一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签制造技术

本实用新型专利技术提供一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，涉及RFID标签技术领域。该实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，包括透明封装壳体，所述透明封装壳体的内部设置有铜箔层，所述铜箔层的上方从下往上设置有第一透明绝缘材料层、第一聚四氟乙烯薄膜与打印面层，所述铜箔层的下方设置有第二透明绝缘材料层与第二聚四氟乙烯薄膜，所述铜箔层的上表面设置有芯片组件与天线组件。通过透明封装壳体、第一聚四氟乙烯薄膜与第二聚四氟乙烯薄膜的配合，使得RFID标签能够具有良好的抗冷冻能力，第一透明绝缘材料层与第二透明绝缘材料层提高了RFID标签的抗压能力，有效的保护了RFID标签，大大减少了RFID柔性标签出现损坏的情况。现损坏的情况。现损坏的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签


[0001]本技术涉及RFID标签
，具体为一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签。

技术介绍

[0002]RFID无线射频识别是一种非接触式的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据，识别工作无须人工干预，可工作于各种恶劣环境，RFID技术可识别高速运动物体并可同时识别多个电子标签，操作快捷方便， RFID标签广泛的应用于各种领域中，RFID工作原理:标签进入磁场后，接收解读器发出的射频信号，凭借感应电流所获得的能量发送出存储在芯片中的产品信息(Passive Tag，无源标签或被动标签)，或者主动发送某一频率的信号 (Active Tag，有源标签或主动标签)；解读器读取信息并解码后，送至中央信息系统进行有关数据处理。
[0003]在实验室试管采集相应的物质之后，需要在试管上设置对应的RFID标签以便于识别，由于许多试管采集的物质需要在低温下保存，所以对试管上RFID标签的耐冷冻性能要求较高，现有技术中一般直接在实验室试管上贴上RFID标签，该方式使得RFID标签在低温下容易受到不良影响，一旦RFID标签出现损坏的情况，就会可能造成不可估计的后果。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，解决了现有技术中一般直接在实验室试管上贴上RFID 标签，该方式使得RFID标签在低温下容易受到不良影响，一旦RFID标签出现损坏的情况，就会可能造成不可估计后果的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，包括透明封装壳体，所述透明封装壳体的内部设置有铜箔层，所述铜箔层的上方从下往上设置有第一透明绝缘材料层、第一聚四氟乙烯薄膜与打印面层，所述铜箔层的下方设置有第二透明绝缘材料层与第二聚四氟乙烯薄膜，所述铜箔层的上表面设置有芯片组件与天线组件，所述芯片组件与天线组件均位于第一透明绝缘材料层的内部，所述透明封装壳体的外侧壁固定连接有透明膜。
[0008]优选的，所述第二透明绝缘材料层位于第二聚四氟乙烯薄膜的上方。
[0009]优选的，所述第一透明绝缘材料层与第二透明绝缘材料层均为聚酰亚胺系树脂、环氧树脂或液晶聚合物中的一种。
[0010]优选的，所述芯片组件与天线组件通过导电胶或导线电性连接。
[0011]优选的，所述第一透明绝缘材料层、第一聚四氟乙烯薄膜、打印面层、第二透明绝缘材料层与第二聚四氟乙烯薄膜均位于透明封装壳体的内部。
[0012]优选的，所述第一聚四氟乙烯薄膜与第二聚四氟乙烯薄膜的厚度均为 0.08
‑
0.1mm，所述铜箔层的厚度为10
‑
20μm。
[0013]工作原理：使用时，通过将铜箔层以及铜箔层上表面的芯片组件与天线组件设置在透明封装壳体可以减少标签受到低温、潮气等许多外界因素的影响，同时设置的第一聚四氟乙烯薄膜与第二聚四氟乙烯薄膜可以进一步提高RFID标签的耐冷冻能力，并且设置的透明封装壳体、第一透明绝缘材料层与第二透明绝缘材料层提高了RFID标签的抗压能力。
[0014](三)有益效果
