敏胶层；

4、所述硅系压敏胶层中掺杂有石墨烯。

5、可选地，所述石墨烯包括第一类石墨烯和/或第二类石墨烯；

6、所述第一类石墨烯包括未改性石墨烯；

7、所述第二类石墨烯包括改性石墨烯；

8、可选地，所述石墨烯包括第一类石墨烯和第二类石墨烯；所述硅系压敏胶层中，所述第二类石墨烯的含量大于所述第一类石墨烯的含量。

9、可选地，所述第一类石墨烯的含量包括4wt％～10wt％；

10、可选地，所述第一类石墨烯的含量为6wt％。

11、可选地，所述第二类石墨烯的含量包括5wt％～15wt％；

12、可选地，所述第二类石墨烯的含量为11wt％；

13、可选地，所述改性石墨烯包括石墨烯接枝硅氧烷结构。

14、可选地，所述硅系压敏胶层包括层叠设置的第一子层和第二子层；

15、可选地，所述第一子层和所述第二子层中，所述石墨烯的含量不同；

16、可选地，所述第一子层和所述第二子层的膜层厚度不同。</p>

17、可选地，所述硅系压敏胶层还包括第三子层；所述第三子层位于所述第二子层背离所述第一子层的一侧；

18、可选地，所述第三子层和所述第二子层中，所述石墨烯的含量不同；

19、可选地，所述第三子层和所述第二子层的膜层厚度不同；

20、可选地，所述第二子层的膜层厚度大于所述第一子层的膜层厚度，且大于所述第三子层的膜层厚度；

21、可选地，所述第一子层的厚度包括5～40μm；

22、所述第二子层的厚度包括70～140μm；

23、所述第三子层的厚度包括5～40μm；

24、可选地，所述第二子层的导热性能大于所述第一子层的导热性能，且大于所述第三子层的导热性能。

25、可选地，所述第一子层包括第一硅系压敏胶层；所述第二子层包括第二硅系压敏胶层或者导热层，所述导热层中硅系压敏胶的含量为0；所述第三子层包括第三硅系压敏胶层；

26、可选地，所述第一硅系压敏胶层、所述第二硅系压敏胶层和所述第三硅系压敏胶层中的硅系压敏胶包括硅凝胶；

27、可选地，所述第一硅系压敏胶层和所述第三硅系压敏胶层中的硅凝胶为铂金催化的硅凝胶；

28、所述第二硅系压敏胶层的硅凝胶为羟基相互反应的硅凝胶；

29、可选地，所述硅系压敏胶层中掺杂有第二类石墨烯时，所述第二子层中掺杂的所述第二类石墨烯的含量包括12wt％～15wt％；

30、所述第一硅系压敏胶层中掺杂的所述第二类石墨烯的含量包括5wt％～11wt％；

31、所述第三硅系压敏胶层中掺杂的所述第二类石墨烯的含量包括5wt％～11wt％；

32、可选地，所述硅系压敏胶层中掺杂有第一类石墨烯时，所述第二子层中掺杂的所述第一类石墨烯的含量包括8wt％～10wt％；

33、所述第一硅系压敏胶层中掺杂的所述第一类石墨烯的含量包括4wt％～7wt％；

34、所述第三硅系压敏胶层中掺杂的所述第一类石墨烯的含量包括4wt％～7wt％；

35、可选地，所述导热层的材质包括改性热塑性聚氨酯弹性体。

36、可选地，所述第二子层中掺杂有导热填料；

37、可选地，所述导热填料包括氮化硼、氮化铝和碳化硅中的至少一种；

38、可选地，所述导热填料在所述第二子层中的含量包括20％～80％。

39、可选地，所述硅系压敏胶层包括多个容纳孔；

40、所述石墨烯填充于所述多个容纳孔中。

41、可选地，所述硅系压敏胶层中的硅系压敏胶包括硅凝胶；

42、可选地，所述硅系压敏胶层的厚度包括80～150μm。

43、第二方面，本申请提供了一种缓冲结构，包括：

44、硅系压敏胶主体；

45、目标掺杂物，所述目标掺杂物掺杂于所述硅系压敏胶主体中，所述目标掺杂物的目标参数高于所述硅系压敏胶主体的目标参数；所述目标参数包括杨氏模量和/或导热系数；

46、可选地，所述硅系压敏胶主体包括硅凝胶主体；

47、可选地，所述目标掺杂物包括石墨烯；

48、可选地，所述石墨烯包括第一类石墨烯和/或第二类石墨烯；

49、所述第一类石墨烯包括未改性石墨烯；

50、所述第二类石墨烯包括改性石墨烯；

51、可选地，所述石墨烯包括第一类石墨烯和第二类石墨烯；所述硅系压敏胶主体中，所述第二类石墨烯的含量大于所述第一类石墨烯的含量。

52、可选地，所述硅系压敏胶主体包括层叠设置的第一主体和第二主体；

53、所述第一主体和所述第二主体中目标掺杂物的含量不同。

