三级存储单元NAND闪存中的回流耐久性改进制造技术

本发明专利技术公开了一种存储器装置及其操作方法。在一个实施例中，公开了一种方法，其包含：通过压缩原始数据来生成经压缩数据以存储在存储器装置中；用所述经压缩数据对所述存储器装置的第一区域进行预编程；以及响应于检测到所述存储器装置已通电，解压缩所述经压缩数据，获得所述原始数据，以及将所述原始数据传送到所述存储器装置的第二区域。送到所述存储器装置的第二区域。送到所述存储器装置的第二区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三级存储单元NAND闪存中的回流耐久性改进
[0001]相关申请
[0002]本申请要求第16/281,740号美国专利申请，其于2019年2月21日提交且标题为《三级存储单元Nand闪存中的回流耐久性改进(Reflow Endurance Improvements in Triple
‑
Level Cell Nand Flash)》，其全部公开以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开大体上涉及半导体存储器及方法，且更明确地说，涉及制造期间三级存储单元NAND闪存操作的改进。

技术介绍

[0004]闪存是不需要电源来维护数据的非易失性存储介质。NAND闪存是一种使用NAND逻辑门构造的闪存类型。或者，NOR闪存是一种使用NOR逻辑门构造的闪存。目前，NAND闪存的使用主导了闪存市场。
[0005]在闪存中，NAND或NOR晶体管用于存储信息且布置在可经由位线和字线访问的栅极阵列或网格中，所述位线和字线的交叉点称为存储单元。最简单的闪存每单元存储一位信息，并且被称为单级存储单元(SLC)闪存。在多级存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包含：通过压缩原始数据生成经压缩数据以存储在存储器装置中；用所述经压缩数据对所述存储器装置的第一区域进行预编程；以及响应于检测到所述存储器装置已通电：解压缩所述经压缩数据，获得所述原始数据，以及将所述原始数据传送到所述存储器装置的第二区域。2.根据权利要求1所述的方法，所述存储器装置的所述第一区域和所述第二区域包含三级存储单元(TLC)NAND闪存区域。3.根据权利要求2所述的方法，所述第一区域被配置为作为伪单级存储单元(pSLC)NAND闪存区域操作。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含在传送所述原始数据之后将所述第一区域转换为TLC区域。5.根据权利要求1所述的方法，所述压缩原始数据包含使用无损压缩算法来压缩所述原始数据。6.根据权利要求5所述的方法，所述压缩和解压缩由所述存储器装置中的控制器执行。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在传送所述原始数据之后允许主机处理器能够访问所述存储器。8.一种用于有形地存储能够由计算机处理器执行的计算机程序指令的非暂时性计算机可读存储介质，所述计算机程序指令定义以下步骤：通过压缩原始数据生成经压缩数据以存储在存储器装置中；用所述经压缩数据对所述存储器装置的第一区域进行预编程；以及响应于检测到所述存储器装置已通电：解压缩所述经压缩数据，获得所述原始数据，以及将所述原始数据传送到所述存储器装置的第二区域。9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质，所述存储器装置的所述第一区域和所述第二区域包含三级存储单元(TLC)NAND闪存区域。10.根据权利要求9所述的非暂时性计算机可读存储介质，所述第一区域被配置为作为伪单级存储单元(pSL...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤淳一，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：