[0015]本技术提供了一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签。具备以下有益效果：
[0016]该实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，通过透明封装壳体、第一聚四氟乙烯薄膜与第二聚四氟乙烯薄膜的配合，使得RFID标签能够具有良好的抗冷冻能力，第一透明绝缘材料层与第二透明绝缘材料层提高了RFID标签的抗压能力，有效的保护了RFID标签，大大减少了RFID柔性标签出现损坏的情况。
[0017]该实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，通过打印面层、芯片组件与天线组件三者的配合，可以多重记录试管采集物质的信息，更进一步的保护数据不会丢失，使用也非常方便。
附图说明
[0018]图1为本技术结构示意图。
[0019]其中，1、透明封装壳体；2、铜箔层；3、第一透明绝缘材料层；4、第一聚四氟乙烯薄膜；5、打印面层；6、第二透明绝缘材料层；7、第二聚四氟乙烯薄膜；8、芯片组件；9、天线组件；10、透明膜。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]实施例：
[0022]如图1所示，本技术实施例提供一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，包括透明封装壳体1，透明封装壳体1的内部设置有铜箔层 2，铜箔层2的上方从下往上设置有第一透明绝缘材料层3、第一聚四氟乙烯薄膜4与打印面层5，铜箔层2的下方设置有第二透明绝缘材料层6与第二聚四氟乙烯薄膜7，铜箔层2的上表面设置有芯片组件8与天线组件9，芯片组件8与天线组件9均位于第一透明绝缘材料层3的内部，透明封装壳体1的外侧壁固定连接有透明膜10，本技术中，透明膜10为透明缠绕覆盖区。
[0023]第二透明绝缘材料层6位于第二聚四氟乙烯薄膜7的上方，第一透明绝缘材料层3与第二透明绝缘材料层6均为聚酰亚胺系树脂、环氧树脂或液晶聚合物中的一种，芯片组件8与天线组件9通过导电胶或导线电性连接，第一透明绝缘材料层3、第一聚四氟乙烯薄膜4、打印面层5、第二透明绝缘材料层6与第二聚四氟乙烯薄膜7均位于透明封装壳体1的内部，
第一聚四氟乙烯薄膜4 与第二聚四氟乙烯薄膜7的厚度均为0.08
‑
0.1mm，铜箔层2的厚度为10
‑
20μm，柔性较佳。
[0024]本技术中，RFID标签使用时，通过将铜箔层2以及铜箔层2上表面的芯片组件8与天线组件9设置在透明封装壳体1内可以减少标签受到低温、潮气等许多外界因素的影响，同时设置的第一聚四氟乙烯薄膜4与第二聚四氟乙烯薄膜7 可以进一步提高RFID标签的耐冷冻能力，并且设置的透明封装壳体1、第一透明绝缘材料层3与第二透明绝缘材料层6提高了RFID标签的抗压能力。
[0025]本技术中，通过打印面层5、芯片组件8与天线组件9三者的配合，可以多重记录试管采集物质的信息，更进一步的保护数据不会丢失，使用也非常方便。
[0026]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，包括透明封装壳体(1)，其特征在于：所述透明封装壳体(1)的内部设置有铜箔层(2)，所述铜箔层(2)的上方从下往上设置有第一透明绝缘材料层(3)、第一聚四氟乙烯薄膜(4)与打印面层(5)，所述铜箔层(2)的下方设置有第二透明绝缘材料层(6)与第二聚四氟乙烯薄膜(7)，所述铜箔层(2)的上表面设置有芯片组件(8)与天线组件(9)，所述芯片组件(8)与天线组件(9)均位于第一透明绝缘材料层(3)的内部，所述透明封装壳体(1)的外侧壁固定连接有透明膜(10)。2.根据权利要求1所述的一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，其特征在于：所述第二透明绝缘材料层(6)位于第二聚四氟乙烯薄膜(7)的上方。3.根据权利要求1所述的一种实验室试管耐深冷冻缠绕式超高频RFID标识标签，其特征在于：所述第一透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡向阳，
申请(专利权)人：北京诚捷诚科技有限公司，
类型：新型
国别省市：