一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法技术

本发明专利技术公开了一种间歇交错式放电的正负离子发生器，包括：输入电源、电源管理模块、正离子发生模块、负离子发生模块、正高压输出端、负高压输出端、通断控制模块、两个开关模块；通断控制模块分别与电源管理模块、两个开关模块连接；开关模块接入到电源管理模块与离子发生模块之间的电路中；开关模块接入离子发生模块的输出端处；开关模块接入高压输出端的输入端处，开关模块基于通断控制模块的通断信号控制所处电路的通断。本发明专利技术还可根据杀菌功能和负离子空气净化的功能需要不同，可自由调节正离子和负离子的发射时间，达到最好的杀菌效果。达到最好的杀菌效果。

【技术实现步骤摘要】
一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法


[0001]本专利技术涉及杀菌装置
，具体是涉及一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法。

技术介绍

[0002]目前，传统的正负离子发生器，都是连续工作且正负高压同时输出，加在不同尖端放电电极装置上，电离空气，分别产生正和负离子，利用空气中正、负离子结合时产生的能量，杀灭飘散在空气中的有害细菌。其输入电源一般为直流5V至24V弱电或100V至240V，50/60Hz交流电。直流电源输入的正负离子发生器是采用自激或他激式振荡电路，后经过升压变压器升压产生高频脉冲高压，经倍压整流后，各自产生正和负高压。再经过尖端放电电极装置，电离空气，产生正、负离子。交流电源输入的正负离子发生器是将交流电整流后，经升压变压器的初级与电容C，组成LC谐振电路，再由升压变压器升压产生高频脉冲高压，经倍压整流后，各自产生正和负高压。
[0003]目前的正负离子发生器的正负高压放电模块是采用的平行式和相对式的方式，电极存设置存在以下缺点：
[0004](1)会使空间的正、负离子及自由电子在电场力的作用下作定向运动，大量的正离子聚集至负极，大量的负离子及电子聚集到正极，使空间的离子浓度降低，在离子作热运动时同时会有部分异性离子快速碰撞，这样导致散发到空气中的正负离子浓度下降，会让实际的杀菌效果比较差；
[0005](2)会使产生的正、负离子及自由电子在附近电场力的作用下，与异性离子快速结合，且在尖端放电极附近聚结结合，由于空气中的氧原子和水分子含量丰富，导致在放电极附近的活性氧(如：O3、超氧自由基(
·
O2‑
)、过氧化氢(H2O2)、羟自由基(
·
OH)等)急剧增加，而这些活性氧具有较强的氧化性，在正负离子发生器长时间工作后，放电极尖端会被严重腐蚀，导致正负离子浓度下降，严重影响杀菌效果；
[0006](3)会使产生的正、负离子及自由电子在电场力的作用下，作定向运动，大量的正离子聚集至负极，大量的负离子及电子聚集到正极，空气中的气溶胶因吸附了大量的负电荷而带负电，在电场力的作用下，向正极尖端放电极附近聚结结合，导致很快在放电极尖端处积累，覆盖在电极表面，严重影响正离子的产生，导致正负离子发生器性能下降，影响杀菌效果；
[0007](4)会使得正、负电场叠加产生更强的电场力，使得大量的离子和自由电子，在电场力的作用下，向不同电极尖端附近聚结结合，影响产品使用效果和寿命。

