海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法技术

技术编号:30105518 阅读:71 留言:0更新日期:2021-09-18 09:14
本发明专利技术属于油气勘探技术领域,旨在解决在未熟低熟烃源岩缺乏区,现有技术无法准确定量评价高过成熟烃源岩排烃量的缺陷,具体涉及一种海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,该方法包括建立高过成熟烃源岩排烃演化剖面图;确定高过成熟烃源岩排烃临界条件,反演烃源岩原始生烃潜力,建立高过成熟烃源岩排烃模型;确定烃源岩排烃率和累积排烃量;计算高过成熟烃源岩排烃量。本发明专利技术提出的海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,建立的排烃模型不依赖未熟低熟样品、适应于高过成熟烃源岩评价,为深层油气资源潜力评价提供科学依据,为深层油气勘探提供有力的理论指导和技术支撑。供有力的理论指导和技术支撑。供有力的理论指导和技术支撑。

【技术实现步骤摘要】
海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法


[0001]本专利技术属于油气开采
,具体涉及一种海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法。

技术介绍

[0002]烃源岩排烃研究是烃源岩成烃演化、油气资源潜力预测最重要的研究内容,是油气勘探决策最基本的问题之一。如何建立海相高过成熟烃源岩生排烃模型并计算其生排烃量,这是石油地质、地球化学界长期没有解决的难题,根本原因是海相高过成熟烃源岩成熟度普遍很高,缺乏未熟低熟烃源岩,无法重建烃源岩完整的生烃演化过程。
[0003]国内外学者尝试从两个方向突破:第一,用盆地浅层较新地层的低成熟海相烃源岩弥补高过成熟烃源岩研究地层低成熟烃源岩样品的缺乏,根据烃源岩总有机碳和生烃潜力的关系预测深层海相高过成熟烃源岩生排烃潜力的大小。第二,用其它盆地的低成熟海相烃源岩样品弥补高过成熟烃源岩研究区低成熟烃源岩样品的缺乏,基于生烃潜力法计算高过成熟烃源岩的生排烃量。当前业内解决该问题的思路聚焦在寻找低熟烃源岩样品,而在古老海相高过成熟烃源岩研究地层中缺乏低熟烃源岩是很普遍的现象,在中国下古生界海相地层中还没有发现过低熟烃源岩。使用同一个盆地浅层较新地层或者不同盆地的未熟低熟样品作为补充存在较大问题,不同盆地之间、相同盆地不同年代的沉积地层之间其沉积环境、有机相、有机质类型和有机质富集条件都有较大差异,而这是烃源岩成烃演化重要影响因素。烃源岩排烃特征认识不清,就难以从成因上科学地预测油气资源潜力,最终影响勘探战略科学决策。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中的上述问题,即为了解决现有技术无法准确定量评价高过成熟烃源岩排烃量的缺陷,本专利技术提供了一种海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,该方法包括以下步骤:步骤S100,建立烃源岩排烃演化剖面图。
[0005]步骤S200,确定排烃临界条件,反演烃源岩原始生烃潜力,建立高过成熟烃源岩排烃模型。
[0006]步骤S300,确定烃源岩排烃率和累积排烃量。
[0007]步骤S400,计算烃源岩排烃量。
[0008]在一些优选实施例中,所述烃源岩排烃演化剖面图的建立方法包括:根据烃源岩热解实验计算生烃潜力指数和等效境质体反射率。
[0009]基于所述生烃潜力指数、所述等效境质体反射率建立烃源岩排烃演化剖面图。
[0010]所述生烃潜力指数为;其中,分别为单位质量烃源岩样品加热到300℃、300℃

