一种太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池片。该太阳能电池片包括：P型硅片；P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；P型重掺杂部，其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上；正面介质层，其形成于所述P型轻掺杂层上；正面电极，其形成于所述P型重掺杂部上；背面介质层，其形成于所述P型硅片的背面之上；及背面电极，其穿过所述背面介质层。本实用新型专利技术可以降低载流子的传输损耗，提升填充因子FF。提升填充因子FF。提升填充因子FF。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片


[0001]本技术属于晶硅太阳能电池领域，涉及一种太阳能电池片。

技术介绍

[0002]目前的晶硅太阳能电池片通常在硅基体的表面上通过扩散掺杂P等元素，进而形成用于和正面电极形成欧姆接触的扩散层。例如中国专利CN106158986A公开的一种晶体硅太阳能电池片及其制备方法，其中，硅基体向光面依次具有扩散层、减反射层，扩散层与硅基体接触。减反射层上设有多条贯穿减反射层并与扩散层接触的向光面电极副栅线。这种太阳能电池片中，填充因子较低，载流子传输损耗较大，影响电池片的光电转化效率。

技术实现思路

[0003]针对上述技术问题中的至少一个，本技术提供了一种太阳能电池片，其正面的填充因子较高，具有较高的光电转化效率。
[0004]为达到上述目的，本技术采用的一种技术方案如下：
[0005]一种太阳能电池片，包括：
[0006]P型硅片；
[0007]P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包括：P型硅片；P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；P型重掺杂部，其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上；正面介质层，其形成于所述P型轻掺杂层上；正面电极，其形成于所述P型重掺杂部上；背面介质层，其形成于所述P型硅片的背面之上；及背面电极，其穿过所述背面介质层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型重掺杂部的宽度40~200um。3.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面电极穿透所述正面介质层与所述P型重掺杂部形成欧姆接触。4.根据权利要求3所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面电极宽度小于所述P型重掺杂部宽度。5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述太阳能电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：张树德，魏青竹，刘玉申，况亚伟，赵保星，缪乾，符欣，连维飞，倪志春，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：新型
国别省市：