控制电路和开关变换器制造技术

本公开的实施例涉及控制电路和开关变换器。控制电路被配置为被耦合到开关变换器的同步整流电路系统，控制电路被配置为生成控制信号以控制同步整流电路系统中的至少一个同步整流晶体管的开关，每个至少一个同步整流晶体管包括控制节点和信号节点，并且控制电路被配置为针对开关变换器的每个开关周期中的至少一个同步整流晶体管被激活的一部分，感测跨每个至少一个同步整流晶体管的信号节点的电压，并且控制电路被配置为针对每个至少一个同步整流晶体管，在开关周期中的至少一个同步整流晶体管被激活的N个先前部分上，确定跨至少一个同步整流晶体管的信号节点的所感测的电压的平均。本公开的实施例能够防止开关变换器中的电流反向。的电流反向。的电流反向。

【技术实现步骤摘要】
控制电路和开关变换器


[0001]本公开总体上涉及控制电路和开关变换器，并且更具体地涉及用于防止或减少同步开关变换器的同步整流器中的电流反向的控制电路和开关变换器。

技术介绍

[0002]谐振变换器是一大类强制开关变换器，其特征在于存在半桥或全桥电路拓扑。例如，在半桥版本中，开关元件包括在输入电压与接地之间串联连接的高侧晶体管和低侧晶体管。通过方便地开关两个晶体管，具有与电源电压对应的高值、以及与接地对应的低值的方波可以生成。
[0003]由半桥生成的方波借助于谐振电路被施加到变压器的初级绕组，该谐振电路包括至少一个电容器和一个电感器。变压器的次级绕组被连接到整流器电路和滤波器，以根据方波的频率提供输出直流电压。
[0004]目前，最广泛地使用的谐振变换器之一是LLC谐振变换器。这个名称来自于该谐振电路采用两个电感器(L)和一个电容器(C)的事实。LLC谐振变换器的示意电路在图1中示出，并且该LLC谐振变换器包括耦合在输入电压Vin与接地GND之间的MOSFET晶体管 M1和M2的半桥，M1和M2具有相应的体二极管Db1和Db2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制电路，其特征在于，被配置为被耦合到开关变换器的同步整流电路系统，所述控制电路被配置为生成控制信号以控制所述同步整流电路系统中的至少一个同步整流晶体管的开关，每个至少一个同步整流晶体管包括控制节点和信号节点，并且所述控制电路被配置为针对所述开关变换器的每个开关周期中的所述至少一个同步整流晶体管被激活的一部分，感测跨每个至少一个同步整流晶体管的所述信号节点的电压，并且所述控制电路被配置为针对每个至少一个同步整流晶体管，在开关周期中的所述至少一个同步整流晶体管被激活的N个先前部分上，确定跨所述至少一个同步整流晶体管的所述信号节点的所感测的所述电压的平均。2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路被配置为生成第一控制信号和第二控制信号以分别控制第一同步整流晶体管和第二同步整流晶体管的开关，并且其中所述开关变换器的所述开关周期的所述部分包括第一开关半周期和第二开关半周期，在所述第一开关半周期中，所述第一同步整流晶体管被激活，并且在所述第二开关半周期中，所述第二同步整流晶体管被激活。3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：平均计算电路，被耦合到所述第一同步整流晶体管和所述第二同步整流晶体管中的每个同步整流晶体管的所述信号节点中的至少一个信号节点，所述平均计算电路被配置为在所述第一同步整流晶体管和所述第二同步整流晶体管的导通时间期间，感测跨所述第一同步整流晶体管和所述第二同步整流晶体管的所述信号节点的所述电压，并且所述平均计算电路被配置为针对所述第一同步整流晶体管和所述第二同步整流晶体管分别计算在所述N个先前第一开关半周期和第二开关半周期上的所感测的所述电压的对应的第一平均电压和第二平均电压；以及峰值计算电路，被耦合到所述平均计算电路以接收所计算的所述第一平均电压和所述第二平均电压，并且所述峰值计算电路被配置为分别基于所计算的所述第一平均电压和所述第二平均电压，生成第一峰值电压参考阈值和第二峰值电压参考阈值。4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述峰值计算电路被配置为将所计算的所述第一平均电压和所述第二平均电压乘以阈值调整因子，以生成所述第一峰值电压参考阈值和所述第二峰值电压参考阈值。5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：