存储器器件和其制造方法技术

本发明专利技术的各种实施例涉及一种存储器器件，包含字线、存储单元、源极线以及位线。存储单元嵌入于字线中且穿透字线。源极线和位线电连接存储单元。本发明专利技术的实施例还提供一种制造存储器器件的方法。器器件的方法。器器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
存储器器件和其制造方法


[0001]本专利技术的实施例是有关于一种存储器器件和其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器器件广泛地用于电子应用的集成电路中，所述电子应用包含例如无线电、电视、蜂窝电话以及个人计算器件。半导体存储器包含两种主要类别。一种是易失性存储器(volatile memories)，另一种是非易失性存储器(non
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volatile memories)。易失性存储器包含随机存取存储器(random access memory，RAM)，所述随机存取存储器可进一步划分成两个子类别：静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)和动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)。SRAM和DRAM两个都是易失性的，这是因为它们在未供电时会丢失其存储的信息。另一方面，非易失性存储器可保存其上存储的数据。一种类型的非易失性半导体存储器为铁电随机存取存储器(Ferroelectric random access memory，FeR本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：字线；存储单元，嵌入于所述字线中且穿透所述字线；源极线，电连接所述存储单元；以及位线，电连接所述存储单元。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述存储单元当中的至少一个存储单元包括：源极柱，嵌入于所述字线中且穿透所述字线；漏极柱，嵌入于所述字线中且穿透所述字线；隔离结构，嵌入于所述字线中且穿透所述字线，其中所述源极柱和所述漏极柱由所述隔离结构间隔开，所述源极柱电连接到所述源极线中的一个，且所述漏极柱电连接到所述位线中的一个；以及通道层和电荷存储介电层，其中所述通道层和所述电荷存储介电层横向地包围所述源极柱、所述漏极柱以及所述隔离结构，且所述通道层通过所述电荷存储介电层与所述字线间隔开。3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述源极柱通过所述通道层的第一接触部分与所述电荷存储介电层间隔开，且所述漏极柱通过所述通道层的第二接触部分与所述电荷存储介电层间隔开。4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述通道层与所述源极柱的侧壁、所述漏极柱的侧壁以及所述隔离结构的侧壁接触。5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述电荷存储介电层的内侧壁与所述通道层接触，且所述电荷存储介电层的外侧壁与所述字线接触。6.一种存储器器件，包括：条状堆叠结构，各自包括交替堆叠的导电线和介电图案；柱状结构，穿透所述条状堆叠结构的所述导电线和所述介电图案，所述柱状结构中的每一个包括：第一导电柱；第二导电柱；隔离结构，安置于所述第一导电柱与所述第二导电柱之间；氧化物半导体层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾汉中，林孟汉，林佑明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：