54、可选地，所述硅系压敏胶主体还包括第三主体；所述第三主体位于所述第二主体背离所述第一主体的一侧；

55、可选地，所述第三主体和所述第二主体中，所述目标掺杂物的含量不同；

56、可选地，所述第二主体的目标参数大于所述第一主体的目标参数，且大于所述第三主体的目标参数。

57、第三方面，本申请还提供了一种显示模组，包括如本申请的第一方面所述的缓冲结构；

58、可选地，还包括位于所述缓冲结构一侧的显示面板；

59、可选地，还包括位于所述缓冲结构背离所述显示面板一侧的支撑层。

60、第四方面，本申请还提供了一种显示设备，包括如本申请的第三方面所述的显示模组。

61、本申请的方案中，缓冲结构包括硅系压敏胶层，硅系压敏胶层中掺杂有石墨烯。通过在硅系压敏胶层中掺杂石墨烯，可以有效提升缓冲结构导热性能，增强缓冲结构的机械强度，从而提升缓冲结构的缓冲性能，改善膜印效果。

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【技术保护点】

1.一种缓冲结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的缓冲结构，其特征在于，所述石墨烯包括第一类石墨烯和/或第二类石墨烯；

3.根据权利要求2所述的缓冲结构，其特征在于，所述第一类石墨烯的含量包括4wt％～10wt％；

4.根据权利要求2所述的缓冲结构，其特征在于，所述第二类石墨烯的含量包括5wt％～15wt％；

5.根据权利要求2所述的缓冲结构，其特征在于，所述硅系压敏胶层包括层叠设置的第一子层和第二子层；

6.根据权利要求5所述的缓冲结构，其特征在于，所述硅系压敏胶层还包括第三子层；所述第三子层位于所述第二子层背离所述第一子层的一侧；

7.根据权利要求6所述的缓冲结构，其特征在于，所述第一子层包括第一硅系压敏胶层；所述第二子层包括第二硅系压敏胶层或者导热层，所述导热层中硅系压敏胶的含量为0；所述第三子层包括第三硅系压敏胶层；

8.根据权利要求7所述的缓冲结构，其特征在于，所述第二子层中掺杂有导热填料；

9.根据权利要求1所述的缓冲结构，其特征在于，所述硅系压敏胶层包括多个容纳孔；

10.根据权利要求1所述的缓冲结构，其特征在于，所述硅系压敏胶层中的硅系压敏胶包括硅凝胶；

11.一种缓冲结构，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的缓冲结构，其特征在于，所述硅系压敏胶主体包括层叠设置的第一主体和第二主体；

13.根据权利要求12所述的缓冲结构，其特征在于，所述硅系压敏胶主体还包括第三主体；所述第三主体位于所述第二主体背离所述第一主体的一侧；

14.一种显示模组，其特征在于，包括如权利要求1～13任一项所述的缓冲结构；

15.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求14所述的显示模组。

...

【技术特征摘要】

1.一种缓冲结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的缓冲结构，其特征在于，所述石墨烯包括第一类石墨烯和/或第二类石墨烯；

3.根据权利要求2所述的缓冲结构，其特征在于，所述第一类石墨烯的含量包括4wt％～10wt％；

4.根据权利要求2所述的缓冲结构，其特征在于，所述第二类石墨烯的含量包括5wt％～15wt％；

5.根据权利要求2所述的缓冲结构，其特征在于，所述硅系压敏胶层包括层叠设置的第一子层和第二子层；

6.根据权利要求5所述的缓冲结构，其特征在于，所述硅系压敏胶层还包括第三子层；所述第三子层位于所述第二子层背离所述第一子层的一侧；

7.根据权利要求6所述的缓冲结构，其特征在于，所述第一子层包括第一硅系压敏胶层；所述第二子层包括第二硅系压敏胶层或者导热层，所述导热层中硅系压敏胶的含量为0；所述第三子层...

【专利技术属性】
技术研发人员：范学林，孙站，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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