微型发光二极管的转移系统及微型发光二极管显示面板技术方案

本实用新型专利技术实施例公开了一种微型发光二极管的转移系统及微型发光二极管显示面板，该转移系统包括承载基板和阵列基板，承载基板用于承载微型发光二极管并将微型发光二极管转移至阵列基板，承载基板远离微型发光二极管的一侧设置有吸附电路；阵列基板具有多个像素区，每个像素区具有第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘具有磁性；微型发光二极管包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极具有磁性；第一电极的第一端的磁极和第一焊盘的第二端的磁极为异名磁极，第二电极的第三端的磁极和第二焊盘的第四端的磁极为异名磁极。该转移系统可以高效率、高精度地转移微型发光二极管至阵列基板上，得到微型发光二极管显示面板。板。板。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管的转移系统及微型发光二极管显示面板


[0001]本技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种微型发光二极管的转移系统及微型发光二极管显示面板。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light
‑
Emitting Diode，Micro LED)是一种尺寸为微米级的发光二极管，可作为显示面板上的像素，采用Micro LED制备得到的显示面板可称为Micro LED显示面板。近年来，Micro LED显示面板因其低功耗、高亮度、宽视角等优势逐渐成为目前显示
的研究重点。
[0003]Micro LED显示面板包括阵列基板以及阵列排布在阵列基板上的多颗Micro LED，每颗Micro LED可以视为一个像素。相关技术中，通常采用转移设备将Micro LED转移并放置在阵列基板上，并将Micro LED焊接在阵列基板上，最终制备得到Micro LED显示面板。
[0004]但是，由于Micro LED的尺寸很小，而显示面板中像素的数量很多，因此，转移过程中的效率和对位精度等问题仍有待解决。