技术实现思路

[0008]本专利技术提供了一种间歇交错式放电的正负离子发生器及其使用方法，以解决现有技术中由于正、负离子易结合导致散发到空气中的正负离子浓度下降；导致在放电极附近的活性氧增加，对放电极尖端产生严重腐蚀；导致空气中的气溶胶在电场力的作用下，很快
在放电极尖端处积累，覆盖在电极表面的技术问题。
[0009]本专利技术提供了一种间歇交错式放电的正负离子发生器，包括：输入电源、电源管理模块、正离子发生模块、负离子发生模块、正高压输出端、负高压输出端、通断控制模块、两个开关模块；所述输入电源与所述电源管理模块的输入端连接；所述电源管理模块的输出端分别与所述正离子发生模块的输入端、负离子发生模块的输入端连接；所述正离子发生模块的输出端与所述正高压输出端的输入端连接；所述负离子发生模块的输出端与所述负高压输出端的输入端连接；所述通断控制模块分别与电源管理模块、两个所述开关模块连接；
[0010]一个所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述正离子发生模块之间的电路中，另一所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述负离子发生模块之间的电路中；
[0011]或一个所述开关模块接入所述正离子发生模块的输出端处，另一所述开关模块接入所述负离子发生模块的输出端处；
[0012]或一个所述开关模块接入所述正高压输出端的输入端处，另一所述开关模块接入所述负高压输出端的输入端处，
[0013]所述开关模块基于所述通断控制模块的通断信号控制所处电路的通断。
[0014]进一步地，所述开关模块为场效应管，场效应管的漏极接入电路，栅极与所述通断控制模块连接，源极接地。
[0015]进一步地，所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、反相器芯片；
[0016]所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第二电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第四反相器的输入端、第一电容的一端、第二二极管的阳极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三二极管的阴极、反相器芯片中第四反相器的输出端、反相器芯片中第五反相器的输出端、第一电容的另一端、第二电容的一端、第二二极管的阴极、第一二极管的阴极连接；所述第二电容的另一端分别与所述第三电阻的一端、第四电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第五反相器的输入端、反相器芯片中第六反相器的输出端连接；所述第四电阻的另一端与所述反相器芯片中第六反相器的输入端连接；所述反相器芯片中第三反相器的输出端分别与第八电阻的一端、第十电阻的一端连接；所述第八电阻的另一端分别与所述第三二极管的阳极、第九电阻的一端、一个场效应管的栅极连接；所述第十电阻的另一端分别与所述第一二极管的阳极、第十一电阻的一端、另一场效应管的栅极连接；所述反相器芯片中第三反相器的输入端分别与所述第五电阻的一端、第三电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输出端分别与所述第三电容的另一端、第四电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输入端分别与所述反相器芯片中第一反相器的输出端、第六电阻的一端连接；所述反相器芯片中第一反相器的输入端与所述第七电阻的一端连接；所述第四电容的另一端分别与所述第六电阻的另一端、第七电阻的另一端连接；所述第五电阻的另一端、第九电阻的另一端、第十一电阻的另一端接地。
[0017]进一步地，所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第
十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第一电容、第二电容、第一电解电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、MCU芯片、稳压芯片；
[0018]所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第一三极管的集电极连接；所述第一电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极、第一电容的一端、稳压芯片的阳极连接；所述第一三极管的发射极分别与所述第二电阻的一端、第六电阻的一端、MCU芯片的VCC脚、第二电容的一端、第一电解电容的正极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三电阻的一端、稳压芯片的参考极连接；所述第六电阻的另一端与所述MCU芯片的INT脚连接；所述第一电容的另一端、第二电容的另一端、电解电容的负极、第三电阻的另一端、稳压芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，包括：输入电源、电源管理模块、正离子发生模块、负离子发生模块、正高压输出端、负高压输出端、通断控制模块、两个开关模块；所述输入电源与所述电源管理模块的输入端连接；所述电源管理模块的输出端分别与所述正离子发生模块的输入端、负离子发生模块的输入端连接；所述正离子发生模块的输出端与所述正高压输出端的输入端连接；所述负离子发生模块的输出端与所述负高压输出端的输入端连接；所述通断控制模块分别与电源管理模块、两个所述开关模块连接；一个所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述正离子发生模块之间的电路中，另一所述开关模块接入到所述电源管理模块与所述负离子发生模块之间的电路中，或一个所述开关模块接入所述正离子发生模块的输出端处，另一所述开关模块接入所述负离子发生模块的输出端处，或一个所述开关模块接入所述正高压输出端的输入端处，另一所述开关模块接入所述负高压输出端的输入端处；所述开关模块基于所述通断控制模块的通断信号控制所处电路的通断。2.如权利要求1所述的间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，所述开关模块为场效应管，场效应管的漏极接入电路，栅极与所述通断控制模块连接，源极接地。3.如权利要求2所述的间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、反相器芯片；所述电源管理模块的输出端分别与所述第一电阻的一端、第二电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第四反相器的输入端、第一电容的一端、第二二极管的阳极连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第三二极管的阴极、反相器芯片中第四反相器的输出端、反相器芯片中第五反相器的输出端、第一电容的另一端、第二电容的一端、第二二极管的阴极、第一二极管的阴极连接；所述第二电容的另一端分别与所述第三电阻的一端、第四电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端分别与所述反相器芯片中第五反相器的输入端、反相器芯片中第六反相器的输出端连接；所述第四电阻的另一端与所述反相器芯片中第六反相器的输入端连接；所述反相器芯片中第三反相器的输出端分别与第八电阻的一端、第十电阻的一端连接；所述第八电阻的另一端分别与所述第三二极管的阳极、第九电阻的一端、一个场效应管的栅极连接；所述第十电阻的另一端分别与所述第一二极管的阳极、第十一电阻的一端、另一场效应管的栅极连接；所述反相器芯片中第三反相器的输入端分别与所述第五电阻的一端、第三电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输出端分别与所述第三电容的另一端、第四电容的一端连接；所述反相器芯片中第二反相器的输入端分别与所述反相器芯片中第一反相器的输出端、第六电阻的一端连接；所述反相器芯片中第一反相器的输入端与所述第七电阻的一端连接；所述第四电容的另一端分别与所述第六电阻的另一端、第七电阻的另一端连接；所述第五电阻的另一端、第九电阻的另一端、第十一电阻的另一端接地。4.如权利要求2所述的间歇交错式放电的正负离子发生器，其特征在于，所述通断控制模块包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、...

【专利技术属性】
技术研发人员：于锁平，潘银汉，
申请(专利权)人：镇江汉邦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：