耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法制造技术

本发明专利技术提供一种耐候性良好的硫化物荧光体：包括基底和沉积在基底的表面的分子沉积膜，基底为碱土硫化物发光材料，分子沉积膜中包括通式为A

【技术实现步骤摘要】
耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法


[0001]本专利技术属于发光材料
，具体地，涉及耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法。

技术介绍

[0002]碱土硫化物具有适合的禁带宽度，是优良的发光基质材料之一。通过掺入不同的金属离子，可以获得发射光谱从红外区到紫外区的荧光粉。因此，碱土硫化物发光材料在光致发光、电致发光、阴极射线发光等领域获得了广泛的应用。掺杂稀土离子的碱土硫化物是一类优良的荧光粉，能被紫外光或可见光有效地激发，产生半峰宽较宽的发射峰。因此，稀土离子掺杂碱土硫化物具有吸收太阳光谱成分中的紫外光与部分可见光并发射红光的特性。因此，除了在发光器件上应用之外，近年来，掺杂稀土离子的碱土硫化物荧光粉被用作光转换助剂。将其添加于有机高分子树脂制造农用转光膜，以提高农作物的光能利用率，促进植物光合作用。
[0003]碱土硫化物的化学稳定性差，容易和空气中的水、氧气以及二氧化碳发生反应。若暴露在空气中，其发光性能会迅速下降，这给碱土硫化物荧光粉的储存与应用带来了很大的困难。另外，未经表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐候性良好的硫化物荧光体，其特征在于：包括基底和沉积在所述基底的表面的分子沉积膜，所述基底为碱土硫化物发光材料，所述分子沉积膜中包括通式为A
x
B
y
的化合物，其中B选自O元素、N元素中的至少一种。2.如权利要求1所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：在所述A
x
B
y
中，B为O元素，A选自Si元素、Al元素中的至少一种。3.如权利要求1所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：在所述A
x
B
y
中，B为N元素，A选自Si元素，所述A
x
B
y
为Si3N4。4.如权利要求1所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：所述分子沉积膜包括两层以上的分子沉积层，相邻设置的两层所述分子沉积层具有不同的物质组成。5.如权利要求4所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：所述分子沉积层包括氧化物分子沉积层和氮化物分子沉积层，所述氧化物分子沉积层与所述氮化物分子沉积层复合构成所述分子沉积膜。6.如权利要求5所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：所述氧化物分子沉积层与所述基底的表面直接复合。7.如权利要求1～6任一项所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：所述分子沉积膜为通过等离子增强化学气相...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈焰，胡广齐，叶炜浩，梁敏婷，
申请(专利权)人：佛山安亿纳米材料有限公司，
类型：发明
国别省市：