低噪声放大电路、射频前端模组及控制方法技术

本发明专利技术公开了一种低噪声放大电路、射频前端模组及控制方法，该低噪声放大电路包括射频放大电路和反馈旁路电路；射频放大电路，被配置为接收射频输入信号，对射频输入信号进行放大处理，输出射频放大信号；反馈旁路电路，一端耦合至射频放大电路的输入端，另一端耦合至射频放大电路的输出端；反馈旁路电路，被配置为在低噪声放大电路为信号放大模式时，形成反馈路径，在低噪声放大电路为旁路模式时，形成旁路路径。本技术方案通过一条反馈旁路电路就能够兼顾低噪声放大电路的信号放大模式和旁路模式的实现，通过该反馈旁路电路既能够保证低噪声放大电路高增益模式下的稳定性，也提供了多增益挡位的配置方式。多增益挡位的配置方式。多增益挡位的配置方式。

【技术实现步骤摘要】
低噪声放大电路、射频前端模组及控制方法


[0001]本专利技术涉及射频前端
，尤其涉及一种低噪声放大电路、射频前端模组及控制方法。

技术介绍

[0002]在射频
中一般包含用于接收射频信号的接收链路。接收链路中包括低噪声放大器。低噪声放大器作为接收链路的第一级，可能需要对来自天线的射频接收信号进行放大处理。在射频(RF)应用中，为了能对射频接收到的不同功率等级的信号进行有效处理，低噪声放大电路常需处于不同的工作模式。例如，低噪声放大电路需工作于旁路模式，或者工作于放大模式；由于不同的工作模式对低噪声放大电路的性能要求不同，因此对低噪声放大电路的整体性能提出了更高的要求，且大大增加的低噪声放大电路的设计难度。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种低噪声放大电路、射频前端模组及控制方法，以解决低噪声放大电路的性能较差的问题。
[0004]一种低噪声放大电路，所述低噪声放大电路包括射频放大电路和反馈旁路电路；
[0005]所述射频放大电路，被配置为接收射频输入信号，对所述射频输入信号进行放大处理，输出射频放大信号；
[0006]所述反馈旁路电路，一端耦合至所述射频放大电路的输入端，另一端耦合至所述射频放大电路的输出端；
[0007]其中，所述反馈旁路电路，被配置为在所述低噪声放大电路为信号放大模式时，形成反馈路径，在所述低噪声放大电路为旁路模式时，形成旁路路径。
[0008]进一步地，所述反馈旁路电路包括公共网络和选通网络，所述公共网络和选通网络串联连接在所述射频放大电路的输入端和输出端之间。
[0009]进一步地，所述选通网络包括第一选通单元和第二选通单元；
[0010]在所述射频放大电路为信号放大模式时，所述第一选通单元与所述公共网络串联形成反馈路径；
[0011]在所述射频放大电路为旁路模式时，所述第二选通单元与所述公共网络串联形成旁路路径。
[0012]进一步地，在所述低噪声放大电路为旁路模式时，所述第一选通单元的阻抗小于所述第二选通单元的阻抗。
[0013]进一步地，所述公共网络包括第一电容。
[0014]进一步地，所述第一选通单元包括反馈电阻。
[0015]进一步地，所述第二选通单元包括旁路开关，在所述低噪声放大电路为信号放大模式时，所述旁路开关断开，在所述低噪声放大电路为旁路模式时，所述旁路开关闭合。
[0016]进一步地，所述第二选通单元还包括与所述旁路开关串联的旁路元件，所述旁路
元件的阻抗小于所述反馈电阻的阻抗。
[0017]进一步地，所述旁路元件为第一电阻。
[0018]一种射频前端模组，包括上述的低噪声放大电路。
[0019]一种低噪声放大电路的控制方法，包括：接收控制信号，根据所述控制信号控制所述低噪声放大电路的工作模式，以使所述所述反馈旁路电路在所述低噪声放大电路为信号放大模式时，形成反馈路径，在所述低噪声放大电路为旁路模式时，形成旁路路径。
[0020]上述低噪声放大电路、射频前端模组及控制方法，低噪声放大电路包括射频放大电路和反馈旁路电路；反馈旁路电路，一端耦合至射频放大电路的输入端，另一端耦合至射频放大电路的输出端；在旁路模式下，反馈旁路电路将射频输入信号旁路传输至低噪声放大电路的输出端，通过一条反馈旁路电路就能够兼顾低噪声放大电路的信号放大模式和旁路模式的实现，通过该反馈旁路电路既能够保证低噪声放大电路高增益模式下的稳定性，也提供了多增益挡位的配置方式，还提高了低噪声放大电路的集成度。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的一电路示意图；
[0023]图2是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0024]图3是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0025]图4是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0026]图5是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图；
[0027]图6是本专利技术一实施例中低噪声放大电路的另一电路示意图。
[0028]图中：10、射频放大电路；20、反馈旁路电路；21、公共网络；22、选通网络；221、第一选通单元；222、第二选通单元；2221、旁路元件；30、后级放大电路；40、增益调节电路。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0031]应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“与
…
相连”“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相
邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0032]空间关系术语例如“在
…
下”、“在
…
下面”、“下面的”、“在
…
之下”、“在
…
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
…
下面”和“在
…
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路包括射频放大电路和反馈旁路电路；所述射频放大电路，被配置为接收射频输入信号，对所述射频输入信号进行放大处理，输出射频放大信号；所述反馈旁路电路，一端耦合至所述射频放大电路的输入端，另一端耦合至所述射频放大电路的输出端；其中，所述反馈旁路电路，被配置为在所述低噪声放大电路为信号放大模式时，形成反馈路径，在所述低噪声放大电路为旁路模式时，形成旁路路径。2.如权利要求1所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述反馈旁路电路包括公共网络和选通网络，所述公共网络和选通网络串联连接在所述射频放大电路的输入端和输出端之间。3.如权利要求2所述的低噪声放大电路，其特征在于，所述选通网络包括第一选通单元和第二选通单元；在所述射频放大电路为信号放大模式时，所述第一选通单元与所述公共网络串联形成反馈路径；在所述射频放大电路为旁路模式时，所述第二选通单元与所述公共网络串联形成旁路路径。4.如权利要求3所述的低噪声放大电路，其特征在于，在所述低噪声放大电路为旁路模式时，所述第一选通单元的阻抗小于所述第二选通单元的阻抗。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁团结，宋楠，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：