600℃时获得的烃量,单位为mg HC/g; 为单位质量烃源岩中的总有机碳含量,单位为mg/g;所述等效境质体反射率为,;其中,为烃源岩热解实验最高热解峰温。
[0011]在一些优选实施例中,所述排烃临界条件的确定方法为:根据包裹体实验获得流体包裹体均一温度分布图。
[0012]基于所述流体包裹体均一温度分布图确定第一期包裹体均一温度主峰值。
[0013]根据典型井沉积埋藏史及热演化史图获取在所述第一期包裹体均一温度主峰值时等温线上对应的最小值;为排烃临界条件对应的排烃临界成熟度。
[0014]在一些优选实施例中,所述烃源岩原始生烃潜力的反演方法为:根据所述烃源岩排烃演化剖面图获取生烃潜力指数包络线。
[0015]基于所述等效境质体反射率和所述生烃潜力指数包络线获取拟合关系式;+,其中,a、b、c、d均为常数。
[0016]基于所述拟合关系式和所述排烃临界成熟度,获取烃源岩原始生烃潜力;。
[0017]在一些优选实施例中,所述高过成熟烃源岩排烃模型的建立方法具体为:基于所述烃源岩排烃演化剖面图、所述烃源岩排烃临界条件、所述烃源岩原始生烃潜力以及MATLAB软件,建立高过成熟烃源岩排烃模型。
[0018]在一些优选实施例中,所述烃源岩排烃率和累积排烃量的确定方法具体为:基于所述高过成熟烃源岩排烃模型,获取烃源岩排烃率和烃源岩累积排烃量。
[0019]。
[0020]。
[0021]在一些优选实施例中,所述烃源岩排烃量的计算方法具体为:根据不同热演化阶段对应的排烃率、有机质丰度、烃源岩的厚度以及密度积分,获取烃源岩在不同热演化阶段的排烃强度。
[0022]基于所述排烃强度获取各地质时期的排烃总量。
[0023]。
[0024]。
[0025]H为烃源岩的厚度;为烃源岩的密度;为烃源岩的分布面积;为烃源岩的原始总有机碳含量。
[0026]在一些优选实施例中,。
[0027]。
[0028]1)本专利技术公开的海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法可以建立不依赖未熟低熟样品的高过成熟烃源岩排烃新模型,为高过成熟烃源岩排烃特征研究提供可靠试验模型。
[0029]2)本专利技术形成了海相高过成熟烃源岩排烃量评价的新方法及流程,可更加科学地计算未熟低熟样品缺乏的古老海相地层烃源岩排烃量,为深层油气资源潜力评价提供科学依据。
附图说明
[0030]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显。
[0031]图1是本专利技术的一种具体实施例的流程图。
[0032]图2是本专利技术中的高过成熟烃源岩排烃概念模型图。
[0033]图3是四川盆地震旦系藻云岩烃源岩生烃潜力演化剖面。
[0034]图4是四川盆地震旦系白云岩流体包裹体均一温度分布柱状图。
[0035]图5是四川盆地磨溪8井沉积埋藏史及热演化史图。
[0036]图6是四川盆地震旦系高过成熟藻云岩烃源岩排烃模型。
[0037]图7是四川盆地震旦系藻云岩烃源岩侏罗纪排烃强度图。
具体实施方式
[0038]下面参照附图来描述本专利技术的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是,这些实施方式仅仅用于解释本专利技术的技术原理,并非旨在限制本专利技术的保护范围。
[0039]本专利技术提供了一种海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,该方法包括以下步骤:步骤S100,建立烃源岩排烃演化剖面图,具体地,根据烃源岩热解实验计算生烃潜力指数和等效境质体反射率;基于获取的生烃潜力指数、等效境质体反射率建立烃源岩排烃演化剖面图;其中,生烃潜力指数为;分别为单位质量烃源岩样品加热到300℃、300℃

600℃时获得的烃量,单位为mg HC/g;为单位质量烃源岩中的总有机碳含量,单位mg/g;等效境质体反射率为,;其中,为烃源岩热解实验最高热解峰温。
[0040]步骤S200,确定排烃临界条件,反演烃源岩原始生烃潜力,建立高过成熟烃源岩排烃模型;具体地,排烃临界条件的确定方法为:根据灯影组包裹体实验获得流体包裹体均一温度分布图;基于所述流体包裹体均一温度分布图确定第一期包裹体均一温度主峰值;根据典型井沉积埋藏史及热演化史图获取灯影组在所述第一期包裹体均一温度主峰值时等温线上对应的最小值;此值为,即为排烃临界条件对应的排烃临界成熟度。烃源岩原始生烃潜力的反演方法为:根据烃源岩排烃演化剖面图获取生烃潜力指数包络线;基于等效境质体本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤S100,建立高过成熟烃源岩排烃演化剖面图;步骤S200,确定高过成熟烃源岩排烃临界条件,反演烃源岩原始生烃潜力,建立高过成熟烃源岩排烃模型;步骤S300,确定高过成熟烃源岩排烃率和累积排烃量;步骤S400,计算高过成熟烃源岩排烃量。2.根据权利要求1所述的海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,其特征在于,所述烃源岩排烃演化剖面图的建立方法包括:根据烃源岩热解实验计算生烃潜力指数和等效境质体反射率;基于所述生烃潜力指数、所述等效境质体反射率建立烃源岩排烃演化剖面图;所述生烃潜力指数为;其中,分别为单位质量烃源岩样品加热到300℃、300℃

600℃时获得的烃量,单位为mg HC/g;为单位质量烃源岩中的总有机碳含量,单位为mg/g;所述等效境质体反射率为,;其中,为烃源岩热解实验最高热解峰温。3.根据权利要求2所述的海相高过成熟烃源岩排烃量评价方法,其特征在于,所述排烃临界条件的确定方法为:根据包裹体实验获得流体包裹体均一温度分布图;基于所述流体包裹体均一温度分布图确定第一期包裹体均一温度主峰值;根据典型井沉积埋藏史及热演化史图获取在所述第一期包裹体均一温度主峰值时等温线上对应的最小值;为排烃临界条件对应的排烃临界成熟度。4.根据权利要求3所述的海...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪文洋王雅萍庞雄奇陈掌星张旺
申请(专利权)人:中国科学院地质与地球物理研究所
类型:发明
国别省市:

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