技术实现思路

[0005]本技术实施例提供一种微型发光二极管的转移系统及微型发光二极管显示面板，以高效、高精度地转移微型发光二极管至阵列基板上，得到微型发光二极管显示面板。
[0006]第一方面，本技术实施例提供了一种微型发光二极管的转移系统，包括承载基板和阵列基板，承载基板用于承载微型发光二极管并将微型发光二极管转移至阵列基板上，
[0007]承载基板远离微型发光二极管的一侧设置有吸附电路；
[0008]阵列基板具有多个像素区，每个像素区具有第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘具有磁性，微型发光二极管包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极具有磁性，第一电极的第一端的磁极和第一焊盘的第二端的磁极为异名磁极，第二电极的第三端的磁极和第二焊盘的第四端的磁极为异名磁极，第一电极的第一端和第一焊盘的第二端相对，第二电极的第三端和第二焊盘的第四端相对。
[0009]可选的，第一电极的第一端的磁极和第二电极的第三端的磁极为异名磁极，第一焊盘的第二端的磁极和第二焊盘的第四端的磁极为异名磁极。
[0010]可选的，多个像素区呈m行
×
n列阵列排布；其中，m和n均为正整数；
[0011]承载基板上的微型发光二极管的排布方式与位于奇数行或偶数行的像素区的排布方式相同；或者，
[0012]承载基板上的微型发光二极管的排布方式与位于奇数列或偶数列的像素区的排布方式相同。
[0013]可选的，吸附电路与控制器电连接，吸附电路通电时吸附微型发光二极管，吸附电
路断电时释放微型发光二极管。
[0014]可选的，承载基板为柔性基板，并卷曲于卷轴上，微型发光二极管位于承载基板远离卷轴的一侧。
[0015]可选的，吸附电路包括多个吸附模块，每个吸附模块包括至少一个电磁铁，多个吸附模块沿承载基板的展开方向排列；
[0016]转移微型发光二极管时，沿承载基板的展开方向，控制器控制各个吸附模块依次断电。
[0017]可选的，电磁铁与微型发光二极管一一对应设置。
[0018]可选的，承载基板为平面基板，吸附电路同时释放承载基板上的所有微型发光二极管。
[0019]可选的，阵列基板朝向承载基板的一侧具有多个凹槽，第一焊盘和第二焊盘均位于凹槽内，沿垂直于阵列基板所在平面的方向，凹槽的高度大于第一焊盘和第二焊盘的厚度。
[0020]第二方面，本技术实施例还提供了一种微型发光二极管显示面板，采用第一方面提供的微型发光二极管的转移系统转移得到，该微型发光二极管显示面板包括：
[0021]阵列基板，阵列基板具有多个像素区，每个像素区具有第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘具有磁性；
[0022]多个微型发光二极管，微型发光二极管包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极具有磁性，第一电极的第一端的磁极和第一焊盘的第二端的磁极为异名磁极，第二电极的第三端的磁极和第二焊盘的第四端的磁极为异名磁极，第一电极的第一端和第一焊盘的第二端相对，第二电极的第三端和第二焊盘的第四端相对，第一电极与第一焊盘固定电连接，第二电极与第二焊盘固定电连接。
[0023]本技术实施例通过在承载基板远离微型发光二极管的一侧设置吸附电路，可以通过吸附电路控制对微型发光二极管的吸附力大小，从而可以在转移之前利用吸附电路将微型发光二极管吸附于承载基板上，并在转移过程中减小吸附电路对微型发光二极管的吸附力，以释放微型发光二极管，使其转移到阵列基板相应的像素区，转移方式简单高效；此外，本技术实施例通过设置微型发光二极管的第一电极和第二电极具有磁性，以及设置阵列基板中的第一焊盘和第二焊盘具有磁性，并且使电极与相应焊盘之间相对端部的磁极为异名磁极，从而可以在微型发光二极管的释放过程中，利用异名磁极相互吸引，使微型发光二极管的电极与对应的焊盘相互吸引至两者接触，从而可以提高转移精度。
附图说明
[0024]图1是本技术实施例提供的一种微型发光二极管的转移系统的结构示意图；
[0025]图2是本技术实施例提供的另一种微型发光二极管的转移系统的结构示意图；
[0026]图3是本技术实施例提供的转移系统中阵列基板上的像素区的排布方式示意图；
[0027]图4是与图3对应的承载基板上微型发光二极管的排布方式示意图；
[0028]图5是本技术实施例提供的另一种微型发光二极管的转移系统的结构示意
图；
[0029]图6是与图5对应的转移系统中承载基板上的吸附电路的结构示意图；
[0030]图7是本技术实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的结构示意图。
[0031]附图标记：
[0032]100
‑
微型发光二极管的转移系统；1
‑
承载基板；2
‑
阵列基板；3
‑
微型发光二极管；31
‑
第一电极；311
‑
第一端；32
‑
第二电极；321
‑
第三端；4
‑
吸附电路；41
‑
吸附模块；411
‑
电磁铁；5
‑
像素区；51
‑
第一焊盘；511
‑
第二端；52
‑
第二焊盘；521
‑
第四端；6
‑
卷轴；7
‑
走线；8
‑
凹槽；9
‑
焊锡；200
‑
微型发光二极管显示面板。
具体实施方式
[0033]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的转移系统，包括承载基板和阵列基板，所述承载基板用于承载所述微型发光二极管并将所述微型发光二极管转移至所述阵列基板上，其特征在于，所述承载基板远离所述微型发光二极管的一侧设置有吸附电路；所述阵列基板具有多个像素区，每个所述像素区具有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘具有磁性，所述微型发光二极管包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极具有磁性，所述第一电极的第一端的磁极和所述第一焊盘的第二端的磁极为异名磁极，所述第二电极的第三端的磁极和所述第二焊盘的第四端的磁极为异名磁极，所述第一电极的第一端和所述第一焊盘的第二端相对，所述第二电极的第三端和所述第二焊盘的第四端相对。2.根据权利要求1所述的转移系统，其特征在于，所述第一电极的第一端的磁极和所述第二电极的第三端的磁极为异名磁极，所述第一焊盘的第二端的磁极和所述第二焊盘的第四端的磁极为异名磁极。3.根据权利要求1所述的转移系统，其特征在于，多个所述像素区呈m行
×
n列阵列排布；其中，m和n均为正整数；所述承载基板上的微型发光二极管的排布方式与位于奇数行或偶数行的像素区的排布方式相同；或者，所述承载基板上的微型发光二极管的排布方式与位于奇数列或偶数列的像素区的排布方式相同。4.根据权利要求1所述的转移系统，其特征在于，所述吸附电路与控制器电连接，所述吸附电路通电时吸附所述微型发光二极管，所述吸附电路断电时释放所述微型发光二极管。5.根据权利要求4所述的转移系统，其特征在于，所述承载基板为柔性基板，并卷曲于卷轴上，所述微型发光二极管位于所述承载基板远离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭宏，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：